Как разогнать память ddr4

7

Как разогнать память ddr4

Ваша оценка отправлена, спасибо. Сообщите нам, пожалуйста, как можно сделать ответ вам еще более полезным.

Спасибо за то, что дали нам знать.

Пожалуйста, не указывайте личную информацию в своем комментарии.

Благодарим за ваше мнение.

Как устанавливать и разгонять память DDR4?

Память является одним из наиболее важных элементов аппаратного обеспечения компьютера. Без памяти компьютер не может нормально работать. В настоящее время в компьютерах в основном используется память типа DDR4. Каким образом нужно устанавливать память DDR4 для оптимизации работы системы и ее разгона?

Последовательность установки памяти DDR4

Процедура установки памяти DDR4

1. В каждом разъеме под оперативную память имеется два небольших зажима с каждой стороны. Нажмите на них, чтобы открыть. Не прилагайте чрезмерных усилий, так как они раздвигаются на очень небольшое расстояние.

2. У планок оперативной памяти имеется ключ (прорезь в районе коннектора), который гарантирует, что планку можно вставить только одним определенным образом. Расположите вашу планку оперативной памяти таким образом, чтобы прорезь на планке совпадала с профилем разъема под память.

Последовательность установки памяти

Ниже показаны варианты последовательности установки памяти, в зависимости от того, сколько у вас планок

Примечание:
1. В большинстве случаев установка памяти начинается с разъема DIMMA2. Для запуска системы в двухканальном режиме вам понадобится не менее двух планок памяти. При этом двухканальный режим можно активировать только при четном количестве планок памяти.
В случае двух планок памяти их необходимо будет установить в DIMMA2 и DIMMB2.

2. Для обеспечения стабильности и совместимости системы в двухканальном режиме, планки памяти должны быть идентичны.

Активация XMP-профиля для разгона памяти

1. После начала загрузки непрерывно нажимайте клавишу Delete для входа в меню BIOS материнской платы.

Если XMP-профиль доступен в вашем модуле памяти, материнская плата сможет его определить, и опция XMP будет доступна в меню BIOS.

На рисунке ниже опция [XMP Profile 1] не выделена серым цветом, это указывает на то, что память поддерживает XMP.

Напротив, опция [XMP Profile 2] выделена серым цветом, этот статус означает, что текущий модуль памяти поставляется только с одним набором предустановленных значений XMP-профиля.

2. Текущая частота памяти составляет 2666 МГц, нажмите на опцию [XMP Profile 1], чтобы активировать XMP.

3. Нажмите клавишу [F10], нажмите [Yes] («Да»), чтобы сохранить конфигурацию и перезагрузить систему.

4. Повторно войдите в меню BIOS для проверки новых настроек; частота памяти была успешно разогнана до 2933 МГц.

Проверка частоты памяти в ОС WIN10

1. Нажмите правой кнопкой по панели задач и выберите [Task Manager] («Диспетчер задач»).

2. Нажмите [Performance] («Производительность») —> [Memory] («Память»), чтобы проверить текущую скорость памяти.

Примечание. Разогнанная частота памяти будет зависеть от поддержки как ЦП, так и материнской платы. Если поддержка для любого из этих компонентов отсутствует, это может привести к неудаче при разгоне памяти.

Для проверки спецификаций совместимости материнской платы и памяти см. статью Как проверить спецификации памяти и отчет о совместимости?

Скупой не платит дважды – настраиваем память на платформе AMD B450 и получаем бесплатную производительность

Нельзя отрицать, что компания AMD покоряет рынок процессоров семимильными шагами. Началось всё с появления новинок на базе архитектуры Zen, которые получили имя Ryzen. Да, старт был не таким гладким, как хотелось бы, но шороху производитель навёл немало. В чём секрет успеха второго поколения? Почему энтузиасты обратили особое внимание не на «топовый» чипсет? Правда ли, что в сети есть программы-калькуляторы для настроек памяти? И даже в играх производительность заметно вырастет после тонкой настройки? А что, бывает разная память и какая-то может даже не заработать?

Но для начала – ещё совсем немного вводной информации. Достаточно скоро появилось обновление Zen+, которое является именно обновлением, а не полноценным шагом эволюции. Процессоры Ryzen 2 стали выпускаться по 12 нм техпроцессу, а производительность работы с разного рода памятью (кешами L1, L2, L3 и «оперативкой») возросла достаточно неплохо. Были улучшены технологии управления частотой процессора, такие как Precision Boost 2 и XFR (Extended Frequency Range) – это позволило добиться ещё большей производительности именно процессорных ядер. Но особенно важной стала официальная поддержка оперативной памяти DDR4 с тактовыми частотами до 2933 МГц включительно. Почему это надо особенно подчеркнуть? Всё дело в том, что работа процессоров Ryzen и Ryzen 2 с высокочастотной оперативной памятью – одна из самых главных проблем платформы в целом. Конечно, компания AMD делает всё возможное для достижения максимальной совместимости с теми или иными типами памяти при помощи программных обновлений, но пока опишем картину так, как она есть. Привыкли видеть 4000+ МГц на платформах Intel? Пока – забудьте. Что ж, попробуем найти выход из сложившегося положения и вообще понять – а действительно ли всё так плохо?

В чём секрет успеха материнских плат B450?

Загружать ваши головы в очередной раз кучей официальных слайдов мы не будем – маркетинг есть маркетинг, хоть и с долей правды. Но одну сравнительную таблицу продемонстрируем. В ней приведено сравнение двух чипсетов AMD актуального на текущий момент поколения – X470 и B450.

Как можно заметить, отличия хоть и есть, но назвать их критичными для большинства пользователей не получится. Даже разгон поддерживается обоими вариантами. А это что значит? Верно, для многих хватит плат на основе B450, что и было доказано статистикой продаж материнских плат. Именно модели на базе чипсета AMD B450 лидируют по продажам на российском рынке. Одна из самых популярных плат — ASUS TUF B450M-Plus Gaming, которую мы и возьмём в основу для создания данного материала, а также нескольких игровых и рабочих сборок, о которых поговорим сегодня, но немного позже.

Что могут предложить платы на базе чипсета B450? Вне зависимости от модели и производителя, вы получаете поддержку любых процессоров Ryzen с возможностью их разгона, поддержку всех самых современных высокоскоростных интерфейсов (хоть и в ограниченном количестве) и, что немаловажно, минимальный удар по бюджету.

Можно объяснить коротко и ясно?

Можно выбрать что-то одно – или коротко, или понятно. Выберем второй вариант, но постараемся ужать материал, чтобы предотвратить действия насильственного характера над мозгом. Коротко не особо получилось, но оно того стоило.

Сначала вернёмся к вопросу о поддержке оперативной памяти. Просто взять и поставить высокоскоростные модули 3866 МГц и выше – не выйдет. Сразу возникает ещё один вопрос – а нужна ли такая быстрая память? В случае с данной платформой – да. К примеру, увеличение тактовой частоты с 2400 МГц до 3600 МГц позволяет увеличить производительность системы 15% и более в абсолютно любых задачах, будь то игры или профессиональные программы. Многое может зависеть от таймингов, но в определённых ситуациях можно добиться и 20% прироста производительности.

Если копнуть историю, то можно узнать, что материнские платы с ранними версиями BIOS работали с памятью очень плохо. Всё дело в AGESA – программной составляющей BIOS, отвечающей за, в том числе, инициализацию памяти. Примечательным является тот факт, что обновляется эта часть вместе с обновлением BIOS штатным способом. И каждое обновление может радикально изменить поведение системы. Точнее – действительно меняет. И, к нашему счастью, в лучшую сторону. Энтузиасты, которые выжимают из своих систем, готовы идти на любые риски, чтобы добиться ещё большей производительности, поэтому моментально «накатывают обнову» и публикуют в сети подробные отчёты о тестировании. Простые пользователи привыкли к фразе «работает – не трогай». Но это не тот случай – обновления действительно много значат. Единственное, что может запутать некоторых – порядок версий. Всё хорошо начиналось с 1.0.0.4, 1.0.0.5 и так далее до 1.0.0.7, а сейчас вдруг нумерация изменилась и актуальная версия — 0.0.7.2. Так что обязательно смотрим дату публикации версии BIOS с обновлением на сайте производителя – тогда не ошибётесь

И никогда не делайте так, как показано на фото выше — при установке модулей памяти из разных комплектов, «завести» их даже на номинальной частоте может быть весьма затруднительно. Даже если в такой конфигурации система включится, то стабильная работоспособность не гарантирована.

Теперь ещё подробнее. Если вы готовы уделить некоторое время для подбора компонентов для своей будущей системы, то вам уже небезразлична её производительность вплоть до процента. Про обновление BIOS вы уже всё поняли, теперь о главном – какую память покупать? В случае с рассматриваемой сегодня платформой, настоятельно рекомендуется найти одноранговые модули. Двухранговые, конечно, тоже подойдут, но вряд ли будут корректно работать на высоких тактовых частотах, которые достигаются одноранговыми модулями. На самом деле, оба типа могут и в паре работать, но тут уже воля случая. Лучше не экспериментировать. Узнать тип того или иного модуля по маркировке не всегда получится, поэтому придётся изучить материалы в сети.

Добавим ещё больше смуты – информацию о том, что существуют чипы памяти A-die, B-die, C-die и другие. Если кратко, то буква означает поколение. Не всё новое одинаково полезно – гнаться за актуальным поколением чипов не стоит. К примеру, один из комплектов Kingston, который вы видели сегодня на фото, основан на чипах Samsung B-die, благодаря которым он смог работать на частоте 3600 МГц при использовании вышеупомянутой платы от ASUS — TUF B450M-Plus Gaming. Мало того, практически все комплекты памяти Predator с подсветкой RGB или без оной, функционирующие на частоте от 3600 МГц, основаны как раз на B-die от Samsung.

Собственно, энтузиасты даже целые списки модулей памяти на основе этих чипов составляют – ознакомиться можно на немецком ресурсе HARDWARELUXX.

Второй комплект, который обладает частотой 3466 МГц, что тоже является достаточно высоким показателем для AMD, основан на чипах Hynix H-die.

Если вы уже купили память и хотите узнать на каких чипах она основана, то варианта два – информация на просторах сети или же надежда на программное обеспечение Thaiphoon Burner.

Хорошо. Высокочастотную память мы нашли, а она прекрасно «завелась» на нашей плате. Думаете всё? Ан, нет! Теперь настало время настройки таймингов. Это займёт несколько больше времени, чем подбор тактовой частоты (этим стоит заниматься, если куплены модули с частотой ниже 3000 МГц), но тоже принесёт свои плоды. Можно штудировать форумы в сети, а можно воспользоваться специальной программой-калькулятором — DRAM Calculator for Ryzen. Полностью положиться на предлагаемые настройки нельзя, ведь каждый комплект памяти (да что там – каждый модуль) характерен практически уникальными возможностями в плане покорения наивысших тактовых частот или снижения таймингов. По большей части, как и разгон любого другого компонента, это – лотерея. Но общее понимание о возможностях памяти будет. Сначала позволяем программе считать данные из профиля памяти, потом задаём вводные данные и жмём одну из трёх кнопок Calculate.

Запоминаем (делаем скриншот, фотографируем, записываем или как-то иначе) полученные данные, перезагружаем систему, входим в BIOS Setup, вбиваем новые параметры, сохраняем всё это дело и перезагружаем систему. Если повезло – получаем работоспособный ПК, которому настоятельно рекомендуется провести стресс-тест памяти, чтобы убедиться в стабильной (или наоборот) работе. Если появляются ошибки, зависания и перезагрузки, а также если система вообще не заработала после применения настроек, то снова заходим в BIOS (возможно, придётся сделать Clear CMOS – штудируем брошюрку к плате как это сделать) и «расслабляем» тайминги. То есть, увеличиваем их. И так до тех пор, пока не получите полностью работоспособную систему.

Проверить были ли применены ваши настройки поможет программа Ryzen Timings Checker. Она показывает не только основные, но и все дополнительные, которые участвуют в настройке.

Спустя всего минут 30 можно нащупать предел памяти по таймингам, но проверка стабильности займёт больше – потребуется тестирование памяти программами вроде MemTest (UEFI/DOS/Win) как минимум на 2-кратное заполнение всего объёма. И, поверьте, рекомендуется оставлять это тестирование и на более долгий срок – минимум 2-3 часа, а лучше все 5-6 часов. И вот когда ошибок найдено не будет, то можно начинать работать за собранной системой в полной мере. Конечно, на самом деле, ошибка может проявить себя в определённых сценариях – от этого никто не застрахован, но шанс возникновения такой ситуации будет гораздо меньше, чем если бы пропустить этап тестирования и получать зависания или перезагрузки ПК во время работы над своим проектом или в играх.

В общем и целом, если кратко, то принцип настройки памяти мы рассказали. К чему такие мучения? А судите сами, результаты говорят за себя. Прирост есть везде, вне зависимости от задачи, будь то рендер изображения, кодирования видео или какая-либо игра. В играх, к слову, особый интерес вызывает прирост минимального показателя производительности, что является немаловажным моментом. Ускорение выполнения построения изображения или кодирования видео тоже весьма заметно, особенно, если заниматься этим по несколько часов в день.

Для начала – немного синтетики. Возьмём всем известную программу AIDA64, скриншот из встроенного в неё бенчмарка памяти. В нём производится замер скоростей чтения, записи и копирования данных в памяти, а также задержку (время доступа). При чтении прирост от увеличения тактовой частоты заметен сразу. Снижение таймингов тоже улучшает результат, хоть и не так явно.

Полностью аналогичная картина и при записи в память

Собственно, при копировании данных в памяти ситуация не меняется.

Время доступа к памяти зависит как от частоты, так и от таймингов, поэтому потраченное на настройку этих параметров время также потрачено не впустую.

Кодирование небольшого ролика занимает от 46 до 51 секунд времени. Разница 5 секунд для единоразового действа – немного. А если вы обрабатываете несколько часов видео? 5-10 минут с каждого часа обработки видео – это уже весьма значимый прирост!

Построение сцены в 3D моделлере Blender может быть выполнено с разницей порядка 40 секунд, когда общее время выполнения задания составляет менее 5 минут. Снова нам помогает простая математика, чтобы посчитать сэкономленное время при визуализации сцены в течение нескольких часов – прирост, несомненно, ощутимый!

При работе с ещё одной популярной системой рендеринга V-Ray, прирост не такой заметный, но тоже ощутимый, если выполнять построение сложных сцен.

Теперь возьмём несколько актуальных игр. Несложно заметить, что при увеличении тактовой частоты оперативной памяти, мы получаем более высокие показатели кадров в секунду. При чём, это справедливо для минимального среднего и даже максимального фреймрейта.

В случае с Far Cry 5 минимальные показания вообще перешагнули принятый уровень комфортного – в среднем получилось свыше 60 кадров в секунду.

И практически приблизились к этому уровню мы в игре Rise of the Tomb Raider. В любом случае, средний показатель тоже вырос весьма неплохо.

Самое сложное – позади

Пожалуй, теперь можно немного расслабиться, ведь именно выбор оперативки был самым сложным этапом подбора комплектующих в рамках сборки системы на основе AMD. С процессорами всё гораздо проще – тут надо понимать для каких задач собирается компьютер. Но есть ограничение – только процессоры Ryzen. Athlon в исполнении AM4 не поддерживаются, кроме 200GE, 220GE и 240GE. Некоторое внимание стоит уделить дисковой подсистеме. Здесь также можно разделить пользователей на два лагеря – одним достаточно SATA накопителей (не важно – 2.5” или M.2), а другим этого будет мало, поэтому внимание обратить стоит на высокоскоростные варианты с интерфейсом PCIE 3.0 x4 в исполнении разъёма M.2.

Оптимальным выбором сейчас являются накопители 480 ГБ, чего вполне хватает для операционной системы и нескольких игр или же тяжёлых программ профессионального уровня. В обоих случаях компания Kingston полностью способна удовлетворить потребности пользователя — UV500 подойдёт экономным, а вот A1000 – профессионалам и энтузиастам.

Когда деньги карман НЕ жмут

Цена/производительность – тот критерий, который наиболее важен при сборке системы с жёстко ограниченным бюджетом. Именно поэтому наибольшей популярностью среди экономных пользователей пользуются системы на базе компонентов AMD. С видеокартами, правда, несколько сложнее, но это совсем другая тема для разговора. Попробуем разложить всё по полочкам, взяв за основу материнскую плату с чипсетом B450 и дополнив её обвесом разного калибра.

Минимум для игр – сборка с процессором Ryzen 3 2300X и дискретной видеокартой уровня RTX 2060. Хотя, видеокарта – по вкусе, а точнее – по возможностям. Как мы сегодня убедились, память находится по важности далеко не на самом последнем месте, поэтому HyperX Fury HX434C19FR2K2/16 (16 ГБ с частотой 3466 МГц) сюда подойдут как нельзя кстати. В качестве основного накопителя смело рекомендуем UV500 ёмкостью 480 ГБ, который упоминали выше. Всё просто – ценник адекватный, скорости на предельном для интерфейса уровне, места хватит на всё самое основное, включая несколько даже самых ёмких игр. Если добавить к этому качественный блок питания, эффективную систему охлаждения, хороший корпус и 3.5” диск для хранения данных, то можно будет уложиться в сумму 40000 рублей без учёта видеокарты. К примеру, если посмотреть на RTX 2060, то это ещё порядка 22000 рублей сверху. Для наглядности, приведём эти данные в виде таблицы. Сразу отметим, что для этого и двух других вариантов сборок мы выбирали комплектующие исключительно зарекомендовавших себя брендов, таких как Corsair, be quiet!, CoolerMaster, Western Digital и других. Никакого дешёвого «ноунейма», который может привести к выходу системы из строя (намёк на блоки питания). Именно поэтому цены не самые низкие, но никакого риска.

Поиграть и поработать – плата неизменна, но уже с Ryzen 5 2600X. При использовании аналогичных комплектующих, такая сборка (снова без видеокарты) обойдётся уже примерно в 45000 рублей. Что можно улучшить? К примеру, установить более производительную память, такую как HyperX Predator HX436C17PB3AK2/16 – тот же объём (16 ГБ), но уже с частотой 3600 МГц. В вышеуказанную цену включён более мощный блок питания, корпус просторнее, а система охлаждения для процессора эффективнее. С учётом замены памяти, а также накопителя на Kingston A1000 ёмкостью 480 ГБ (но уже заметно более быстрого), ценник вырастет до отметки примерно 48000 рублей, если выбирать наиболее привлекательные предложения. В таблице мы укажем цены с некоторым запасом, взяв средние или около того по рознице, поэтому итог несколько выше, чем только что был озвучен. Но в 48000-50000 рублей можно без проблем уложиться, если заказывать комплектующие по выгодным предложениям в разных торговых точках. За видеокарту придётся отдать дополнительную сумму. Если это будет, к примеру, RTX 2070, резервируйте порядка 35000 рублей сверху

Для любых задач в пределах разумного – снова плата на основе AMD B450, а вот процессор берём самый производительный — Ryzen 7 2700X. Так как мы хотим получить максимальную производительность, но не теряя рассудка в плане потраченной суммы, выбор памяти останется неизменным (HyperX Predator 3600 МГц), диск уже железно Kingston A1000 (использовать SATA решение в такой сборке – кощунство), а на блок питания, корпус и систему охлаждения выделены ещё большие суммы, но в рамках разумного. Такая конфигурация тянет уже на 68000 рублей, но снова – без видеокарты. Тут выбора особо не остаётся – RTX 2080 или RTX 2080 Ti, что, соответственно, лишает нас 47000 или 73000 рублей, соответственно.

Что примечательно в любой из этих сборок? Недорогая материнская плата не на самом продвинутом чипсете, которая без проблем позволяет организовать игровую или рабочую систему с одной видеокартой, одним высокопроизводительным твердотельным накопителем и весьма быстрой оперативной памятью.

Финишная прямая

Похоже, мы ответили на все поставленные в данном материале вопросы. По крайней мере, если продвинутые энтузиасты ничего нового, возможно, и не узнали, то многие простые пользователи теперь в курсе – выбор оперативной памяти для платформы AMD является чрезвычайно важным этапом подбора компонентов, от которого может сильно зависеть производительность системы в любых задачах. От части, мы даже упростили вам задачу, указав высокочастотные модули памяти HyperX Fury и HyperX Predator, которые были главными фигурантами дела и без каких-либо проблем функционируют на далеко не самой дорогой материнской плате. Надо отдельно отметить, что это является действительно достижением инженеров Kingston – богатый набор встроенных профилей настроек обеспечил корректное включение системы с первого раза с полной стабильностью в работе на заявленных тактовых частотах. Что касается материнских плат, то здесь ситуация несколько проще, чем если смотреть в сторону Intel, у которой разгон памяти свыше 2666 МГц доступен только на чипсетах серии Z, решения на основе которого обойдутся дороже, не говоря уже и о стоимости самого процессора. Отрадно видеть, что компания AMD развязала нешуточную войну за рынок процессоров, где мы остаёмся только в выигрыше, ведь здоровая конкуренция – лучший путь к развитию технологий. Готовы ли вы потратить несколько лишних дней на изучение материалов в сети и подбор настроек на купленной системе, чтобы сэкономить весомую сумму денег? Теперь, надеемся, что да!

Скоростные модули памяти линеек HyperX Fury DDR4 и HyperX Predator DDR4 можно найти в магазинах ОГО! и Onlinetrade.ru.

Скоростную память Fury можно найти в магазине OLDI.

Для получения дополнительной информации о продуктах HyperX и Kingston обращайтесь на сайты компаний.

Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство

Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.

Эффективная частота передачи данных

Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.

Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.

Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.

Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons

Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.

В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.

Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.

Тайминги

CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.

По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.

Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:

• Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
• RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
• RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
• DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.

Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.

Напряжение

В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются такие значения:

• DDR2 — 1,8 В;
• DDR3 — 1,5 В;
• DDR4 — 1,2 В.

Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:

• DDR2 — 2,3 В;
• DDR3 — 1,8 В;
• DDR4 — 1,5 В.

При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.

Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.

Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.

Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.

Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.

Любую ли оперативную память можно разогнать

Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.

Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.

Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.

Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.

Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.

Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.

Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.

Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.

Почистите компьютер

Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.

Установите ПО

Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:

— пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год. — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом. — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии. — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel. — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память. — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.

Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.

Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.

Определите характеристики оперативной памяти

В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

(рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’. на сборку TM5 с множеством конфигов.
1. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

• Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
• Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.

Альтернативные варианты

1. Установите WSL и Ubuntu.
2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

• Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
• В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

• Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
• Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
• xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
• PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

• DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
• DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

• Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
• Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

• На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
• Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
• Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
• По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

• Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
• Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

• 3 = Micron
• 4 = Samsung
• 5 = Hynix
• 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

• 1 = 2 Гб
• 2 = 4 Гб
• 3 = 8 Гб
• 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

• Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
• Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
• Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
• Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

• Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
• Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
• Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
• И следующие 2 цифры – год изготовления.
• Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

• На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
• * Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
• Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
• Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
• Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

• На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
• У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
• Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
• Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

• * – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
• Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
• Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

• Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

• Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
• Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

• Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
• В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
• Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

• MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
• FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
• UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
• На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
• В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
• SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
• С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

• Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
• * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
• * – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
• Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
• Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

• Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
• Asus: VDDCR SOC;
• Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
• MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

• «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
• Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

• Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
• Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

• На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
• На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

• MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
• Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

• Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
• Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
• Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

• Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
• Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

• Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
• Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
• Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
• Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
• Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

• На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
• Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

• Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
• Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
• На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

• Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
• tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
• Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
• Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
• Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов: