Как завести ddr4 3200 14 18 тайминги

«Спасибо за помощь, камрад!» Ускоряем игровой ПК на базе процессора AMD Ryzen

Привет, Гиктаймс! Мы продолжаем изучать взаимодействие Ryzen с оперативной памятью. Сегодня займемся практическими исследованиями и ответим на все главные вопросы.

Давно известно, что AMD Ryzen с медленной и быстрой «оперативкой» — это две совершенно разные в плане производительности системы. Давайте определим, какая DDR4-память лучше всего подходит игровым ПК на базе «красных» процессоров.

Именно сейчас можно смело сказать: процессоры Ryzen удались. AMD выпустила хорошие решения, которые действительно конкурируют с чипами Intel. Интересно, что возродившаяся конкуренция повлияла и на действия, предпринимаемые главным соперником «красных», — компанией Intel. Поэтому в 2018 году, скорее всего, среднестатистический современный игровой компьютер будет собран на базе 6- или 8-ядерного CPU (Ryzen или Coffee Lake) c DDR4-памятью.

Особенности игровой платформы AMD AM4

На сегодняшний день для платформы AMD AM4, которая поддерживает процессоры Ryzen 3, Ryzen 5 и Ryzen 7, предусмотрено несколько чипсетов: A320, B350 и X370. Главной ее особенностью, несомненно, является тот факт, что высокочастотная оперативная память поддерживается всеми материнскими платами без исключения — от самых дешевых до самых дорогих устройств. И этим надо пользоваться.

Двухканальный контроллер памяти DDR4, встроенный непосредственно в центральный процессор, поддерживает ОЗУ стандартов DDR4-2133, DDR4-2400 и DDR4-2666. Но есть один нюанс: работа на частоте 2666 МГц и выше возможна только для одноранговых модулей при условии их установки по одной планке в каждом канале.

В то же время, начиная с версии микрокода AGESA 1.0.0.6, материнские платы для чипов Ryzen поддерживают оперативную память с эффективной частотой вплоть до 4000 МГц. Когда-нибудь мы будем вспоминать этот стандарт с улыбкой на лице и думать, какими же медленными были компьютеры в тем времена, но сейчас, на закате 2017 года, наиболее оптимальными (в том числе и в плане цены) вариантами смотрятся киты ОЗУ, работающие в диапазоне частот 2666-3200 МГц. Именно с такими наборами памяти процессоры Ryzen проявляют свои лучшие качества. Об этом говорит сама AMD. Об этом говорят производители материнских плат.

Надо понимать, что рекомендации — это всего лишь рекомендации. Никто не запрещает использовать и более быстрые комплекты ОЗУ вместе с платформой AM4. Например, наш комплект памяти Kingston HyperX Predator HX433C16PB3K2/16 великолепно работает вместе с Ryzen. Используя материнскую плату ASUS ROG Crosshair VI Extreme, нам даже удалось «завести» этот набор ОЗУ на эффективной частоте 3466 МГц, не изменяя напряжения и таймингов.

Хочется того или нет, но высокочастотная оперативная память потихоньку становится неотъемлемой частью любого производительного ПК. Особенно, если этот компьютер собран на базе компонентов AMD Ryzen. Некоторые важные характеристики архитектуры Zen, применяемой в процессорах Ryzen, описаны в этой статье.

Во-первых, у чипов Ryzen очень медленно работает TLB-буфер. Во-вторых, частота работы встроенного северного моста Data Fabric жестко привязана к частоте работы оперативной памяти. Для лучшей синхронизации в Ryzen он всегда работает на частоте вдвое ниже эффективной частоты памяти. Получается, если в компьютере используется комплект оперативной памяти DDR4-2133, то Data Fabric работает на частоте 1066 МГц. Северный мост является одним из самых главных компонентов процессора Ryzen, так как именно он отвечает за взаимодействие CCX (CPU Complex) — кластеров, в которых размещены ядра и кеш. Чем меньше частота Data Fabric — тем хуже межъядерное взаимодействие в кристалле.

На сегодняшний день абсолютное большинство приложений используют несколько потоков, поэтому ускорение работы северного моста в процессорах Ryzen положительно сказывается в задачах любого рода — в том числе и в играх. Надо понимать, что AMD сама позиционирует платформу AM4 как игровую. Современные игры спокойно задействуют больше четырех потоков, а потому использование быстрой ОЗУ положительно сказывается на количестве FPS. К тому же все Ryzen-чипы — будь то четырехъядерные Ryzen 3, шестиядерные Ryzen 5 или восьмиядерные Ryzen 7 — оснащены двумя кластерами CCX, а потому использование высокочастотной оперативной памяти положительно скажется на быстродействии всех моделей без исключения. Пруфы предоставлены далее в статье.

Тестирование

Для проведения нашего небольшого эксперимента использовался стенд с процессором AMD Ryzen 7 1700, разогнанным до 3,9 ГГц, набором памяти Kingston HyperX Predator HX433C16PB3K2/16 и видеокартой NVIDIA GeForce GTX 1080. Кит ОЗУ запускался со следующими настройками:

• DDR4-2133 — тайминги 12-12-12-32, 14-14-14-34, 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
• DDR4-2400 — тайминги 12-12-12-32, 14-14-14-34, 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
• DDR4-2666 — тайминги 14-14-14-34, 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
• DDR4-2933 — тайминги 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
• DDR4-3200 — тайминги 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
• DDR4-3333 — тайминги 16-18-18-36 (XMP-профиль комплекта).

В стенде использовалась операционная система Windows 10 x64 Pro. Все игры запускались в разрешении Full HD с использованием пресета качества графики «Высокое» и отключенным сглаживанием. На графиках указан минимальный и средний FPS, замеренный при помощи программы FRAPS.

Основная тема заметки — игры, но давайте для большей наглядности добавим результаты тестирования в бенчмарках x265 и CINEBENCH R15. Как видите, увеличение частоты ОЗУ несколько ускоряет выполнение этих задач. Например, при переходе с DDR4-2133 до DDR4-3200 система при рендеринге в анимационном пакете CINEMA 4D стала быстрее на 3% при задержках CL16. В бенчмарке x265 наблюдается точно такая же ситуация. Вообще большой прирост производительности виден в таких задачах, которым необходимы большие объемы данных. К ним относятся архиваторы и графические редакторы. В этих приложениях разница между системами с разной «оперативной» может достигать 6-10 процентов.

Все, расходимся? Как бы не так! В играх наблюдается более интересная ситуация, особенно если в системе установлена производительная игровая видеокарта. Например, в GTA V, если сравнить систему с памятью DDR4-2133 CL16 с системой с DDR4-3200 CL16, наблюдается разница в 14% и 22% в среднем и минимальном FPS соответственно. Приличная разница, согласитесь.

Обратите внимание, какие просадки минимального фреймрейта появились в Battlefield 1 при использовании низкочастотной памяти с высокими таймингами (CL16, CL18). Вывод напрашивается сам: хотите комфортно играть в многопользовательские шутеры и избегать лагов в самые ответственные моменты — используйте хотя бы комплект ОЗУ DDR4-2666.

Задержки памяти тоже заметно влияют на производительность в играх, поэтому нельзя не учитывать этот момент. Однако на графиках видно, что в ряде случаев прибавка частоты ОЗУ работает эффективнее снижения таймингов.

Идеальный вариант для систем на базе чипов AMD Ryzen — это использование высокочастотной памяти с задержками не выше CL17/CL18.

Если в систему установить менее производительные четырехъядерный процессор Ryzen 5 1400, так же разогнанный до 3,9 ГГц, то вместе с видеокартой GeForce GTX 1080 эффект процессорозависимости будет наблюдаться заметно сильнее. Смотрите сами: система с DDR4-2133 уступает компьютеру с DDR4-3200 при одинаковых таймингах целых 15% в GTA V. В «Ведьмак 3» эта разница достигает 21%, а в «Assassin’s Creed: Истоки» — 23%. Получается, что игровым ПК с более бюджетными процессорами Ryzen использование высокочастотной ОЗУ даже важнее, так как нагрузка на ядра и кеш увеличивается.

*Во всех режимах использовалась память с таймингами 16-18-18-36.

Выводы

Надеемся, наш мини-эксперимент наглядно показал, что при сборке игрового ПК на базе платформы AMD AM4 и процессоров Ryzen в частности нельзя пренебрегать таким компонентов, как оперативная память. Даже в бюджетные системы необходимо устанавливать комплекты, работающие хотя бы на частоте 2666 МГц. Если же вы хотите получить максимум от своего игрового компьютера, то вам потребуется набор DDR4-3000+. Как видите, все очень просто.

Дальше будет ещё круче! Подписывайтесь и оставайтесь с нами!

Для получения дополнительной информации о продукции Kingston и HyperX обращайтесь на официальный сайт компании.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Альтернативные варианты

Установите WSL и Ubuntu.
В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
Далее: sudo apt-get install stressapptest
Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

3 = Micron
4 = Samsung
5 = Hynix
8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

1 = 2 Гб
2 = 4 Гб
3 = 8 Гб
4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
И следующие 2 цифры – год изготовления.
Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
* Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

* – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen	Ожидаемая частота (МГц)
1000	3000-3600
2000	3400-3800*
3000	3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
* – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
* – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
Asus: VDDCR SOC;
Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

«Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство

Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.

Эффективная частота передачи данных

Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.

Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.

Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.

Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons

Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.

В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.

Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.

Тайминги

CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.

По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.

Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:

Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.

Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.

Напряжение

В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются такие значения:

DDR2 — 1,8 В;
DDR3 — 1,5 В;
DDR4 — 1,2 В.

Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:

DDR2 — 2,3 В;
DDR3 — 1,8 В;
DDR4 — 1,5 В.

При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.

Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.

Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.

Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.

Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.

Любую ли оперативную память можно разогнать

Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.

Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.

Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.

Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.

Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.

Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.

Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.

Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.

Почистите компьютер

Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.

Установите ПО

Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:

— пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год. — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом. — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии. — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel. — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память. — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.

Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.

Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.

Определите характеристики оперативной памяти

В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.

Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Как настроить частоту ОЗУ в BIOS и как изменить время? И каковы преимущества таких изменений? Прочтите статью: ответит на все вопросы!

После установки ОЗУ может оказаться полезным изменить ее настройки. Фактически, без дополнительных настроек планки операторы могут работать с минимумом своих возможностей. А настроив оперативную память по своему усмотрению, вы можете ее разогнать — увеличить частоту. Это может улучшить производительность вашего компьютера. Однако стоит знать, что не все операционные системы и не все материнские платы поддерживают его. Так что, если вам нужна такая возможность, стоит позаботиться о ней перед покупкой комплектующих.

Совет: Если вы планируете самостоятельно установить новую отделку на свой компьютер, лучше всего устанавливать полные модели, такие как HyperX SO-DIMM DDR3, с теми же временами и частотами. В противном случае вариант с более высокой частотой будет автоматически работать со скоростью более медленного, или они будут конфликтовать, и вся система перестанет работать.

полный RAM

Примечание: пара флешек на 4 ГБ более эффективна, чем пара на 8 ГБ. Двухканальный режим дает возможность добиться увеличения производительности CPU на 5-10% и GPU — до 50%. Если на ПК 4 слота, а у пользователя два модуля, для активации многоканальности их следует установить через один.

Разгон оперативной памяти не так популярен, как разгон процессора и графического процессора, однако он может дать вам ощутимый прирост производительности. Главное правильно подобрать частоту, напряжение и сроки. Для этого есть специальные утилиты и таблицы.

Как узнать тайминги оперативной памяти

На производительность модулей памяти влияет не только частота, но и тайминги. Многие пользователи при выборе ОЗУ игнорируют этот параметр, а зря. Значения времени также определяют стабильность работы системы. Считается, что чем выше их значения, тем меньше вероятность выхода из строя, но при этом снижается производительность.

Времена — это временные задержки, которые происходят между передачей определенной команды шины памяти и ее фактическим выполнением. Проще говоря, эта функция показывает скорость, с которой данные передаются в модуле RAM.

Время памяти на наклейке

Время обычно указывается на наклейке на планке RAM в виде последовательности из 4 цифр, разделенных тире. Они отображают следующие значения по порядку:

CL (CAS Latency) — сколько времени прошло от отправки запроса в память до того, как он начал его обрабатывать;
tRCD (RAS to CAS Delay) — длительность периода активации для одной строки (RAS) и одного столбца (CAS) в матрице хранения данных;
tRP (RAS preload) — период времени, который начинается с команды деактивации одной линии и заканчивается активацией другой;
active to Precharge Delay (tRAS) — количество циклов ожидания, прежде чем может быть инициирован следующий запрос памяти.
CR или CMD (Command Rate) — сколько циклов требуется от включения микросхемы памяти до того, как она сможет получить команды. Он часто не указывается и равен 1 или 2 циклам (1T и 2T соответственно).

Чтобы узнать сроки, необязательно снимать боковую панель с корпуса ПК или разбирать ноутбук. Необходимую информацию можно просмотреть с помощью одной из утилит для чтения информации об установленных в системе компонентах. Для этого подойдет бесплатная программа CPU-Z. Для получения необходимой информации просто перейдите во вкладку «Память» и ознакомьтесь с содержанием раздела «Времена».

Время памяти в CPU-Z

Вот лучшая оперативная память 2021 года с учетом таких функций, как задержка, синхронизация, частота XMP и микросхема памяти.

На что влияют тайминги оперативной памяти?

F4-3200C14D-16GTZRX

G.SKILL Trident Z

Частота памяти — не единственный показатель, на который следует обращать внимание при выборе ОЗУ. У каждого модуля есть определенные времена или задержки, которые показывают, сколько тактов потребуется в памяти для выполнения определенной операции. Чем меньше значение times, тем выше производительность.

В свою очередь, времена делятся на основные и второстепенные, установка которых также может улучшить производительность. Правда, для начинающих пользователей это может оказаться непосильной задачей, но здесь на помощь приходит специальный профиль Extreme Memory Profile (XMP). Содержит проверенные и стабильные настройки частоты и времени. Главное не забыть активировать его в BIOS материнской платы.

Поэтому при выборе оперативной памяти учитывайте не только ее частоту, но и время, в течение которого она работает. Например, модули с частотой 3200 МГц и первичными таймингами 14-14-14-34 явно предпочтительнее модулей с частотой 3600 МГц и таймингами 19-20-20-40. Первый будет работать лучше, особенно на процессорах AMD Ryzen.

Полное руководство по разгону оперативной памяти: частота, настройки таймингов, полезное ПО

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (микросхемы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты получаются на материнских платах с 2 слотами DIMM.
На материнских платах с 4 слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
- На материнских платах, которые работают с микроархитектурой RAM с последовательным подключением, лучше всего использовать 2 полосы памяти. Использование 4 полосок позволяет значительно снизить максимальную частоту памяти.
- С другой стороны, материнские платы с Т-образной топологией обеспечат наилучшую производительность при разгоне с четырьмя полосами. А использование двух полосок не повлияет на максимальную скорость памяти так сильно, как использование четырех полос в цепочке (?).
- Большинство поставщиков не указывают, какая топология используется, но ее можно «рассчитать» на основе списка квалифицированных поставщиков (QVL), поставляемого с материнской платой. Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует топологию T, так как самая высокая частота демонстрируется при использовании 4 модулей DIMM. Если максимальная частота демонстрируется на 2 модулях DIMM, вероятно, используется топология гирляндного подключения.
- По словам известного оверклокера buildzoid, разница между Т-образной и гирляндной топологиями проявляется только на частотах выше 4 ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, топология не имеет значения, поскольку обычно составляет 3,8 ГГц максимум для частоты памяти при соотношении MCLK: FCLK 1: 1.
также было отмечено, что недорогие материнские платы могут не разогнаться, возможно, из-за плохого качества печатной платы и недостаточного количества слоев (?).

Микросхемы (чипы памяти)

Отчеты о горелке Thaiphoon

Судя по всему, Micron продает выброшенные некачественные чипы под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип «Micron E-die» или просто «E-die». Если в первом случае все было нормально, то во втором уже есть путаница, поскольку в микросхемах Samsung используется аналогичная маркировка («letter-die»), например «Samsung E-die на 4 ГБ». «E-die» обычно означает чип Samsung, поэтому стоит проверить производителя на наличие чипов Micron Rev. И это как «E-die”.
- Одноранговые модули обычно позволяют использовать более высокие частоты, однако двойные одноранговые модули с одинаковой частотой и синхронизацией могут быть более эффективными из-за чередования рангов.
- Размер важен для определения того, сколько памяти можно разогнать. Например, 4 ГБ AFR и 8 ГБ AFR будут разгоняться по-разному, несмотря на то, что оба являются AFR.
Масштабирование напряжения просто означает, как микросхема реагирует на изменение напряжения. Во многих интегральных схемах tCL масштабируется по напряжению, что означает, что увеличение напряжения может позволить снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем обычно не масштабируются с напряжением, это означает, что независимо от подаваемого напряжения эти времена не меняются. Насколько мне известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (или не могут) видеть масштабирование напряжения. Точно так же, если синхронизация масштабируется с напряжением, это означает, что напряжение может быть увеличено, чтобы соответствующая синхронизация работала на более высокой частоте.

Шкала напряжения CL11

График показывает, что tCL CJR 8 ГБ масштабируется с напряжением почти точно до 2533 МГц. На кристалле B мы видим идеально ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые микросхемы Micron (до Rev. E) известны своим масштабированием отрицательного напряжения. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35В) они становятся нестабильными при тех же временах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных микросхем, показывающая, какие времена масштабируются с учетом напряжения, а какие нет:

Чип tCL tRCD tRP tRFC

8 ГБ AF Ага Нет Нет ?

8 ГБ CJR Ага Нет Нет Ага

8 ГБ Rev. E Ага Нет Ага ?

8 ГБ Die B Ага Ага Ага Ага

Время, которое не зависит от напряжения, обычно необходимо увеличивать с увеличением частоты. Масштабирование напряжения TRFC для матрицы B.

Примечание: шкала tRFC указывается в тиках, а не во времени (нс).

Максимальная ожидаемая частота

Ниже представлена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип Максимальная ожидаемая частота (МГц)

8 ГБ AF 3600

8 ГБ CJR 4000*

8 ГБ Rev. E 4000+

8 ГБ Die B 4000+

* — результаты теста CJR оказались несколько противоречивыми. Я протестировал 3 идентичных бинарных файла RipJaws V 3600 CL19 объемом 8 ГБ. Один из них работал на частоте 3600 МГц, другой — на 3800 МГц, а последний был способен работать на частоте 4000 МГц. Тест проводился на CL16 с напряжением 1,45 В.

Не ждите, что чипы производителя, одинаковые, но разного качества, одинаково хорошо разгонятся. Особенно это касается B-die.

Суть биннинга заключается в разделении производителем получаемой на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по частоте, продемонстрированной во время теста.

Производитель разделяет микросхемы, отображающие одну частоту в одном «квадрате», другую частоту в другом «квадрате». Отсюда и название процедуры — «биннинг» (bin — ящик, ящик).

Гайка Б из ящика «2400 15-15-15» намного хуже, чем из ящика «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что кристалл третьего класса B обеспечит образцовые характеристики масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какая из тех же микросхем имеет лучшую производительность при одинаковом напряжении, необходимо найти время, не соответствующее шкале напряжений.

Просто разделите частоту на это время, и чем выше значение, тем выше качество микросхемы. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 являются Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на временную шкалу tCL, измеренную по напряжению, мы получим то же значение (200). Значит ли это, что обе платы одинакового качества? Нет.

Но tRCD не масштабируется с напряжением, поэтому его необходимо увеличивать с увеличением частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, 3000 15-16-16 — более качественная микросхема, чем 3200 16-18-18. Это означает, что 3000 чипов 15-16-16, очевидно, могут работать как 3200 16-18-18, но если 3200 16-18-18 могут работать как 3000 15-16-16, это не факт. В этом примере разница в частоте и времени невелика, поэтому при разгоне эти уровни, скорее всего, будут очень похожими.

Максимальный рекомендуемый дневной стресс

В спецификации JEDEC указано (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжение выше указанного в разделе «Абсолютные максимальные значения» может привести к повреждению устройства. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства в тех или иных условиях, превышающих указанные в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Получение абсолютных высших рейтингов в течение длительного периода может повлиять на надежность.

Я бы рекомендовал использовать напряжение 1,5 В только на кристалле B, поскольку известно, что он выдерживает высокие напряжения. Однако большинство популярных микросхем (4/8 ГБ AFR, 8 ГБ CJR, 8 ГБ Rev. E, 4/8 ГБ MFR) имеют максимальное рекомендуемое напряжение 1,45 В. Сообщалось, что некоторые менее известные микросхемы, такие как 8 ГБ C -die, иметь отрицательное масштабирование или даже сжечь выше 1,20 В. Однако это зависит от вас.

Ниже приведена классификация наиболее распространенных микросхем с точки зрения частоты и времени.
- 8 ГБ B-die> 8 ГБ Micron Rev. E> 8 ГБ CJR> 4 ГБ E-die> 8 ГБ AFR> 4 ГБ D-die> 8 ГБ MFR> 4 ГБ S-die. На основе рейтингов buildzoid.
Встроенный контроллер памяти (IMC)

IMC от Intel довольно стабилен, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну чего еще ждать от 14 +++++ нм?

Для разгона оперативной памяти необходимо изменить два напряжения: системный агент (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в автоматическом режиме, так как они могут подавать опасные уровни напряжения на BMI, что может ухудшить его работу или даже сжечь. В большинстве случаев вы можете оставить VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда скачок напряжения может нарушить стабильность, как вы можете видеть на скриншоте:

предоставлено: Silent_Scone.

Я бы также не рекомендовал повышать напряжение на 1,25 В.

Ниже приведены рекомендуемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц) VCCSA / VCCIO (B)

3000-3600 1,10 — 1,15

3600–4000 1,15 — 1,20

4000+ 1,20 — 1,25

Если присутствует несколько модулей и / или используются двухранговые модули, могут потребоваться более высокие напряжения VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16 и tRP на 17, оба будут работать с более высоким временем (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы не работают на Intel и почему B-die лучше подходит для Intel.

В UEFI Asrock и EVGA оба времени объединены в tRCDtRP. ASUS tRP скрыт в UEFI. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения просто приведет к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон задержки памяти: 40-50 нс.

В Ryzen 1000 и 2000 IMC немного суетливо относится к разгону и может не обеспечивать такую высокую тактовую частоту, как Intel. Ryzen 3000 IMC намного лучше и более или менее соответствует Intel.

Напряжение SoC — это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в автоматическом режиме. Здесь 1.0 — 1.1 В достаточно, выше поднимать нет смысла.

На Ryzen 2000 (и, возможно, 1000 и 3000) напряжение выше 1,15 В может негативно повлиять на разгон.

Ryzen 3000 также имеет CLDO_VDDG (не путать с CLDO_VDDP), который является напряжением для Infinity Fabric. Я читал, что напряжение SoC должно быть как минимум на 40 мВ выше, чем CLDO_VDDG, но я не смог найти другой информации об этом напряжении.

1,01 В. Аналогично, если вы установите VDDG на 1,10 В и начнете увеличивать напряжение SoC, напряжение VDDG также увеличится. У меня нет точных цифр, но мы можем предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. В результате, ФАКТИЧЕСКОЕ напряжение SoC должно быть как минимум на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы настройка VDDG вступила в силу. Регулировка только напряжения SoC, в отличие от других регулировок, мало что дает. По умолчанию установлено 1,10 В, и AMD не рекомендует изменять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть возможен при 0,95 В по умолчанию, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1100 — 1125 В SoC, в зависимости от нагрузки)."

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем с материнской платой и микросхемами:

Райзен Ожидаемая частота (МГц)

1000 3000-3600

2000 г 3400–3800*

3000 3600-3800 (1: 1 MCLK: FCLK)
3800+ (2: 1 MCLK: FCLK)

Если присутствует несколько модулей и / или используются двухранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
- * — 3600+ обычно достигается с 1 DIMM на канал (DPC), используются материнские платы с 2 слотами DIMM и очень хорошим IMC. Посмотреть таблицу
- * — 3400-3533 МГц — это максимум, если не все, на что способен Ryzen 2000 IMC.
  «Количество образцов, испытанных на максимально возможной частоте, распределилась следующим образом: 3400 МГц — 12,5% образцов; 3466 МГц — 25,0%; 3533 МГц — 62,5%». Источник: кулики
Процессоры Ryzen 3000 с двумя чиплетами CCD (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговых полосы вместо двух двухранговых.

«Для моделей с двумя CCD конфигурация« 2 одноранговых модуля DIMM на канал »представляется наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли UCLK на частоте 1800 МГц в конфигурации« 1 двухранговый модуль DIMM на канал », но 3900X скорее всего, из-за несовпадения двух ПЗС-матриц, в этой конфигурации было едва ли возможно достичь 1733 МГц. В то время как с двумя одноранговыми узлами на канал нет проблем с достижением FCLK / UCLK на 1866 МГц.»

Источник: кулики

Режим пониженной передачи (GDM) автоматически включается на частотах выше 2666 МГц для обеспечения четности tCL, четности tCWL и CR 1T. Если вы хотите установить нечетное tCL, отключите GDM. Если работа нестабильна, попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет улучшение производительности за счет уменьшения tCL.
- Например, если вы попытаетесь запустить 3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16.
- С точки зрения производительности это выглядит так: GDM деактивирован CR 1T> GDM активирован CR 1T> GDM деактивирован CR 2T.
Процессоры Ryzen 3000 с ПЗС-матрицей (процессоры серии ниже 3900X) имеют половину полосы пропускания записи.

«Мы видим что-то странное в пропускной способности памяти: скорость записи AMD 3700X — которая имеет скорость записи 16 байт / цикл благодаря комбинации кристаллов CDD и IOD — вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это экономит энергию , снижает тепловыделение процессора (TDP), которого пытается добиться AMD. AMD утверждает, что приложения редко выполняют чистую запись, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

Источник: TweakTown

Райзен Задержка (нс)

1000 65–75

2000 г 60-70

3000 65-75 (1: 1 MCLK: FCLK)
75+ (2: 1 MCLK: FCLK)

Достаточно высокий показатель Ryzen 3000 FCLK может компенсировать потери из-за рассинхронизации MCLK и FCLK, если MCLK может быть назначен UCLK.

Время RAM — параметр, о котором часто забывают при выборе планок RAM; что они собой представляют, каковы их лучшие ценности, каковы последствия «задержек» и как.

И какое это значение имеет для моего компьютера?

Представьте, что, купив давным-давно ноутбук, вы решили добавить еще одну флешку к уже имеющейся. Помимо прочего, по прикрепленной этикетке или по программам помощи можно установить, что модуль относится к категории CL-9 (9-9-9-24) по срокам):

То есть этот модуль будет предоставлять информацию ЦП с задержкой в 9 условных циклов — вариант не самый быстрый, но и не самый плохой. Поэтому нет смысла зацикливаться на покупке планки с меньшей задержкой (и, по идее, с более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых 4, 5 и 7 петель соответственно.

Как вы узнаете из статьи «Как выбрать оперативную память? В параметрах синхронизации есть еще одна важная вещь:
- CL — CAS Delay — время, проведенное в цикле «модуль получил команду — модуль начал отвечать». Именно этот условный период затрачивается на ответ процессора от модуля (s
- tRCD — Delay from RAS to CAS — время, необходимое для активации строки (RAS) и столбца (CAS) — здесь данные хранятся в матрице (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
- tRP — fill (load) RAS — время прекратить доступ к одной строке данных и начать доступ к следующей
- tRAS — указывает, как долго сама память должна будет ждать следующего обращения к себе
- CMD — Command Rate — время, проведенное в цикле «чип активирован — получена первая команда (или чип готов принять команду)». Иногда этот параметр опускается: это всегда один или два цикла (1T или 2T).
«Участие» некоторых из этих параметров в принципе расчета скорости ОЗУ также можно выразить следующими числами:

Также вы можете рассчитать задержку до того, как полоска начнет отправлять данные. Здесь работает простая формула:

Время задержки (с) = 1 / частота передачи (Гц)

Итак, из рисунка с CPUD можно подсчитать, что модуль DDR 3, работающий на частоте 665-666 МГц (половина от заявленного производителем значения, т.е. 1333 МГц) даст примерно:

1/666000000 = 1,5 нс (наносекунды)

период полного цикла (время такта). Теперь посчитаем задержку для обоих вариантов, представленных на рисунках. С таймингами CL-9 модуль будет выдавать «тормоза» с периодом 1,5 x 9 = 13,5 нс, с CL-7: 1,5 x 7 = 10,5 нс.

Что можно добавить к изображениям? Из них видно, что чем короче цикл зарядки PAC, тем быстрее будет работать сам модуль. Поэтому общее время с момента отправки команды на «загрузку» ячеек модуля и фактического приема данных модулем памяти рассчитывается по простой формуле (все эти показатели должны выдаваться такими утилитами, как CPU -Z):

Как видно из формулы, чем ниже каждый из указанных вами параметров, тем быстрее будет работать ваша оперативная память.
Похожие публикации:

Райзен	Задержка (нс)
1000	65–75
2000 г	60-70
3000	65-75 (1: 1 MCLK: FCLK) 75+ (2: 1 MCLK: FCLK)

Как завести ddr4 3200 14 18 тайминги

«Спасибо за помощь, камрад!» Ускоряем игровой ПК на базе процессора AMD Ryzen

Особенности игровой платформы AMD AM4

Тестирование

Выводы

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

Подготовка

Утилиты тестирования памяти

Не рекомендуется

Рекомендуется

Альтернативные варианты

Сравнение

Работа и настройка таймингов

Бенчмарки (тест производительности)

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Ожидания и ограничения

Материнская плата

Чипы памяти

Отчёты Thaiphoon Burner

Наклейки на модулях

Corsair: код номера версии (Version Number)

G.Skill: код «042»

Kingston

О рангах и объёме

Масштабирование напряжения

Ожидаемая максимальная частота

Биннинг

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Ранговость

Температура и её влияние на стабильность

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

AMD: AM4

Разгон

Нахождение максимальной частот

Пробуем повысить частоты

Оптимизация таймингов

Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство

Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

Эффективная частота передачи данных

Тайминги

Напряжение

Любую ли оперативную память можно разогнать

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Почистите компьютер

Установите ПО

Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

Как разогнать оперативную память в BIOS

Определите характеристики оперативной памяти

Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Как узнать тайминги оперативной памяти

На что влияют тайминги оперативной памяти?

Ожидания и ограничения

Материнская плата

Микросхемы (чипы памяти)

Встроенный контроллер памяти (IMC)

И какое это значение имеет для моего компьютера?

Добавить комментарий Отменить ответ