Vref на схеме что это

1.4. Аналоговая земля (angnd) и опорное напряжение (Vref)

Уровни опорного напряжения сильно влияют на абсолютную точность преобразования. По этой причине, мы рекомендуем, чтобы Вы присоединили контакт ANGND к контакту Vss, используя, по возможности, провод наименьшей длины.

В “шумной” среде, мы настоятельно рекомендуем использование отдельной цепи аналоговой земли, которая соединяется с Vss в одной точке, как можно ближе к источнику. Между Vref и ANGND должны использоваться блокировочные конденсаторы. Уровень ANGND должен быть не больше 0.1 В относительно Vss. Источник опорного напряжения (Vref) должен быть стабильным и использоваться только для АЦП. Напряжение Vref должно быть в пределах от 4.0 до 5.5 В и источник должен поддерживать ток до 5 мА.

Большие отрицательные выбросы тока на контакте ANGND, относительно Vss, могут вывести аналоговую схему из строя — это — дополнительная причина для тщательного заземления ANGND.

Опорное аналоговое напряжение (Vref) — положительное напряжение, с которым сравниваются все каналы АЦП. Это напряжение также используется портом 0, если АЦП не используется. Если не требуется высокая точность, контакт Vref может быть соединен с контактом Vсс. Если точность очень важна, источник Vref должен быть очень стабильным. Один из способов повышения стабильности — с помощью использования прецизионного источника питания или отдельного стабилизатора напряжения (обычно интегральной схемы). Эти устройства должны быть подключены к контактам ANGND и Vref.

1.5. Использование смешанных аналоговых и цифровых входов

Порт 0 может использоваться и для аналоговых и для цифровых входных сигналов одновременно. Однако, при чтении Порта 0 (чтение ячейки 0EH), некоторый шум может быть внесен в аналоговую схему. По этой причине, убедитесь ,что во время чтения Порта 0, аналогово-цифровое преобразование не выполняется.

1.6. Передаточная функция и источники ошибок ацп

Результат преобразования — 8- или 10-битное представления отношения входного напряжения к опорному напряжению. Чтобы вычислить результат 10-битного преобразования, используется следующая формула:

Результат = 1023 x (Vin — ANGND)/(VREF — ANGND)

Передаточная функция представляет собой ступенчатый график зависимости выходного кода от входного напряжения.

Для простых прикладных задач, достаточно знать абсолютную погрешность преобразователя. Однако, чем сложнее прикладная задача, тем важнее полностью понять работу преобразователя.

Для каждого 10-битного кода на выходе АЦП существует уникальный диапазон входных напряжений (обычно 1.5 мВ), который генерирует этот код.

Ошибки в процессе аналого-цифрового преобразования :

— ошибка нулевого смещения;

Все эти ошибки — ошибки передаточной функции, связанные с аналогово-цифровым преобразователем. Кроме того, источниками ошибок может быть следующее: температурные коэффициенты, изменения напряжения источника питания, качество конденсатора выборки, изоляция мультиплексора, соответствие «канал-канал», шум системы.

Достоинство абсолютной погрешности в том, что она описывает сумму всех отклонений между реальным процессом преобразования и идеальным преобразователем. Однако, в большинстве прикладных задач важны различные подкомпоненты ошибки.

Неизбежная ошибка следует из преобразования непрерывного напряжения к целому цифровому представлению. Эта ошибка называется ошибкой квантования и — всегда равна значению 0.5 LSB. Ошибка квантования — единственая ошибка, присутствующая в совершенном АЦП, и очевидно представленная в реальных преобразователях.

Передаточная функция для идеального 3-битного АЦП представлена как идеальная характеристика (см. рис. 6.4.). Обратите внимание что идеальная характеристика обладает следующими уникальными качествами:

— Первый переход кода происходит когда входное напряжение равно 0.5 LSB;

— Полномасштабный переход кода происходит когда входное напряжение равно Vref — 1.5 LSB

— дискретность кодов — точно один LSB.

Эти качества приводят к преобразованию в цифровую форму без ошибок нулевого смещения, без ошибок полномасштабности и без ошибок линейности.

Реальная характеристика гипотетического 3-битного преобразователя несовершенна. Когда идеальная характеристика накладывается на реальную характеристику, реальный преобразователь, как видно, проявляет ошибки в местах первых и последних переходов кода и в дискретности кода, как показано на рис.6.5. Отклонение первого перехода кода от идеального — это так наываемая ошибка нулевого смещения, а отклонение последнего перехода кода от идеального — полномасштабная ошибка.

Отклонение дискретности кода от идеальной приводит к двум типам ошибок: дифференциальная нелинейность и нелинейность.

Дифференциальная нелинейность — мера локальной ошибки дискретности кода, в то время как нелинейность — мера полной ошибки перехода кода.

Дифференциальная нелинейность — степень, с которой реальные дискретности кода отличаются от идеальной дискретности одного наименее значимого разряда. Это дает пользователю меру того, насколько может измениться входное напряжение, чтобы результат преобразования изменился на единицу.

Рис.6.4. Характеристика идеального аналогово-цифрового

Рис 6.5. Реальная и идеальная характеристики аналогово-цифрового преобразования

В 10-битном преобразователе, идеальная дискретность кода — 5 мВ (5.12 VREF/1024).То есть при изменении входного напряжения на 5 мВ, результат преобразования изменяется на единицу. Если определяется, что такой преобразователь имеет максимальную дифференциальную нелинейность 2 LSBs (10 мВ), тогда максимальная дискретность кода будет больше идеальной не больше чем на 10 мВ, то есть 15 мВ.

Реальная дискретность кода в преобразователе обычно изменяется от 2.5 мВ до 7.5 мВ.

Дифференциальная нелинейность и нелинейность определяются измерениями ошибок линейности на граничных участках характеристики. Для этого из реальной характеристики строят новую характеристику. Реальная характеристика транслируется и масштабируется, чтобы по возможности устранить ошибку нулевого смещения и полномасштабную ошибку, как показано на рис.6.6. Практически, это выполнимо, используя входные схемы, которые включают усиление и подстраивают смещение.

Рис.6.6. Характеристика аналогово-цифрового преобразования, основанная на граничных значениях

Другие факторы, которые воздействуют на реальную систему аналогово-цифрового преобразователя включают:

— отказ полностью подавлять нежелательные сигналы;

— несоответствие каналов мультиплексора;

Если эти факторы незначительны, их воздействие мало. Дрейф температуры — норма изменения типовых параметров микропроцессора при изменении температуры окружающей среды. Эти изменения выражаются в температурных коэффициентах.

Паразитные сигналы поступают из трех основных источников: шум источника питания, изменения входного сигнала на преобразовываемом канале (после того, как выборка была осуществлена) , и поступление в каналы сигналов, не выбранных мультиплексором.

И наконец, встроенные в каналы мультиплексора резисторы немного отличаются друг от друга, что и вызывает ошибки соответствия «канал-канал» и ошибки повторяемости.

Источник опорного напряжения — один из принципов и одна из реализаций

Как не счесть «алмазов в каменных пещерах» — так не счесть случаев, когда необходимо втиснуть какую-нибудь характеристику «непрерывного» внешнего мира в «дискретное» нутро цифровых алгоритмов или извлечь обратно. Как помнят многие — это делается с помощью аналого-цифровых (АЦП, ADC) и цифро-аналоговых (ЦАП, DAC) преобразователей. Но только более посвящённые — обратят при этом внимание на источник опорного напряжения для преобразований (ИОН, Reference), который во многом определяет стабильность и абсолютную точность полученного результата. Конечно, есть некоторое число случаев, когда можно произвести измерение или генерацию отношения двух токов или напряжений. Тогда достаточно подать большее из них на опорный вход преобразователя. Но это — именно «некоторое число».

Желающих ознакомиться с одним из принципов и одной из реализаций температурно-стабильного ИОН — приглашаю под кат. Помощь в этом — предоставит симулятор LTSPICE (несмотря на то, что человек с КДПВ сказал: «My favorite CAD is solder»). Желательно — знание закона Ома, правил Кирхгофа, принципов работы биполярного транзистора (на уровне модели Эберса-Молла) и идеального операционного усилителя.

КДПВ1: Robert Allan Pease — the czar of bandgap. «Орденские цепи» — из ИМС стабилизаторов в корпусе TO-3.

Как-то и сам я, осваивая 2-е переводное издание «Искусства схемотехники», макетировал подобную схему IRL. Наподобие Figure 9.91 из третьего издания в переводе teap0t, только с простым источником тока. При помещении транзисторной сборки 198НТ1 в кипяток, стрелка АВО-5М смещалась менее, чем на свою ширину.

КДПВ2: Бендер «Сгибатель» Родригез смотрит порножурнал (S1E10?).

Скачать архив с примерами и подробными результатами.

Из уравнения модели биполярного транзистора Эберса-Молла Ic = S * Is * [exp(Vbe*q/[k*T]) — 1] следует, что разность напряжений база-эмиттер двух транзисторов пропорциональна отношениям токов коллекторов и их площадей (в основном — их эмиттеров) — dVbe = (k*T/q) * ln[(Ic1 * S2) / (Ic2 * S1)] и абсолютной температуре (Iсn — токи коллекторов и Sn — площади эмиттеров соответствующих транзисторов, при комнатной температуре kT/q

26 mV). Соединив эмиттерный переход некоего транзистора с некоторым Vbe (имеющим отрицательный температурный коэффициент примерно минус 2 мВ/°C) последовательно с неким участком цепи (имеющим падение напряжения N*dVbe с положительным коэффициентом) и выбрав соответствующее N — можно получить напряжение [почти] неизменное при колебаниях температуры. Его итоговая величина оказывается весьма близкой к потенциалу запрещённой зоны полупроводника, на основе которого изготовлены транзисторы (в пределе, при T⟶0 °K, Vbe стремится к этому значению, а N*dVbe к 0) — поэтому данный тип ИОН называется «ИОН с напряжением запрещённой зоны» или «Bandgap reference». Потенциал запрещённой зоны в SPICE модели биполярного транзистора — это параметр Eg и его коэффициенты GAP1, GAP2.

Рисунок № 1.

Закинем всё это в симулятор LTSPICE в варианте, предложенном Paul Brokaw в 1974 году («A simple three-terminal IC bandgap reference») и рассмотрим пристально. На R2 и R7 выделяются напряжения dVbe с коэффициентом, прямо пропорциональным температуре (датчик температуры — на сдачу). Масштабируя их на R2-R4 или R7-R6 (Vptat — пропорциональное абсолютной температуре) и складывая с Vbe — получаем стабильное Vref. При этом — точность выходного напряжения определяется, в основном, соотношениями площадей эмиттеров и сопротивлений резисторов, что в интегральной микроэлектронике реализуется легче, чем абсолютная точность конкретного элемента.

IcQ1*R2 = dVbe1
(IcQ1+IcQ2)*R4 = Vptat1
IcQ1/IcQ2 = R1/R3
=> (1+IcQ2/IcQ1)*R4/R2 = Vptat1/dVbe1

Варьируя R4/R2 при заданных IсQ1/IсQ2 и определяемом ими dVbe1 — получаем Vptat1 с температурным коэффициентом

Vptat1 / T = (1 + IcQ2/IcQ1) * ln(IcQ2/IcQ1) * (k/q) * (R4/R2)

Справа — с одинаковыми токами через транзисторы с разными площадями эмиттеров, Q4 имеет в m раз большую площадь (или — m параллельных элементов). ООС будет поддерживать одинаковое напряжение на коллекторах при одинаковых нагрузочных резисторах или будет использована местная ОС через токовое зеркало. В итоге — получаются разные плотности токов I/S:

IcQ4*R7 = dVbe2
(IcQ3+IcQ4)*R6 = Vptat2
IcQ3=IcQ4 (т.к. R5=R8)
=> 2*R6/R7 = Vptat2/dVbe2

В итоге: Vptat2 / T = 2 * (k/q) * ln(SQ4/SQ3) * (R6/R7)

Здесь — я предварительно подобрал Vref, R2 и R7 дающие минимальную разность напряжений коллекторов при заданных остальных резисторах. Переставляя точку с запятой (комментарий) в правом блоке чёрного текста можно менять задания для параметров (температуры, сопротивления и т.п.) расчёта рабочей точки (.op).

Рисунок № 2.

Vref1	Vref2
Максимум, В	1,159418	1,158782
Минимум, В	1,158125	1,157608
Среднее, В	1,1587715	1,158195
Отклонение, %	0,05579	0,05068

Параметр	Значение, В или А
Ic(Q2), I(R3)	0,000389773
Ib(Q2)	4,23812e-006
Ie(Q2)	-0,000394011
Ic(Q1), I(R1)	0,000129817
Ib(Q1)	1,63409e-006
Ie(Q1), I(R2)	-0,000131452
I(R4)	-0,000525463
V(vref1)	1,15942
V(n006), Ve(Q1)	0,553856
V(ptat1), Ve(Q2)	0,525463

Отношение токов коллекторов — 3,0025 (что не совсем понятно — AD860x со входом на полевых транзисторах и достаточно точный), сумма — 519,59 мкА.
Отношение токов баз — 2,5936, сумма — 5,872 мкА. У транзистора Q1 проявляется падение коэффициента усиления тока при низких токах эмиттера.
Vptat1 / T = (1+IQ2/IQ1) * ln(IQ2/IQ1) * (k/q) * R4/R2 (k = 1,38*10 -23 Дж/°C, q = 1,6*10 -19 Кл) должен получиться с коэффициентом около 2 мВ * T. По расчёту — 1,75 мВ/°C.
Vptat2 / T = 2 * (k/q) * ln(SQ4/SQ3) * (R6/R7) — расчёт даёт 1,79 мВ/°C (другой ток через Q3).

Тут, вместо того, чтобы проверить влияние технологических разбросов, я бросился конструировать разнообразные химеры. Желающие могут ознакомиться с ними в архиве под именем «uglies». Они порой действительно страшноваты, например — токовое зеркало с разными сопротивлениями в эмиттерах (очевидно — отношение токов будет меняться при изменении их абсолютных значений). Хотя ИОН по мотивам LM317 довольно интересен в разборе принципа действия и характеристик.

В итоге — и от этого нашлась польза. Я заметил, что погоня за минимальным «ppm/°C», рассчитанным по типичному «коробочному» методу, может привести к увеличению абсолютной нестабильности. Analog Devices считает так:

Комментарий от Хоровица и Хилла.

Здесь и далее я рассчитывал «ppm/°C» опираясь на T1 и T2 соответствующие минимальному и максимальному значениям кривой. При малых отклонениях от точки минимальной абсолютной нестабильности возможны ситуации, когда прирост разности напряжений в числителе оказывается меньше прироста разности температур в знаменателе. Пожалуй — надо было брать полный температурный диапазон и немного улучшить свои результаты?

Теперь — посмотрим на худшие случаи вариаций параметров. В LTSPICE ничего не нашёл по вариации параметров модели для отдельных экземпляров, использующих эту модель (симуляция производственного разброса параметров). Попадалось упоминание, что в PSpice A/D есть отдельный инструмент для учёта разбросов между партиями (Lot), внутри них (Dev) и оценки чувствительности к разбросам конкретного компонента схемы. Пока — только использование «худшего случая» (worst case) и номерных моделей транзисторов с директивой «ako» на базе этих данных:

https://k6jca.blogspot.com/2012/07/monte-carlo-and-worst-case-circuit.html
https://www.analog.com/en/technical-articles/ltspice-worst-case-circuit-analysis-with-minimal-simulations-runs.html
В поле выбора модели каждого транзистора — вставлена функция худшего случая по двум параметрам «wc_2dim» выбирающая модели скорректированные по наиболее «весомым» параметрам для постоянного тока:
— току насыщения Is, который определяет Vbe конкретного транзистора и, опосредованно, температурно-зависимое dVbe в парах;
— коэффициенту Bf, который примерно определяет hfe при средних значениях тока эмиттера (при больших и малых — в дело вступают поправочные коэффициенты ISE, IKF и другие).

Входными параметрами «wc_2dim» являются номер «базовой» модели транзистора и два индекса idx, сравниваемые с переменной run. Начинать номера моделей с 0 — почему-то нельзя (зарезервировано для цепи «земля»?).

Рисунок № 3.

Недостаток тут один и большой — логарифм отношения токов. Справа — увеличив отношение токов втрое (3 2 = 9 транзисторов Q4, Camenzind называет максимальное практическое отношение в микроэлектронике на уровне 50 [1]) мы увеличим dVbe всего вдвое (с 24 до 48 мВ). Слева — попроще, в некоторых пределах мы можем выбрать довольно большое отношение R1/R3 (не забывая о диапазоне допустимого синфазного напряжения ОУ и ЭДС шума резисторов с большими номиналами). С другой стороны — увеличение числа транзисторов должно ещё уменьшать паразитный разброс само по себе (пропорционально корню квадратному их числа). Например — прелестная пара транзисторов LM194/394, состоящая из 50 параллельных ячеек для каждого и имеющая финальный разброс 100-250 мкВ. Это довольно похоже на 2 мВ современных согласованных транзисторов (DMMT39xx), делённых на корень квадратный из 50. Но, даже с отношением токов 50, — разброс остаётся большим.

Итог для Q1-Q2 с отношением токов (параметр Left) 50 — точность падает с 0,058 до 1,681 % и ТКН растёт с 13,86 до 45,92 ppm/°C. Негусто, но уже подползаем к уровню <тыщи_их>431!

Для Q3-Q4 (при m=9) — точность падает с 0,066 до 2,859 % и ТКН растёт с 16,47 до 79,28 ppm/°C. Замечание: Тут можно было-бы симулировать каждый из 9 транзисторов Q4 отдельно (или поделить для него tol_Is на √9=3). Но оценка именно худшего случая (все в плюс или минус) — верна.

Влияние резисторов с точностью 1% (на примере правой части схемы с m=9) поменьше — точность падает с 0,066 до 2,299 % и ТКН растёт с 16,47 до 64,90 ppm/°C.

Полные вариации для Q3, Q4, R5-R8 при m=9 — точность падает с 0,066 до 5,144 % и ТКН растёт с 16,47 до 144,01 ppm/°C. Скатываемся куда-то на уровень «хуже 7805».

Рисунок № 4.

Столь же простой и экстенсивный, но более действенный путь — подстройка отношений резисторов. Для получения минимального ТКН, если нам достаточно просто термостабильного напряжения, потребуется подстройка как минимум одного резистора в парах R2-R4 и R6-R7. «Чему в истории мы тьму примеров сыщем» — начиная от «вульгарных» LM317 (https://richis-lab.de) с пережигаемыми перемычками в слое металлизации (STMicroelectronics, обратите внимание — подстройка в весьма широком диапазоне) или стабилитронами (NSC), через <их_тыщи>431, до прецизионных ИОН типа AD584 с лазерной подстройкой тонкоплёночных(?) резисторов.

Обратите внимание, фактически R38 (между базами Q1 и Q2) — отсутствует. Место подгонки R30 — выделено стрелкой справа посередине.

Рисунок № 5.

В финале, если нужна ещё и заданная величина выходного напряжения, — надо подстроить и делитель в цепи ОС выходного усилителя (R48 на рисунке № 6).

Рисунок № 6.

Не рассмотрен ТКС резисторов (от ±50-100 ppm/°C для точности 1% до ±единиц ppm/°C для более точных). Допустимо ли утверждать, что у резисторов близких номиналов, одного производителя и одной партии — сопротивления дрейфуют согласованно?
Не рассмотрены методы обеспечения одинаковой температуры для всех ключевых элементов и минимизации температурных градиентов [ссылка в 3].
В финале речь пойдёт о разбиении резистора на части для точной подстройки. Если делать это в «дискрете», то понадобятся запаиваемые (или перерезаемые) перемычки на плате. Можно подискутировать об их термоЭДС (для запаиваемых) или о влагопоглощении повреждённого места печатной платы (для перерезаемых). ТермоЭДС представляется мне меньшим злом, т.к. это будут два встречно включенных спая, находящихся при очень близкой температуре.

Пример компенсации квадратичной нелинейности (Q3 — на одном кристалле с Q2, Q5). При Run=0 (R4 > 0 и Q3 работает) выходное напряжение меняется менее, чем на 452 мкВ во всём диапазоне температур. Примерно в 2-3 раза лучше «базовой» схемы. Исходные посылки — смотрите у Camenzind, fig. 7-14, 7-15 в [1], Brokaw на стр. 38-43 в [2] и Pease на стр. 2-3 в [3].

Рисунок № 8.

R1 подбирается так, чтобы максимум выходного напряжения без действия Q3 был смещён в область пониженных температур и была «удлиннённая» спадающая ветвь в области повышенных. Подбором соотношения R3 и R4 (при фиксированной сумме) — определяем момент вступления в дело Q3 при повышении температуры. Совместным подбором R2-R4 минимизируем разность максимального и минимального напряжений. Не забудьте, что в результате датчик температуры станет привирать!

Можно разбить R1 на части и подключить коллектор Q3 в точку их соединения. Тогда можно будет понизить номинал R2 (меньше шум, проще реализация в ИС). Но делать его сильно маленьким (менее 3-10 кОм) нецелесообразно, т.к. эмиттерный переход Q3 станет заметно шунтировать R4.

Моделировать разброс по параметрам цепи коррекции — как-то страшновато. Вдруг всё сломается? Кто сделает? 😉

В конце, для тренировки остатков мозга и набития фрагов в обращении с LTSPICE разработал «на бумаге» упрощенный ИОН на 2,048 В на дискретных компонентах — 13 транзисторов (Q2 и Q3 — по 3 параллельных), два подборных резистора (по одному в парах R1-R2 и R6-R7). Q2 и Q4 — согласованная сборка CA3046, LM3046, TBA331 (сейчас производятся HFA3046, NTE912 или взять DMMT3904 или BCM84x или, из «наших», 198НТ1 или КТ222). Последний, пятый, транзистор в её составе попробуем оставить «про запас». Сам задатчик опорного напряжения Q1-Q4 (с 9-кратным отношением токов, раз уж всё равно надо подстраивать резисторы) является и первым каскадом усилителя ОС. Q6 и Q7 — обеспечивают запуск и формируют нагрузку для Q8. R4 и R5 — достаточны с допуском 5%. С погрешностью установки выходного напряжения от пропорциональных температуре базовых токов Q2 и Q4 борюсь очень грубой силой — увеличением тока делителя R6 и R7. Так и частотные характеристики несколько улучшаются, т.к. это нагрузка выходного каскада. L1, C4 и V2 — для анализа АФЧХ при разомнутой ОС по переменному току (задать L1 и C4 — по 1 Meg). C1, C2 и R3 формируют двухполюсную коррекцию АЧХ — в меру своего незнания пытаюсь расширить частотный диапазон, в котором доступно повышенное петлевое усиление. На LDO’шность прокачивать не стал, минимальное напряжение питания при симуляции — 4 В (вероятно — и от 3 В будет ещё прилично работать).

Для наглядности — всем 4 значениям R1 сопоставлены подходящие к заданному выходному напряжению значения R6. Поэтому кривые Vout расположены не так, как на рисунке № 2. При выбранном R2 = 1 кОм, минимальный ТКН (3,237 мВ в абсолютном выражении, 26,324 ppm/°C) получается при R1 = 443 Ом. Расчёт Vptat / T = 4 * (k/q) * ln(9) * (R2/R1) даёт 1,71 мВ/°C (4 это 1 плюс отношение тока эмиттера Q4 к току R1), а по результатам симуляции — 1,76 мВ/°C.

Рисунок № 9.

Рисунок № 10 — АФЧХ.

Вариации выходного напряжения:

Вывод. К #импортозамещение — готов? 😉

Литература, в порядке использования:

[1] Книга Hans Camenzind, «Designing analog chips»
[2] Печатная лекция A. Paul Brokaw, «How to make a bandgap voltage reference in one easy lesson»
[3] Пара избранных заметок Robert A. Pease, «The Design of Band-Gap Reference Circuits: Trials and Tribulations» и «What’s All This VBE Stuff, Anyhow?»

Более-менее полное ПСС Боба — смотрите тут. В заметке «How To Make Your Own Matched Transistors» Вы можете найти базовую идею схемы для подбора парных транзисторов при необходимости и упоминание о том, что, как правило, сборки 3046 согласованы лучше, чем на 1 мВ.

И — ещё одно его фото в царском костюме, с пригоршней ИМС в ладонях:

[4] Или — попробуйте найти [3] в испохабленном «грязными ковбоями» виде на сайте www.ti.com или на их форуме e2e.ti.com

Synopsys: Simulating Brokaw bandgap reference in LTSPICE, BJT DC parameters variation in LTSPICE.

TL431

TL431 принцип работы и очень простая проверка. Я не зря опять затронул эту тему ,это одна из самых массово выпускаемых интегральных микросхем .

Интересный ТЕЛЕГРАММ канал о простой электронике для новичков АзбукаРАДИОСХЕМ

Ее выпуск стартовал в 1978 году. Большую популярность она получила при использовании различных импульсных блоках питания для телевизоров ,тюнеров , DVD и другой аудио-видео техники. И она часто работает в паре с тоже очень популярной радиодеталью- оптроном PC817.

Подборка интересных видеороликов для начинающих о регулируем Стабилитроне TL431:
1. Стабилитрон TL431 — Три способа проверки — простой, еще проще и самый простой https://youtu.be/zjRk1kAc5TY
2. Работа Стабилитрона TL431 и режим стабилизация напряжения https://youtu.be/ZTxIurnMByI
3. Работа Стабилитрона TL431 как Стабилизатора НАПРЯЖЕНИЯ (Практика) https://youtu.be/_exN56PRSdA
4. TL431 Как и Что Происходит После Срыва СТАБИЛИЗАЦИИ практика и теория https://youtu.be/B1cu7HUCuK8
5. Соберем Стабилизатор ТОКА ( на TL431 )- Очень простая схема А так же Испытания https://youtu.be/n-RkQ3gja_E
6. Стабилизатор Тока на TL431 Соберем и Испытаем проверенную схему — А так же в Симуляторе EasyEDA https://youtu.be/lxyNdOOVWyY
7. TL431 — В роли усилитель звука — Нестандартные схемные решения. Спаять схему за 5 минут https://youtu.be/72bG3MO9r9c

Для тех читателей, кому легче информацию воспринимать на слух, советую посмотреть видео в самом низу страницы.

Tl431 является прецизионным управляемым источником опорного напряжения.

Свою популярность она завоевала благодаря своей очень низкой стоимости и высокой надежности и точности. Принцип работы ее довольно просто понять из структурные схемы.

tl431

Если напряжение на входе источника ниже опорного напряжения то и на выходе операционного усилителя низкое напряжение , соответственно транзистор закрыт и ток от катода к аноду не протекает (точнее он очень маленький не превышает 1 миллиампера).

Эквивалентная схема TL431

Эквивалентную схему этой микросхемы можно представить в виде обыкновенного стабилитрона .Где напряжение стабилизации можно рассчитать по формуле приведенной ниже :

Один из самых простых типов стабилизаторов — это параметрический.

Параметрический: в таком стабилизаторе используется участок ВАХ прибора, имеющий большую крутизну(Википедия). Его можно сделать и на микросхеме tl431.

tl431

Для этого понадобится всего лишь три резистора, два из которых будут управлять входом микросхемы и как бы программировать напряжение на выходе. Рассчитать напряжение на выходе можно будет по формуле Uвых=Vref( 1 + R1/R2 ). При этом Vref=2,5В
R1=R2( Uвых/Vref – 1 ).
Кроме резисторов R1 и R2 в схеме ещё присутствует резистор R3 его предназначение как и для простого стабилитрона он является ограничителем тока
Основные технические характеристики TL431:
напряжение анод-катод: 2,5…36 вольт;
ток анод-катод: 1…100 мА (если нужна стабильная работа, то не стоит допускать ток менее 5мА);

Компенсационный стабилизатор напряжения

Компенсационный: имеет обратную связь.

Компенсационный стабилизатор напряжения tl431

Компенсационный стабилизатор напряжения на tl431

В нём напряжение на выходе стабилизатора сравнивается с эталонным, из разницы между ними формируется управляющий сигнал для регулирующего элемента.
Чтобы увеличить токи стабилизации одного транзистора становится мало, нужен промежуточный усилительный каскад.

Компенсационный стабилизатор напряжения tl431

Компенсационный стабилизатор напряжения на tl431

Теперь кратко назначение компонентов: Резистор R2 он является ограничителем тока базы транзистора vt1 можно использовать от 300 до 400 ом. Резистор R3 компенсирует обратный ток коллектора транзистора vt2 можно использовать резистор 4.7 кОм. Конденсатор C1 повышает устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах, можно использовать 0.01 мкФ.

Стабилизатор тока на TL431

На микросхеме tl431 нужно собрать термостабильный стабилизатор тока.

Стабилизатор тока на TL431

Резистор R2 совместно с транзистором vt1 является своеобразным шунтом на котором с помощью обратной связи поддерживается напряжение 2,5 вольта. Рассчитать ток стабилизации можно по формуле Iн=2,5/R2.

Индикатор повышения напряжения на TL431

Светодиод начинает светиться когда напряжения превышает заданный порог. Который можно рассчитать по формуле:

R2 = 2,5 х Rl/(Uз — 2,5)

Индикатор изменения напряжения на TL431

Здесь светодиоды будут зажигаться в зависимости от того напряжение превысило или наоборот стало ниже заданного порога.

Индикатор изменения напряжения на TL431

Подключение датчиков

Датчики подключают как одно из плеч делителя на управляющий контакт стабилизатора

Подключение датчиков TL431

Один из простых методов проверки TL431

нужно замкнуть его Катод и управляющий электрод

Вариант на макетной плате

и он должен показывать как обыкновенный стабилитрон на 2,5 вольта. Для этого можно использовать китайский тестер он будет показывать как два встречных диода один как обыкновенный идиот а другой как стабилитрон на два с половиной вольта

Vref на схеме что это

/>1 марта
Тема:Работа сайта и сервера
От:makc

/>1 марта
Тема:Работа сайта и сервера
От:makc

—>

Другие известные форумы и сайты по электронике

все что посвящено электронике и общению специалистов. реклама других ресурсов.

Магазины
Форумы и конференции
Производители
Информационные ресурсы
Поисковики
FTP-серверы

/>8 февраля
Тема:Куда пропал доступ к www.ti.com
От:jcxz

/>8 февраля
Тема:Куда пропал доступ к www.ti.com
От:jcxz

—>

В помощь начинающему

вопросы начального уровня

Модераторы раздела VAI aosp SergM fill vetal KRS Alexandr des00 Uladzimir Rst7 iosifk ViKo Herz l1l1l1 Tanya Сергей Борщ Omen_13 Vasily_ Егоров Walrus

ARM, 32bit
MCS51, AVR, PIC, STM8, 8bit
Программирование
Схемотехника
Интерфейсы

/>3 часа назад
Тема:как организовать упраление питанием нагрузки?
От:Plain

/>3 часа назад
Тема:как организовать упраление питанием нагрузки?
От:Plain

—>

International Forum

This is a special forum for English spoken people, read it first.

/>25 февраля
От:HardEgor

/>25 февраля
От:HardEgor

—>

Образование в области электроники

все что касается образования, процесса обучения, студентам, преподавателям.

Модераторы раздела des00

/>2 часа назад
Тема:Создание профессиональной ассоциации по микроэле…
От:dxp

/>2 часа назад
Тема:Создание профессиональной ассоциации по микроэле…
От:dxp

—>

Обучающие видео-материалы и обмен опытом

Обсуждение вопросов создания видео-материалов

Модераторы раздела iosifk

/>17 февраля
Тема:Dilduino
От:k155la3

/>17 февраля
Тема:Dilduino
От:k155la3

Cистемный уровень проектирования

Последнее сообщение

—>

Вопросы системного уровня проектирования

Применение MATLAB, Simulink, CoCentric, SPW, SystemC ESL, SoC

Модераторы раздела Rst7

/>Четверг в 10:11
Тема:Снова о z-преобразовании
От:_sda

/>Четверг в 10:11
Тема:Снова о z-преобразовании
От:_sda

—>

Математика и Физика

Модераторы раздела Rst7

/>Вторник в 00:35
Тема:Предикат или квантор?
От:ch_19

/>Вторник в 00:35
Тема:Предикат или квантор?
От:ch_19

—>

Операционные системы

Linux, Win, DOS, QNX, uCOS, eCOS, RTEMS и другие

Модераторы раздела Rst7

Программирование
Linux
uC/OS-II
scmRTOS
FreeRTOS
Android

/>Вторник в 20:21
Тема:Установка Windows XP на современный ПК 2020 года
От:Zoltrix

/>Вторник в 20:21
Тема:Установка Windows XP на современный ПК 2020 года
От:Zoltrix

—>

Документация

оформление документации и все что с ней связано

Модераторы раздела Rst7

/>1 час назад
Тема:Как делают документацию для микроконтроллеров их…
От:Yra

/>1 час назад
Тема:Как делают документацию для микроконтроллеров их…
От:Yra

—>

Системы CAD/CAM/CAE/PLM

обсуждение САПР AutoCAD, Компас, SolidWorks и др.

/>5 февраля
Тема:Ошибка установки Solidworks
От:baumanets

/>5 февраля
Тема:Ошибка установки Solidworks
От:baumanets

—>

Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС

Модераторы раздела Rst7

/>14 часов назад
Тема:Reference designs
От:nikitaborodenkov

/>14 часов назад
Тема:Reference designs
От:nikitaborodenkov

—>

Электробезопасность и ЭМС

Обсуждение вопросов электробезопасности и целостности сигналов

Модераторы раздела Rst7

ЭМС
Электробезопасность

/>3 марта
Тема:Типовые схемы защиты от микросекундных помех
От:HardEgor

/>3 марта
Тема:Типовые схемы защиты от микросекундных помех
От:HardEgor

—>

Управление проектами

Управление жизненным циклом проектов, системы контроля версий и т.п.

Модераторы раздела Rst7

/>30 октября, 2022
Тема:Как тестировать разработанную электронику и встр…
От:KBH

/>30 октября, 2022
Тема:Как тестировать разработанную электронику и встр…
От:KBH

—>

Нейронные сети и машинное обучение (NN/ML)

Форум для обсуждения вопросов машинного обучения и нейронных сетей

Модераторы раздела Rst7

/>4 марта
Тема:Модуль на VHDL кусочно-линейной (семь участков) …
От:Мур

/>4 марта
Тема:Модуль на VHDL кусочно-линейной (семь участков) …
От:Мур

Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)

Последнее сообщение

—>

Среды разработки — обсуждаем САПРы

Quartus, MAX, Foundation, ISE, DXP, ActiveHDL и прочие.
возможности, удобства.

Модераторы раздела vetal />des00 />

/>2 часа назад
Тема:Gowin EDA — релизы и общие вопросы
От:Zversky

/>2 часа назад
Тема:Gowin EDA — релизы и общие вопросы
От:Zversky

—>

Работаем с ПЛИС, области применения, выбор

на чем сделать? почему не работает? кто подскажет?

Модераторы раздела vetal />des00 />

/>10 часов назад
Тема:PLD Altera EPMxxxx+генератор 100МГц: как организ…
От:tegumay

/>10 часов назад
Тема:PLD Altera EPMxxxx+генератор 100МГц: как организ…
От:tegumay

—>

Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)

Verilog, VHDL, AHDL, SystemC, SystemVerilog и др.

Модераторы раздела aosp vetal des00

/>Пятница в 12:51
Тема:Расходятся результаты моделирования и синтеза
От:OparinVD

/>Пятница в 12:51
Тема:Расходятся результаты моделирования и синтеза
От:OparinVD

—>

Системы на ПЛИС — System on a Programmable Chip (SoPC)

разработка встраиваемых процессоров и периферии для ПЛИС

Модераторы раздела vetal des00 Omen_13

/>4 марта
Тема:T-Head OpenE902
От:makc

/>4 марта
Тема:T-Head OpenE902
От:makc

Цифровая обработка сигналов — ЦОС (DSP)

Последнее сообщение

—>

Сигнальные процессоры и их программирование — DSP

Обсуждение различных сигнальных (DSP) процессоров, возможностей, совместимости и связанных с этим тем.

Модераторы раздела des00

/>Четверг в 17:09
Тема:SAU510USB Iso-Plus
От:Alex11

/>Четверг в 17:09
Тема:SAU510USB Iso-Plus
От:Alex11

—>

Алгоритмы ЦОС (DSP)

Обсуждение вопросов разработки и применения (программирования) алгоритмов цифровой обработки сигналов.

Модераторы раздела des00

/>13 часов назад
Тема:организация семплирования
От:thermit

/>13 часов назад
Тема:организация семплирования
От:thermit

Микроконтроллеры (MCU)

Последнее сообщение

—>

Cредства разработки для МК

FAQ, How-to, тонкости работы со средствами разработки

Модераторы раздела haker_fox

IAR
Keil
GNU/OpenSource средства разработки

/>1 час назад
Тема:Not a genuine ST Device! Abort connection
От:zheka

/>1 час назад
Тема:Not a genuine ST Device! Abort connection
От:zheka

—>
Модераторы раздела haker_fox

STM
NXP
Microchip (Atmel)
TI, Allwinner, GigaDevice, Nordic, Espressif и другие

/>17 часов назад
Тема:T113-S3 LVDS и тайминги матриц
От:GenaSPB

/>17 часов назад
Тема:T113-S3 LVDS и тайминги матриц
От:GenaSPB

—>

RISC-V

Микроконтроллеры на базе ядер RISC-V, RISC-X

Модераторы раздела haker_fox

/>2 марта
Тема:Тайминги интерфейсов CH569/CH565
От:makc

/>2 марта
Тема:Тайминги интерфейсов CH569/CH565
От:makc

—>
Модераторы раздела haker_fox

/>28 февраля
Тема:DS1302 не тикает
От:borodach

/>28 февраля
Тема:DS1302 не тикает
От:borodach

—>

MSP430

Модераторы раздела VAI />haker_fox />

/>Вчера в 01:49
Тема:Реверс прошивки MSP430F67791A
От:Aries

/>Вчера в 01:49
Тема:Реверс прошивки MSP430F67791A
От:Aries

—>

Все остальные микроконтроллеры

и все что с ними связано

Модераторы раздела haker_fox

PIC
MCS51
PowerQUICC
HC(S)08
AVR32
STM8
MIPS

/>21 час назад
Тема:чем считать upsd3212cv-24u6 от st ?
От:tiretrak

/>21 час назад
Тема:чем считать upsd3212cv-24u6 от st ?
От:tiretrak

—>

Отладочные платы

Вопросы, связанные с отладочными платами на базе МК: заказ, сборка, запуск

Модераторы раздела haker_fox

Arduino
Raspberry Pi
Rainbow
Siberia
EVMxxxx

/>1 час назад
Тема:сборка usb модуля(*.ko) под самодельное устройст…
От:Igor68

/>1 час назад
Тема:сборка usb модуля(*.ko) под самодельное устройст…
От:Igor68

Печатные платы (PCB)

Последнее сообщение

—>

Разрабатываем ПП в САПР — PCB development

FAQ, вопросы проектирования в ORCAD, PCAD, Protel, Allegro, Spectra, DXP, SDD, WG и др.

Модераторы раздела SergM />fill />

Библиотеки компонентов
Altium Designer, DXP, Protel
P-CAD 200x howto
Эремекс, Delta Design
Cadence
Примеры
Zuken CADSTAR
Siemens EDA — Xpedition, PADS (ex. Mentor)
Бесплатные САПР: KiCAD, EasyEDA, EAGLE и др.

/>1 час назад
Тема:Altium Обновить десигнаторы в схеме
От:Uladzimir

/>1 час назад
Тема:Altium Обновить десигнаторы в схеме
От:Uladzimir

—>

Работаем с трассировкой

тонкости PCB дизайна, от Spectra и далее.

Модераторы раздела fill

/>17 февраля
Тема:Как правильно перевести скоростную дифф. пару с …
От:DSIoffe

/>17 февраля
Тема:Как правильно перевести скоростную дифф. пару с …
От:DSIoffe

—>

Изготовление ПП — PCB manufacturing

Фирмы, занимающиеся изготовлением, качество, цены, сроки

Модераторы раздела fill

ПСБ Технолоджи
ТеПро
PS-Electro
Резонит
PCB Professional
Абрис
ОАО "НИЦЭВТ"
ООО "М-Плата"
в домашних условиях

/>Пятница в 07:43
Тема:Новости Резонита
От:anton.pushkov

/>Пятница в 07:43
Тема:Новости Резонита
От:anton.pushkov

Сборка РЭУ

Последнее сообщение

—>

Пайка и монтаж

вопросы сборки ПП, готовых изделий, а также устранения производственных дефектов

/>4 минуты назад
Тема:Sn64 Ag1 Bi35 как RoHS нормально паяет?
От:makc

/>4 минуты назад
Тема:Sn64 Ag1 Bi35 как RoHS нормально паяет?
От:makc

—>

Корпуса

обсуждаем какие есть копруса, где делать и прочее

/>28 февраля
Тема:Моделирование силы продавливания платы
От:destroit

/>28 февраля
Тема:Моделирование силы продавливания платы
От:destroit

—>

Вопросы надежности и испытаний

расчеты, методики, подбор компонентов

/>Пятница в 09:15
Тема:Поверка контрольно-измерительного оборудования
От:borodach

/>Пятница в 09:15
Тема:Поверка контрольно-измерительного оборудования
От:borodach

Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника

Последнее сообщение

—>

Вопросы аналоговой техники

разработка аналоговых схем, моделирование схем в SPICE, расчёты и анализ, выбор элементной базы

Модераторы раздела Alexandr ViKo Tanya Егоров

/>37 минут назад
Тема:Измерительный 16-24 разрядный АЦП российского пр…
От:Plain

/>37 минут назад
Тема:Измерительный 16-24 разрядный АЦП российского пр…
От:Plain

—>

Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС

High Speed Digital Design

/>21 февраля
Тема:Влияние положительных и отрицательных выбросов (…
От:Plain

/>21 февраля
Тема:Влияние положительных и отрицательных выбросов (…
От:Plain

—>

RF & Microwave Design

wireless технологии и не только

Модераторы раздела l1l1l1

/>10 часов назад
Тема:Вопросы по HFSS
От:nicaraguanec

/>10 часов назад
Тема:Вопросы по HFSS
От:nicaraguanec

—>

Метрология, датчики, измерительная техника

Все что связано с измерениями: измерительные приборы (осциллографы, анализаторы спектра и пр.), датчики, обработка результатов измерений, калибровка, технологии измерений и др.

Модераторы раздела ViKo />Tanya />

/>Вторник в 10:19
Тема:Неблокирующее чтение из R&S ZNB? Кто-нибудь знае…
От:khach

/>Вторник в 10:19
Тема:Неблокирующее чтение из R&S ZNB? Кто-нибудь знае…
От:khach

—>

АВТО электроника

особенности электроники любых транспортных средств: автомашин и мотоциклов, поездов, судов и самолетов, космических кораблей и летающих тарелок.

Модераторы раздела Vasily_

/>4 марта
Тема:Провод для автомобильного компрессора
От:byRAM

/>4 марта
Тема:Провод для автомобильного компрессора
От:byRAM

—>

Умный дом

/>26 февраля
Тема:Как контролировать большое количество реле с пом…
От:mitya1698

/>26 февраля
Тема:Как контролировать большое количество реле с пом…
От:mitya1698

—>

3D печать

3D принтеры, наборы, аксессуары, ПО

/>21 декабря, 2022
Тема:slicer для 3d принтера
От:Variant99

/>21 декабря, 2022
Тема:slicer для 3d принтера
От:Variant99

—>

Робототехника

Модели, классификация, решения, научные исследования, варианты применения

/>31 марта, 2022
Тема:Подключение дисплея 3.2inch 320×240 Touch LCD (А…
От:Aaronli

/>31 марта, 2022
Тема:Подключение дисплея 3.2inch 320×240 Touch LCD (А…
От:Aaronli

—>

Ремонт и отладка

обсуждение вопросов ремонта и отладки различных устройств и готовых изделий

Модераторы раздела Herz

/>5 марта
Тема:Ремонт оссцилографа Hantek dso5102p — проблема с…
От:Zversky

/>5 марта
Тема:Ремонт оссцилографа Hantek dso5102p — проблема с…
От:Zversky

Силовая электроника — Power Electronics

Последнее сообщение

—>

Силовая Преобразовательная Техника

Источники питания электронной аппаратуры, импульсные и линейные регуляторы. Топологии AC-DC, DC-DC преобразователей (Forward, Flyback, Buck, Boost, Push-Pull, SEPIC, Cuk, Full-Bridge, Half-Bridge). Драйвера ключевых элементов, динамика, алгоритмы управления, защита. Синхронное выпрямление, коррекция коэффициента мощности (PFC)

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>Четверг в 23:24
Тема:Помогите рассчитать тор
От:Yuri7751

/>Четверг в 23:24
Тема:Помогите рассчитать тор
От:Yuri7751

—>

Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация

Организация обратных связей в цепях регулирования, выбор топологии, обеспечение стабильности, схемотехника, расчёт

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>17 сентября, 2022
Тема:Ограничение скорости нарастания сигнала ШИМ на д…
От:Alex-lab

/>17 сентября, 2022
Тема:Ограничение скорости нарастания сигнала ШИМ на д…
От:Alex-lab

—>

Первичные и Вторичные Химические Источники Питания

Li-ion, Li-pol, литиевые, Ni-MH, Ni-Cd, свинцово-кислотные аккумуляторы. Солевые, щелочные (алкалиновые), литиевые первичные элементы. Применение, зарядные устройства, методы и алгоритмы заряда, условия эксплуатации. Системы бесперебойного и резервного питания

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>18 января
Тема:Температура Li-ion аккумуляторов
От:maksimdag0

/>18 января
Тема:Температура Li-ion аккумуляторов
От:maksimdag0

—>

Высоковольтные Устройства — High-Voltage

Высоковольтные выпрямители, умножители напряжения, делители напряжения, высоковольтная развязка, изоляция, электрическая прочность. Высоковольтная наносекундная импульсная техника

Модераторы раздела Herz

/>7 февраля
Тема:Маломощный трансформатор 220В -> 6000
От:sanya221

/>7 февраля
Тема:Маломощный трансформатор 220В -> 6000
От:sanya221

—>

Электрические машины, Электропривод и Управление

Электропривод постоянного тока, асинхронный электропривод, шаговый электропривод, сервопривод. Синхронные, асинхронные, вентильные электродвигатели, генераторы

Модераторы раздела Herz

/>17 февраля
Тема:ABB DCS550-S02-0680-05 F508
От:Oleg_Gordzei

/>17 февраля
Тема:ABB DCS550-S02-0680-05 F508
От:Oleg_Gordzei

—>

Индукционный Нагрев — Induction Heating

Технологии, теория и практика индукционного нагрева

Модераторы раздела Herz

/>10 января
Тема:Тиристорный инвертор
От:Слесарь

/>10 января
Тема:Тиристорный инвертор
От:Слесарь

—>

Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems

Охлаждение компонентов, систем, корпусов, расчёт параметров охладителей

Модераторы раздела Herz

/>23 февраля
Тема:Тепловой расчет для КТ827А
От:Valery-m

/>23 февраля
Тема:Тепловой расчет для КТ827А
От:Valery-m

—>

Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation

Моделирование силовых устройств в популярных САПР, самостоятельных симуляторах и специализированных программах. Анализ устойчивости источников питания, непрерывные модели устройств, модели компонентов

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>8 февраля
Тема:Micro-Cap
От:Lnd

/>8 февраля
Тема:Micro-Cap
От:Lnd

—>

Компоненты Силовой Электроники — Parts for Power Supply Design

Силовые полупроводниковые приборы (MOSFET, BJT, IGBT, SCR, GTO, диоды). Силовые трансформаторы, дроссели, фильтры (проектирование, экранирование, изготовление), конденсаторы, разъемы, электромеханические изделия, датчики, микросхемы для ИП. Электротехнические и изоляционные материалы.

Модераторы раздела Herz />Егоров />

/>2 марта
Тема:Замена Infineon
От:Baza

/>2 марта
Тема:Замена Infineon
От:Baza

Интерфейсы

Последнее сообщение

—>

Форумы по интерфейсам

все интерфейсы здесь

ISDN/G.703/E1
ISA/PCI/PCI-X/PCI Express
Wireless/Optic
RS232/LPT/USB/PCMCIA/FireWire
Fast Ethernet/Gigabit Ethernet/FibreChannel
Интерфейсы для "интеллектуального дома"
от ТТЛ до LVDS здесь
IDE/ATA/SATA/SAS/SCSI/CF
Аудио/Видео интерфейсы
Сотовая связь и ее приложения
FAQ по XPort/WiPort
Controller Area Network (CAN)

/>Среда в 10:15
Тема:SIM800 RTC установить и узнать время
От:jcxz

/>Среда в 10:15
Тема:SIM800 RTC установить и узнать время
От:jcxz

Поставщики компонентов для электроники

Последнее сообщение

—>

Поставщики всего остального

от транзисторов до проводов

/>27 февраля
Тема:Shenzhen BLS electronics
От:Миша Чжу

/>27 февраля
Тема:Shenzhen BLS electronics
От:Миша Чжу

—>

Компоненты

Закачка тех. документации, обмен опытом, прочие вопросы.

Тех. документация
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Средства индикации

/>Вторник в 17:50
Тема:Документация Hi3516EV300
От:MaxBMSTU

/>Вторник в 17:50
Тема:Документация Hi3516EV300
От:MaxBMSTU

Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир

Последнее сообщение

—>

Обсуждение Майнеров, их поставки и производства

наблюдается очень большой спрос на данные устройства.

/>16 июля, 2021
Тема:Материнские платы для майнинга
От:Doka

/>16 июля, 2021
Тема:Материнские платы для майнинга
От:Doka

Дополнительные разделы — Additional sections

Последнее сообщение

—>