Как уменьшить латентность памяти ддр4

3

(РЕШЕНО)Latency 83.5, помогите понизить пожалуйста

Предлагаю сделать отдельный загон для райзен страдальцев, особенно 1600-2600х. Как ни зайду на ДТФ, пару тем в день с такой проблемой. Никак вы млять не научитесь. Первые райзены, это обкатка. Там косяков и багов тонны, АМД только к 5ххх серии их пофиксили. И то не все полностью. Ничего тут не сделаешь, тайминги-хуяйминги, разгон не разгон получишь тоже самое. Менять надо на 3600, а лучше сразу на 5600х и все. Другого выхода нет. Остальное мало эффективно и не поможет. Аминь.
Дабы никто не говорил что интелобой или хейтер, два разных ПК дома собраны на резине — 5900х и 5600х, никаких проблем не наблюдаю.

Для начала разгони память, райзен 1600(аф это грубо говоря 2600) без разгона памяти, это самоубийство.

75-85 для рязани первых версий является абсолютной нормой.

Мне правда интересно, что это за новый прикол, что люди которые даже не разгнали память волнуются про латентность?

Как понизить латентность оперативной памяти DDR4

Каждый компонент персонального компьютера вносит свой вклад в уровень итоговой производительности системы. Это и процессор, и видеокарта, и жёсткий диск, и конечно оперативная память. Главными характеристиками памяти является её тип, частота и тайминги.

Тайминги памяти — величина довольно абстрактная, это не секунды или миллисекунды. Это такты. Но главное (с чем напрямую связаны тайминги памяти) — это латентность памяти. Латентность памяти — время, затрачиваемое процессором на получение байта информации из оперативной памяти. В этой статье мы разберемся как понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen.

Что лучше — латентность или частота работы памяти

Латентность оперативной памяти для Ryzen может быть вычислена с помощью специальных тестов производительности. На этикетке продаваемых модулей памяти величина затрачиваемого на обмен информацией времени между процессором и модулем памяти показана в виде набора таймингов. Основные из них: CL, T_RCD, T_RP и T_RAS (для DDR4 T_RAS неактуален), иногда к ним ещё добавляется пятый параметр — Command rate.

Частота влияет на пропускную способность памяти. Если для выполнения задачи достаточно и просто пропускной способности с запасом, то ещё больше ускорить выполнение такой задачи может помочь лишь снижение латентности памяти.

Также латентность играет важную роль в задачах, в которых нужен максимально быстрый отклик на действия пользователя или других программ.

Как уменьшить латентность памяти Ryzen

Лучше покупать разогнанные модули памяти с предустановленными в них профилями XMP. Такой профиль сразу позволит использовать минимальные тайминги для данного модуля, активировав его в настройках BIOS материнской платы.

Вариант посложнее — купить обычную неразогнанную память с хорошими чипами от Samsung, Hynix или Micron и самому настроить тайминги памяти. Для процессоров Ryzen имеется утилита DRAM Calculator for Ryzen, позволяющая подобрать тайминги памяти и тем самым снизить латентность (см. статью об утилите: Как пользоваться Ryzen DRAM Calculator).

Попробуем добиться некоторого снижения латентности памяти в обычных модулях, без XMP.

1. Тестирование до снижения латентности

Ещё до коррекции таймингов памяти проведём тестирование времени отклика (латентности) с помощью Теста кэша и памяти утилиты AIDA64:

И ещё сделаем это с помощью теста MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

2. Технические особенности модулей памяти

С помощью программы Thaiphoon Burner мы можем более подробно посмотреть характеристики модулей памяти. Данные модули используют микросхемы Micron MT40A1G8SA-062E:J.

Для этих микросхем есть техническая документация в Интернет. В ней имеются интересующие нас технические характеристики:

• 1G8: Configuration — 1 Gig x 8;
• SA: 78-ball 7,5 мм x 11,0 мм FBGA;
• -062E: CK = 0.625 нс, CL = 22;
• :J: Die Revision — :J.

Электрические спецификации данных чипов памяти следующие:

• VDD: от -0,4 В до 1,5 В;
• TSTG: от -55 о С до 150 о С.

При этом рекомендуемая температура не должна превышать 85 о С.

Из показанного выше следует: мы можем аккуратно повышать напряжение до 1,4 В, если при этом будем соблюдать безопасный температурный режим памяти.

Внимание: повышение напряжения влечёт за собой серьёзный нагрев чипов! Для того, чтобы избежать этого, необходимо купить для них специальные радиаторы и установить их на модули памяти. В противном случае из-за повышенных температур возможна деградация чипов памяти и, соответственно, выход модулей из строя.

В процессе изучения спецификаций чипов памяти сравнивались чипы B-die и J-die, в следствие чего были сделан вывод, что отличаются данные чипы только диапазоном температур (у J-die диапазон более широкий) и разными токами, но незначительно. В интерфейсе утилиты DRAM Calculator for Ryzen нет опции выбора чипов J-die, поэтому мы выберем в разделе Memory Type чипы Micron E/H-die, так как они в данной серии являются, судя по документации, наиболее некачественными.

3. Подбор таймингов — профиль V1

Как было сказано выше, подбирать тайминги чтобы снизить латентность памяти мы будем с помощью утилиты DRAM Calculator for Ryzen. Перейдите на вкладку Main, выберите характеристики вашего оборудования:

• Processor: ZEN + AM4. Процессор в моём компьютере Ryzen 2700.
• Memory Type: Micron E/H-die.
• Profile version: V1.
• Memory Rank: 1. Данные модули памяти одноранговые.
• Frequency (MT/s): 2933 МГц. Чипы могут функционировать и при гораздо более высоких частотах. Однако, так как нашей целью является уменьшение задержек, выбрана именно данная частота — для неё не нужно дополнительно настраивать контроллер памяти в процессоре (см. статью о разгоне памяти: Как разогнать память на Ryzen).
• BCLK (100-104.8): 100 МГц.
• DIMM Modules: 2 модуля.
• Motherboard: B350/X370.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Программа выдаёт следующие результаты для выбранных нами стартовых параметров:

Теперь необходимо зайти в настройки BIOS (UEFI) компьютера и установить вычисленные нами ранее значения.

После установки этих значений наш стендовый компьютер, к сожалению, отказался загружаться. Вычисленные тайминги не подошли. С помощью джампера сбрасываем настройки BIOS до заводского состояния (см. статью: Как сбросить BIOS на заводские настройки). Затем надо попытаться подобрать тайминги по втором профилю. Данная версия профиля рекомендуется для менее качественных чипов памяти.

4. Подбор таймингов — профиль V2

Перезагрузив Windows, вновь запускаем утилиту DRAM Calculator for Ryzen, выбрав ваши параметры:

• Processor: ZEN + AM4 — поколение и сокет вашего процессора.
• Memory Type: Micron E/H-die — Производитель и B-Die ревизия чипов вашей памяти, которую вы узнали из утилиты Thaiphoon Burner.
• Profile version: V2 — версия профиля.
• Memory Rank: 1 — количество рангов вашей памяти, обычно 1.
• Frequency (MT/s): 2933 МГц — частота, которая должна получиться после разгона памяти.
• BCLK (100-104.8): 100 МГц — частота работы шины материнской платы, по умолчанию 100 МГц.
• DIMM Modules: 2 — количество модулей оперативной памяти в вашей системе.
• Motherboard: B350/X370 — чипсет вашей материнской платы.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Получаем следующие результаты:

Перезагружаем компьютер, вносим изменения в значения таймингов, опять перезагружаем компьютер, загружаем настройки BIOS. Теперь компьютер работоспособен.

5. Тонкий подбор таймингов памяти

Так как между сформированными с помощью профилей V1 и V2 наборами таймингов может быть достаточное количество промежуточных вариантов, непосредственно в BIOS пробуем потихоньку уменьшать значения, взятые из рассчитанных для профиля V2, до значений аналогичных таймингов, рассчитанных для профиля V1.

Есть основные тайминги: tCL, tRCDWR, tRCDRD, tRP, tRAS и CL. Их сначала не трогаем. Остальные тайминги устанавливаем в значения, рассчитанные для V1. Проверяем работоспособность компьютера. Если компьютер работает корректно, меняем по одному указанные выше тайминги и проверяем каждый раз работоспособность. В случае, если работоспособность оказалась нарушена, откатываемся на шаг назад.

Опытным путём выясняем, что тайминги для профиля V1 работоспособны с отличием всего в одном параметре: значение tRP — вместо 14 должно равняться 15. Именно к настройкам, рассчитанным для профиля V1, следует стремиться максимально приблизиться — они наиболее интересны в плане производительности, в то время как тайминги для профиля V2 — скорее усреднённые, более безопасные.

Скриншоты с выполненными настройками:

Теперь вы знаете как понизить латентность памяти, сделаем ещё немного тестов.

6. Проверка табильности

После завершения настройки параметров памяти конечно же необходимо протестировать стабильность её работы. Для этого можно использовать Тест стабильности системы утилиты AIDA64, его составляющие:

• Stress CPU;
• Stress FPU;
• Stress cache;
• Stress system memory.

Нажимаем кнопку Start. Тест пройдён не был.

Перезапускаем компьютер, заходим в настройки BIOS и повышаем параметр напряжения DRAM Voltage до 1,36 В.

Сохраняем настройки BIOS и перезагружаемся. Вновь запускаем Тест стабильности системы утилиты AIDA64. Тест вновь завершён с ошибкой.

Опять в настройках BIOS немного повышаем значение параметра DRAM Voltage, но не выше чем максимальное возможное для ваших чипов памяти. В данном случае до 1,39 В, опять перезагружаемся и запускаем тест.

Опять ошибка. После этого перезагружаем компьютер и немного увеличиваем в настройках BIOS значения для таймингов tRCDWR и tRCDRD, например:

• tRCDWR: 15;
• tRCDRD: 18.

Перезагружаемся и запускаем тот же тест. Стресс-тест выполнялся 7 минут, ошибок обнаружено не было. Далее попробуем снизить значение параметра напряжения питания памяти DRAM Voltage, например, к значению 1,34 В.

Перезагрузка и выполнение теста. Процесс длился 7 минут, ошибок не было.

7. Тестирование после снижения латентности

После выполнения всех тестов необходимо оценить результаты выполнения всех настроек функционирования оперативной памяти для снижения задержек чтобы понять насколько снизилась латентность оперативной памяти для Ryzen Для этого выполним вновь Тест кэша и памяти утилиты AIDA64:

Кроме этого выполним ещё и тест MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

Для сравнения с другими процессорами можно дополнительно выполнить тест Задержка памяти утилиты AIDA64:

Сравним полученный уровень латентности памяти до и после подбора таймингов.

• AIDA 64: 79,7 нс;
• Ryzen DRAM CalculatorMEMbench: 102,6 нс.

• AIDA 64: 72,6 нс;
• Ryzen DRAM CalculatorMEMbench: 92,1 нс.

Наглядно это видно на скриншоте:

Итак, по данным утилиты AIDA64 нам удалось уменьшить латентность памяти Ryzen на 8,91 %, а по данным утилиты DRAM Calculator for Ryzen — на 10,23 %.

В тесте Задержка памяти утилиты AIDA64 наш процессор AMD Ryzen 7 2700 по латентности оперативной памяти обошёл занесённый в базу процессор AMD Ryzen 7 2700X и почти догнал Intel Core i7-5820K.

Выводы

Сегодня на практике мы изучили такое понятие, как латентность памяти для Ryzen. Фактически был построен новый профиль XMP для использованных нами конкретных модулей памяти. Используя эту инструкцию, вы также можете понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen на своем компьютере, если желаете иметь максимальную отзывчивость системы. Также данная инструкция будет полезна тем, кто уже разогнал память по параметру частоты. В таком случае дальнейший рост производительности возможен только при снижении уровня латентности памяти (уменьшении таймингов памяти).

Как понизить тайминги оперативной памяти ddr4

Оперативная память — это временное хранилище данных, которые подвергаются обмену между жестким диском и центральным процессором. Также ее можно использовать как резерв объема памяти для интегрированных графических адаптеров. Это одна из главных составляющих в системе, без которой не запустится компьютер.

Ее показатели могут многое поведать о возможностях оперативной памяти. Например, чем выше цифра в поколении, тем выше будут номинальные частоты. Тайминги задержки показывают, сколько времени понадобится оперативной памяти для обработки информации. Частота отвечает за быстродействие системы. Объем также имеет большое значение, так как чем он больше, тем больше данных одновременно сможет обработать ОЗУ.

Советы специалистов

При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие "прожорливые" программы и приложения. В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных. Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.

Что это такое и для чего необходимо

Прежде чем начинать разгон оперативной памяти DDR4, нужно прояснить некоторые нюансы. ОП — это то устройство, которое меньше всего подвергается износу, в отличие от остальных комплектующих в системе. Однако, устроив разгон оперативной памяти DDR4, можно значительно уменьшить ее срок функционирования.

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти.

Есть три составляющие, которые влияют на разгон оперативной памяти DDR4 — это формат оперативной памяти и ее параметры, разновидность процессора и БИОС материнской платы. Также нужно учитывать профиль ОЗУ, который маркируется как ХМР. Данный профиль указывает на разгонный потенциал оперативной памяти. Существует немало процессоров нового поколения, которые способны раскрыть потенциал ОЗУ, используя встроенный контроллер памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Описание для тестирования Kingston HyperX Fury

Первый пример разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX Fury тестируется в комплекте планок в размере четырех штук, а их общий номинал составляет 64 гигабайта. Для тестирования используется игровая материнская плата ASUS ROG RAMPAGE V EDITION 10.

Итак, четыре планки по 16 гигабайт каждая обладают специальным профилем XMP для разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX. Работают эти планки с частотой до 2133 мегагерц, а задержка составляет 14-14-14-35-2Т. Несмотря на такие мощные показатели, входное напряжение составляет всего 1,2 ватта.

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа. Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т.

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами "Сокет 2011-3" и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Программа для тестирования ОЗУ

С помощью утилиты AIDA64 можно провести бенчмарк оперативной памяти. Скорость чтения данных составляет 46747 мегабайт в секунду, а скорость записи информации равна 58422 мегабайта в секунду. Не менее важен показатель, который отвечает за копирование данных, — его скорость равна 48813 мегабайта в секунду.

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в "Диспетчер устройств" или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня "80+".

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Выбор оперативной памяти для рабочего или игрового ПК – головная боль для тех, кто хочет одновременно получить максимум производительности и не опустошить свой кошелёк. Нет, сегодня мы не будем в очередной раз говорить «такая-то память стоит столько и является оптимальным выбором». На примере двух новых комплектов HyperX мы покажем, каким образом можно добиться прироста производительности на платформе AMD без лишних вложений, хоть и с определёнными затратами времени. А уменьшение времени выполнения задачи позволяет выполнять больше работы за тот же период времени. Профит!

Материалов с использованием рассматриваемых сегодня комплектов HyperX будет два. Первый вы уже читаете – он будет посвящён работе с платформой AMD. Второй же будет немного позже. В нём мы изучим возможности этой памяти на платформе Intel. Всё это постараемся изложить в максимально дружелюбной форме, чтобы не перегружать вас большим количеством бесполезной (для подавляющего большинства) информацией, но расскажем общую концепцию, поэтому время зря вы не потратите.

Многие владельцы процессоров Ryzen 3000-й серии, кто собирал систему сам или же принимал непосредственное участие в выборе комплектующих, могут сказать: «Да в сети есть специальные калькуляторы для настройки памяти, нажму кнопку – и всё готово». На эту тему можно ответить просто: разгон памяти (или тонкая настройка) – лотерея; настройка памяти на AMD – вдвойне лотерея. Ни одна программа в мире не сделает всё за вас. Скорее всего, вы потратите больше времени, а в итоге – ничего не добьётесь. Хотя, примерное понимание ситуации всё же будет. Но начнём по порядку. У нас в руках есть два новых комплекта памяти: HyperX Fury DDR4 RGB ёмкостью 64 ГБ и HyperX Fury DDR4 ёмкостью 32 ГБ. У них не только разный дизайн, но и разные характеристики, включая сами микросхемы.

Первым рассмотрим HyperX Fury DDR4 RGB с кодовым названием HX430C15FB3AK4/64. В нём зашифрованы основные характеристики комплекта – частота 3000 МГц, тайминги CL15 (если полностью — 15-17-17-36) и объём – 64 ГБ, образованный четырьмя модулями по 16 ГБ. Остаётся добавить лишь про рабочее напряжение, которое составляет привычные 1.35 В.

Если судить по характеристикам, то в сравнении с уже существующими на рынке комплектами HyperX, отличия незначительные. Но нельзя не отметить, что модули памяти основаны на чипах C-die от Hynix. Хоть и не B-die, для нас это всё равно является одним из главных достоинств, так как зависимость производительности системы на AMD именно от оперативной памяти достаточно велика. Также нельзя не уделить внимание одной из главных особенностей, формирующих внешний вид системы в целом – данные модули поддерживают технологию Infrared Sync. В её основе используется набор инфракрасных датчиков, расположенных на печатной плате с обеих её сторон рядом с контактными площадками.

Если каким-либо образом прервать связь между ними, то синхронизация работать не будет, что прекрасно видно на изображении ниже, где мы положили между первым и вторым модулем обычную бумажку:

Предлагается обновлённая память в разных вариантах – в виде отдельных модулей (минимум – 8 ГБ), а также в виде комплектов из двух или четырёх модулей. Тактовая частота варьируется от 2400 МГц до 3466 МГц в зависимости от комплекта.

А теперь вернёмся к делу. Сертифицированных для работы с платформой комплектов AMD не так уж и много. И, к сожалению, HX430C15FB3AK4/64 в их число не входит. Но это не значит, что он не будет работать. Да и даже если бы у вас был сертифицированный комплект, то всё равно времени на его настройку вы потратили бы примерно столько же. Ведь каждый хочет получить прибавку производительности «на ровном месте», хоть и в случае с AMD это не так просто, как было бы с Intel. По умолчанию модули стартуют с частотой 2400 МГц.

Если же применить профиль XMP (Intel Extreme Memory Profile), то память работать будет на заявленных характеристиках, но система предупредит о том, что соотношение частоты памяти и FCLK не является оптимальным с точки зрения производительности. Настоятельно рекомендуется соотношение 1:1, а максимальное значение FCLK не должно превышать 1800 МГц. Кроме того, превышение номинального напряжения на SoC (контроллер памяти) может привести к нестабильной работе устройств с интерфейсом PCIe стандарта 4.0. Но это и так понятно из появившегося предупреждения. Что от нас требуется в идеале? Память с тактовой частотой 3600 МГц и с низкими таймингами.

У нас же в руках комплект с заявленной частотой 3000 МГц. С чипами C-die есть все шансы получить 3600 МГц. Да, тайминги будут достаточно сильно увеличены относительно номинальных, но наиболее правильное соотношение частоты к FCLK, а также тонкая настройка вторичных и третичных таймингов в итоге приведут к увеличению производительности.

Номинальный режим работы, предусмотренный профилем JEDEC, предусматривает 2400 МГц при таймингах 17-17-17-39 и соотношение 1:1.

Номинальный для комплекта режим работы – 3000 МГц при таймингах 16-17-17-36. И в данном случае соотношение частоты памяти и FCLK является 1:1, что для нас хорошо. Первый тайминг вместо 15 выставлен системой как 16, что является одним из ограничений платформы AMD, если параметр Geardown по умолчанию включён – с ним некоторые тайминги, завязанные на CL, могут быть только чётными.

В зависимости от типа памяти, даже на её частоте 3600 МГц, некоторые материнские платы могут изменять соотношение частоты памяти к FCLK в режим 2:1. С момента выхода платформы прошло немногим более двух месяцев и AGESA постоянно дорабатывается, поэтому с выходом свежей версии BIOS ситуация может измениться. Наш подопытный комплект смог взять 3600 МГц при таймингах 20-22-22-38. По сравнению со штатным режимом работы, это позволило увеличить чтение/запись/копирование, но с увеличением задержек.

В самом начале материала мы упоминали калькуляторе таймингов и напряжений. Да, такой существует и даже относительно регулярно обновляется. С его помощью, как задумано, можно быстро вычислить те тайминги, которые надо будет выставить в настройках BIOS, чтобы добиться увеличения производительности. Но не всё так гладко – нюансов очень много, а особенно – связанных с тонкой настройкой памяти. Поэтому работоспособность указанных в данном приложении параметров гарантировать практически невозможно.

Но приложение от этого не является бесполезным. В нём есть встроенный стресс-бенчмарк, который позволяет выявить нестабильность системы и продемонстрировать производительность памяти. Полезно, но лучше оперировать и реальными приложениями, которые вы используете. При чём, лучше это делать в тестовом режиме, а не в реальной работе. Вряд ли вам понравится ситуация, когда кодирование или рендер идут несколько часов, а в конце будет какая-либо ошибка или синий экран.

И ещё одна не менее полезная (в основном – для игроков) функция приложения – FreezKiller. Это небольшая программа, которая делает игровой процесс максимально плавным, что достигается новой итерацией очистки Standby кешей. С этим есть проблемы и игровой процесс может отличаться «фризами» — рывками в некоторые моменты, которые не зависят от игровой сцены. К сожалению, помогает это дополнительное приложение не всем.

Есть ещё одна интересная программа – Ryzen Master. На этот раз – от самой компании AMD. Но есть один нюанс – при активации дополнительного функционала (настройка параметров процессора и памяти) вы автоматически теряете гарантию на процессор.

Так что же делать? Немного поработать собственными пальцами и глазами. Первое – зафиксировать производительность в ваших наиболее часто используемых приложениях или играх в номинальном режиме работы памяти. В нашем случае – 3000 МГц. Второе – добиться снижения всех доступных ключевых таймингов (их названия видны в приложении DRAM Calculator for Ryzen по центру интерфейса) при напряжении до 1.35 В, а затем проверить стабильность работы и прирост производительности. Третье – пошагово увеличивать тактовую частоту памяти при незначительном увеличении таймингов. Свыше 3600 МГц смысла особо нет стараться, максимум – 3800 МГц, да и если материнская плата позволит использовать частоту FCLK 1900 МГц. Также отметим, что даже при соотношении 2:1 именно в вашем случае (приложения используются ведь разные) падения производительности может и не быть. Как бы грустно ни звучало, но да – всё придётся делать своими руками в своём конкретном случае. Даже если комплекты памяти обладают соседними серийными номерами, то это не гарантирует их стабильную работу на идентичных подобранных нами для одного из них параметрах.

Перед тем, как мы перейдём к рассмотрению второго комплекта, изучим результаты изысканий с HyperX HX430C15FB3AK4/64.

Для начала – скорость работы памяти по данным встроенного в программу AIDA64 бенчмарка. В целом, результаты ожидаемые. Дополнительная настройка памяти позволяет увеличить производительность в целом.

Но увеличение таймингов увеличивает задержку, что откидывает нас по производительности чуть ли не к номинальному режиму работы.

При конвертации сотни фотографий из RAW в JPEG при помощи Capture One прирост заметен в каждом режиме.

Поэтому проверим все режимы в реальных приложениях. Сначала добавим эффект зерна в 4K ролик продолжительностью 10 минут при помощи Adobe Premiere Pro. Время выполнения задачи указано в секундах. Во всех случаях прирост есть, можно даже назвать его заметным.

Ощутимый прирост в скорости выполнения задачи можно увидеть в After Effects от той же Adobe – здесь как включение XMP режима, так и дополнительная настройка памяти позволяет добиться заметного ускорения работы. А вот переход на 3600 МГц чуть ухудшил время – таково влияние таймингов.

В Houdini FX от SideFx прирост значительный во всех режимах работы памяти. Сразу обратите внимание, что цифры – минуты. То есть, результат действительно впечатляет!

В играх ситуация ожидаемо хорошая – подрос как минимальный фреймрейт, так и средний.

А теперь перейдём к рассмотрению более строгого с точки зрения внешнего вида комплекта – HyperX HX434C16FB3K2/32. Он характерен двумя 16 ГБ модулями, функционирующими на частоте 3466 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении 1.35 В.

Их главное отличие в дизайне от рассмотренного выше комплекта – полное отсутствие подсветки. Да, такое ещё бывает �� Модули оборудованы радиаторами чёрного цвета с фирменным рельефным дизайном HyperX.

Предлагается обновлённая память в разных вариантах – в виде отдельных модулей (минимум – 4 ГБ), а также комплектов из двух или четырёх модулей. Тактовая частота варьируется от 2400 МГц до 3466 МГц в зависимости от комплекта.

С технической точки зрения, отличия от предыдущего комплекта заключается в том, что модули HX434C16FB3K2/32 основаны на чипах Samsung B-Die, что не может не радовать. В случае с AMD это не так актуально, как с Intel, но определённые возможности это нам открывает, например, забегая вперёд, это 3800 МГц при таймингах ниже заявленных для номинального режима работы.

Номинальный режим работы, предусмотренный профилем JEDEC, запускает память на частоте 2133 МГц при таймингах 15-15-15-35 и соотношение 1:1.

Номинальный для комплекта режим работы – 3466 МГц при таймингах 16-18-18-36. И в этом случае соотношение частоты памяти и FCLK является 1:1, что для нас хорошо.

В отличие от предыдущего рассмотренного комплекта, при запуске модулей на частоте 3600 МГц, соотношение так и осталось 1:1, что не может не радовать. Дополнительно обязательно надо сказать, что тайминги удалось немного опустить – до 16-16-16-32 против 16-18-18-36 стандартных. Всё это влияет на производительность в лучшую сторону. Если же выставить частоту 3800 МГц, то соотношение становится 2:1, задержка заметно увеличивается (плохо), а операции чтения/записи/копирования незначительно ускоряются. Такой режим использовать смысла нет.

И теперь о производительности в играх и профессиональных приложениях.

Первый тест, как и в прошлый раз, представляет собой замер скорости работы памяти по данным встроенного в программу AIDA64 бенчмарка.

В этом случае снижения скоростных показателей нет, так как мы только улучшали тактовую частоту и тайминги.

Логично ожидать, что и в реальных приложениях будет прирост.

Собственно, так оно и есть. В Premiere Pro он заметен.

А в After Effects вполне даже ощутим.

В Houdini FX и подавно – экономия свыше получаса со сцены или же почти 2.5 часа относительно полного номинала памяти.

Показатели кадров в секунду в играх тоже вырастут, что не может не радовать.

Сколько стоит потраченное время?

Пожалуй, это один из главных вопросов, которые зададут пользователи, приобретающие новейший процессор AMD и желающие потратить некоторое время на настройку памяти. А вот тут вам уже надо взять калькулятор и посчитать самим в зависимости от заработка – второй переменной в задаче. Первая главная переменная – время, затраченное на настройку памяти. Возможно, потраченные 10 часов на настройку уже в первый месяц смогут «отбить» их снижением времени выполнения рабочих задач. Профит будет в любом случае, это лишь вопрос времени. Что касается игр, то ситуация не столь однозначная, но целесообразность в дополнительной настройке памяти также есть. Здесь многое зависит и от разработчиков, а точнее – игрового движка и рук программистов. В некоторых играх можно получить ощутимый прирост минимального количества кадров в секунду, в то время как в других ситуация не изменится. В заключении материала сделаем выводы и по поводу рассмотренных комплектов памяти. Они отличаются как внутри, так и снаружи, но объединяет их достаточно большая гибкость в плане настроек, благодаря чему можно добиться некоторого повышения производительности как в приложениях, так и в играх. Примечательным является тот факт, что при сборке рабочей системы именно для работы, можно установить модули без подсветки, которая в таких случаях будет являться абсолютно лишней. Если же вам интересны модули с RGB подсветкой, то фирменная технология Infrared Sync позволит добиться её синхронной работы для всех установленных модулей, что придаёт максимально эстетичный внешний вид. Так что новинки от HyperX определённо заслуживают внимания даже при сборке систем на базе AMD!

Оперативная память HyperX Fury DDR4 RGB и HyperX Fury DDR4 в России уже доступны в продаже. Ознакомиться со стоимостью вы можете в магазинах партнеров.

Для получения дополнительной информации о продуктах HyperX обращайтесь на сайт компании.

Как изменить тайминг памяти?

Если вы хотите повысить производительность оперативной памяти, не устанавливая при этом новые планки ОЗУ, то стоит просто уменьшить тайминги уже существующих. Проделывать такую операцию следует очень аккуратно, ведь можно повредить устройства компьютера.

Вначале нужно провести проверку установленных планок памяти. В ОС Windows Seven есть встроенная программа для осуществления такого процесса. Значит, нужно открыть панель управления и там выбрать пункт «Система и безопасность». Там выберите вкладку «Администрирование», затем пункт «Средство проверки памяти Windows». Там нужно выбрать параметр «Выполнить перезагрузку и проверку памяти».

Теперь перезагрузите компьютер и нажмите Delete, чтобы открыть меню BIOS. Нажмите комбинацию Ctrl и F1 для того, чтобы открылось меню дополнительных параметров работы ПК. Там выберите вкладку Advanced. Теперь посмотрите на данные, которые расположены под строкой Memory Frequency. Там вы увидите пункты CAS Latеncy, RAS Prеcharge dеlay, RАS to СAS Delаy и Аctive Prеchаrge Dеlay.

Здесь нужно уменьшать тайминги. Делать это требуется очень аккуратно, постоянно изменять параметр только на минимальную «единицу». Начинайте с первого пункта CAS Latency. Там это нужно уменьшить на 0,5. Затем вернитесь в меню BIOS. Там выберите Save & Exit и нажмите Enter. После того как компьютер перезагрузится, то снова войдите в меню тестирования оперативной памяти.

Если же программа показала, что показатели улучшились, то продолжайте дальше уменьшать тайминги, изменяя значение следующего пункта — RAS Prеcharge dеlay. Чтобы не пришлось постоянно перезагружать ваш компьютер при проверке памяти, можно воспользоваться специальными программами.

Можно установить утилиту Riva Tuner либо memtest. С их помощью вы сможете выполнять проверку стабильности и производительности вашей оперативной памяти. Riva Tuner еще и обладает такой функцией, как уменьшение таймингов. Обратите внимание, что выполнять такой процесс рекомендуют именно через BIOS, ведь если произойдет какой-то сбой, то вы сможете быстро восстановить заводские параметры.

Что такое и как узнать тайминги (латентность) в оперативной памяти

В этой статье мы разберемся, что такое тайминги оперативной памяти. Узнаем какие параметры латентности лучше для скорости и как их посмотреть на компьютере или ноутбуке. Поймем, как правильно подобрать и выставить тайминги оперативки и на что они влияют. Дам ссылку на калькулятор таймингов и таблицу для основных типов памяти и частот.

Обычно при выборе оперативной памяти для настольного ПК или ноутбука, мы смотрим на объём ОЗУ, тактовую частоту и тип памяти DDR для ее совместимости с материнской платой. Однако у оперативки есть еще такая характеристика, как тайминги или по научному — латентность. И вот на этот параметр обращают внимание только специалисты и продвинутые геймеры.

Да, латентность менее важна, чем объем модуля и его рабочая частота, но при грамотном подходе ее уменьшение может дать пусть и не большое, но все же ускорение работы вашего компьютера. Чем более грамотно и сбалансированно подобраны комплектующие ПК или ноутбука, тем больше может дать прироста в скорости установка памяти с меньшими таймингами.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает оперативка.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью и значит тем производительней оперативная память.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных.

В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел:

CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24

, или только одна, например CL11

. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

По большому счету остальные задержки малозначительны и при выборе планок памяти достаточно обращать внимание только на этот параметр.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Как изменить

Изменить тайминги можно, как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения при помощи разгона. Для этого необходима тонкая настройка частоты работы модуля и его напряжения. Путем уменьшения или увеличения частоты работы памяти, так же уменьшаются или увеличиваются тайминги. Эти параметры подбираются индивидуально для каждого модуля памяти или наборов памяти.

Вот один из комментариев к памяти, о которой я рассказывал выше ⇓

Память очень достойная! С базовой частоты 1600 mhz удалось разогнать до 2200 mhz с таймингами 11-12-12-28 на напряжении 1.65v.

Разгон по частоте составил 27%, что очень хороший результат. При этом тайминги и напряжение были повышены минимально. Такой разгон довольно заметно сказался на всей скорости работы компьютера.

Весь смысл этого действа, подобрать такие оптимальные характеристики частоты, таймингов и напряжения, чтобы модуль/модули памяти выдавали максимальную скорость работы и при этом стабильно работали в таком режиме. Это требует времени и знаний.

Так же материнка должна поддерживать разгон оперативки. Сейчас есть планки памяти со встроенным XMP профилем. В нем уже прописаны заводские параметры разгона, с которыми память может работать. Вам остается только применить нужный XMP профиль и оперативка запуститься с этими параметрами.

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа на вопрос, как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами. Они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Изменение таймингов позволяет повысить быстродействие компьютера. Для памяти DDR3 это не самый важный параметр и прирост будет не слишком большим, но если компьютер много работает с тяжелыми приложениями, пренебрегать им не стоит. В полной мере это относится и к более современной DDR4.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме.

К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам. Вот калькулятор таймингов для процессоров Ryzen.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности.

Судя по результатам независимых тестирований, быструю память любят компьютерные игры, а также программы для работы с графикой и видео-контентом.

Нужно учитывать, что слишком сильное уменьшение задержек памяти может привести к нестабильной работе компьютера и даже к тому, что он откажется запускаться. В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в БИОС. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Все изменения таймингов необходимо производить не торопясь, имеет смысл менять по одному параметру и только на такт. После этого важно проверить, сможет ли компьютер стартовать и загрузить операционную систему.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения.

Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Что больше влияет на скорость работы оперативной памяти — более низкие тайминги или более высокая частота

Самое важное, что вы должны понять и запомнить, чтобы разобраться в этом вопросе раз и навсегда, это то, что ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЧАСТОТЫ, НА КОТОРОЙ РАБОТАЕТ МОДУЛЬ ОЗУ, АВТОМАТИЧЕСКИ ПОВЫШАЮТСЯ И ЗАДЕРЖКИ ПАМЯТИ. При понижении частоты, они уменьшаются. Это хорошо видно при сравнении планок памяти разных поколений.

Для сравнения скорости работы, возьмем два разных типа оперативки. Более старого DDR3 и современного DDR4.

Сравнить скорость разных модулей ОЗУ в наносекундах можно с помощью формулы ⇓

Тайминг*2000/частоту памяти. Например планка DDR4 с таймингом CL16 будет работать со скоростью 16*2000/3000=10.6 nanosec, а DDR3 с таймингом CL9 со скоростью 9*2000/1600=11.25 nanosec.

Как видно из примера частота работы памяти тоже очень важна. У DDR3 латентность намного ниже, чем у DDR4, но частота работы модуля DDR4 заметно выше DDR3. Хоть не намного, но DDR4 опережает DDR3 по скорости работы. Так же у него еще и большая пропускная способность. У будущей DDR5 я думаю разница в скорости будет еще больше.

Выходит, что тактовая частота оперативки влияет на производительность в большей степени, чем более низкие тайминги. Конечно, если выбор стоит между планками с одинаковой частотой, то лучше выбрать ту, у которой меньшие задержки.

Если кто-то хочет более серьезно разобраться с этим вопросом, вот ссылочка на таблицу по таймингам в Гуглдокс.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и будут одинаковые тайминги.

Факты

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки.

Во времена оперативки DDR и DDR2, таймингам придавалось большое значение, поскольку кэш процессоров был значительно меньше, чем сейчас и приходилось часто обращаться к памяти.

Современные центральные процессоры имеют большие L2 и L3 кэш, что позволяет им гораздо реже обращаться к памяти. В случае маленьких программ, их данные могут целиком помещается в кэш процессора и тогда обращение к памяти вовсе не требуется.