Описание работы моделирующего устройства m
1.В раунде 1,Mмоделирует процессорPi, выбирая случайный полиномh’iстепениt+1 и посылаетh’i(j) кPj. В этом месте моделирующему устройству позволено получить из оракула выход функции, так чтоMбудет изучать истинный секретs. Если такой процессор является «подкупленным» противникомПротв конце этого раунда (или в следующих раундах), то иM, иПротузнают истинную долюslиMдолжен изменить полиномh’lв соответствии с тем, чтоh’l(0)=sl, но без изменения значения в точках, уже известных противнику. Моделирующее устройствоMможет всегдаcделать это, потому что противник имеет не болееtточек полинома степениt+1.
2-8. В течение раундов 2-8 моделирующее устройство полностью следует явно командам процессоров. Так как все что делают процессоры в этих раундах полностью случайно и нет влияния на их входы,Mбудет всегда способно создать неразличимые распределения.
Моделирующее устройство Mвыбирает полиномgстепениt+1 такой, чтоg(0)=sи затем для каждого процессораPi, устройствоMраспространяетg(i)+pi(i)+. +pn(i), гдеpj— полином, распределенный процессоромPjв течение раундов 2-8 моделирования. Интерполяция Рида-Соломона этих значений даст как результат секрет s. Если процессорPlявляется сбоящим в конце этого раунда, тогда иM, иПротузнают из оракула истинную долю входаsl. Еслиslg(l), тогдаMтолько изменит значениеplв точкеlтак, чтобы сделать полную сумму соответствующей такой широковещательной передаче.
Моделирование неотличимо от реального выполнения с точки зрения противника. Фактически, в раундах 2-8 все сообщения случайны и не связаны с входом, так что моделирующее устройство может легко играть роль несбоящих процессоров. В раунде 1 противник просматривает не более tдолей реального входа несбоящих процессоров. В соответствии со свойствами схемы разделения секрета Шамира, эти доли полностью случайны и, таким образом, могут моделироваться даже без знания реального входа (как и в случае с моделирующим устройством). В раунде 9 реальная доля распространена «скрытым образом» как случайный «мусор», а это позволит моделирующему устройству распространять сообщение несбоящих процессоров с необходимым распределением даже без знания реального входа. ▄
С доказательством лемм 3.1 – 3.4 доказательство теоремы 3.1 следует считать законченным. ▄
Здесь уместно сделать следующее замечание. Схемы (протоколы) конфиденциальных вычислений являются чрезвычайно сложным объектом исследований. Как видно из сказанного выше, даже описание и доказательство безопасности одного из базовых примитивов в протоколах конфиденциального вычисления функции, — схемы проверяемого разделения секрета являются чрезвычайно громоздкими и сложными.
Синхронные конфиденциальные вычисления
Примитив «Забывающий обмен»
Пусть k— фиксированное целое и пустьb1,b2. bk <0,1>иi<1. k>.
Тогда забывающий обмен OT k 1определяется как функциональная зависимость:
Эта вычислимая функция является в явном виде асимметричной и реализуется посредством протокола взаимодействия двух участников (процессоров). Обычно первый процессор, который содержит вход (b1,b2. bk), называетсяотправителем (илиS), а второй процессор, который содержит входi<1. k>, называетсяполучателем (илиR).
Интуитивно, цель забывающего обмена состоит в том, чтобы для отправителя обменяться i-тым битом с получателем так, чтобы не позволить последнему получить какую-либо информацию относительно значения любого другого своего бита и так, чтобы не позволить отправителю получить какую-либо информацию о бите, который был затребован получателем.
С использованием любой перестановки с секретом<fi>iI(см. Приложение), ниже описывается протокол для конфиденциально вычисленияOT k 1. Так как мы имеем дело с конечными вычислимыми функциями, безопасность будет рассматриваться в терминах некоторого дополнительного параметраn, именуемого далеепараметром безопасности.
моделирующее устройство
моделирующее устройство — modeliavimo įrenginys statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. simulator vok. Simulator, m rus. моделирующее устройство, n pranc. simulateur, m … Automatikos terminų žodynas
моделирующее устройство тренажера — Устройство, формирующее учебную информационную модель в тренажере оператора СЧМ и управляющее ее изменением и состоянием среды на рабочем месте СЧМ. [ГОСТ 26387 84] Тематики система Человек машина … Справочник технического переводчика
моделирующее устройство для оценки систем автоматического регулирования или управления — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN automtic control evaluation simulatorACES … Справочник технического переводчика
Моделирующее устройство тренажера — 45. Моделирующее устройство тренажера Устройство, формирующее учебную информационную модель в тренажере оператора СЧМ и управляющее ее изменением и состоянием среды на рабочем месте СЧМ Источник: ГОСТ 26387 84: Система "Человек машина" … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
моделирующее устройство — Syn: модель … Тезаурус русской деловой лексики
электрическое моделирующее устройство — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN electrical analog … Справочник технического переводчика
моделирующее счётное устройство — вычислительное устройство непрерывного действия машина аналог — [http://slovarionline.ru/anglo russkiy slovar neftegazovoy promyishlennosti/] Тематики нефтегазовая промышленность Синонимы вычислительное устройство непрерывного… … Справочник технического переводчика
моделирующее вычислительное устройство — analoginis skaičiavimo įrenginys statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. analog calculator; analog computer vok. Analogrecheneinheit, f; Analogrechner, m rus. аналоговое вычислительное устройство, n; моделирующее вычислительное устройство … Automatikos terminų žodynas
устройство — 2.5 устройство: Элемент или блок элементов, который выполняет одну или более функцию. Источник: ГОСТ Р 52388 2005: Мототранспортны … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
устройство эксплуатационного контроля — 3.3.21 устройство эксплуатационного контроля: Устройство, встроенное в ВДТ, имитирующее условия дифференциального тока для срабатывания ВДТ в определенных условиях. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Моделирующие устройства не могут выполнять логические операции по заданной программе. Они малопригодны для пере — стройки их на новую программу вычислений. Кроме того, в них нет средств для автоматического контроля вычислений и для упрощения работы оператора по отысканию ошибок. [1]
Моделирующее устройство может быть использовано также для расчета средних значений некоторых величин. [2]
Моделирующие устройства для решения задач теории поля, Изд-во иностр. [3]
Моделирующие устройства используются также в качестве вычислительных машин и устройств в системах автоматизированного электропривода для определения оптимальных законов управления. [4]
Моделирующее устройство , позволяющее реализовать оптимальный процесс управления линейной системой, можно представить в виде, указанном на рис. 7 — 1 а. [5]
Моделирующее устройство со структурой, приведенной на рис. 7 — 1 6, может использоваться для поиска оптимальных управлений и в нелинейных системах, если такой процесс единственный и не имеет особых управлений. Однако, как мы установили ранее, эти условия не всегда выполняются в рассматриваемых здесь системах электрического привода. [7]
Моделирующее устройство , создаваемое на этом принципе, называется вычислительными устройствами общего назначения косвенного типа. [8]
Моделирующие устройства с периодизацией решения дифференциальных уравнений автоматически повторяют все указанные выше ступени расчета с большой скоростью ( от 10 до 60 герц) с помощью электромеханической или электронной переключающей системы. [9]
Моделирующие устройства ( постоянного тока) общего назначения, используемые для решения системы уравнений необыкновенных дифференциальных уравнений, большинство математических действий над напряжениями машины осуществляют посредством комбинации ограниченного числа простых действий. [10]
Моделирующие устройства , имитирующие неизготовленные или трудно испытуемые в натуральном масштабе времени элементы системы автоматического регулирования, позволяют выполнять исследования части системы, причем могут быть исследованы не только многие электромеханические устройства, но и работа оператора — человека в имитируемых рабочих условиях. Этот прием позволяет исследовать рабочие условия оператора, например, конструкцию щитов с индикаторными приборами, управляющих рычагов, назначение задания команде. [11]
Моделирующие устройства для автоматического решения алгебраических уравнений составляются из усилителей и следящих систем так, чтобы уравнения их движения заставляли приближаться машинные переменные к истинным значениям неизвестных без какой-либо тенденции к неустойчивости или неуправляемым колебаниям. Если машинные переменные сходятся к постоянным значениям в динамическом режиме решающих элементов, то эти значения являются истинными значениями неизвестных. [13]
Моделирующие устройства позволяют дублировать: применение оборудования при ликвидации открытого фонтанирования и повышение плотности промывочной жидкости до величины, достаточной для глушения скважины и обеспечения нормальных условий бурения. [14]
Моделирующее устройство состоит из следующих функциональных узлов ( рис. 0.1): 1) модели объекта; 2) генератора шума; 3) генератора дрейфа; 4) измерительной схемы; 5) блока питания. [15]
Моделирование полупроводниковых устройств — Semiconductor device modeling
Моделирование полупроводниковых устройств создает модели поведения электрических устройств на основе фундаментальной физики, такие как профили легирования устройств. Это также может включать создание компактных моделей (таких как хорошо известные модели транзисторов SPICE ), которые пытаются уловить электрическое поведение таких устройств, но обычно не выводят их из лежащих в основе физики. Обычно он начинается с результатов моделирования полупроводникового процесса .
Содержание
Введение
Рисунок справа дает упрощенное концептуальное представление «большой картины». На этом рисунке показаны два каскада инвертора и результирующий график зависимости входного-выходного напряжения от времени схемы. С точки зрения цифровых систем ключевыми параметрами, представляющими интерес, являются: временные задержки, мощность переключения, ток утечки и перекрестная связь ( перекрестные помехи ) с другими блоками. Также вызывают беспокойство уровни напряжения и скорость перехода.
На рисунке также схематично показана важность I on по сравнению с I off , что, в свою очередь, связано с током возбуждения (и подвижностью) для «включенного» устройства и несколькими путями утечки для «выключенных» устройств. На рисунке явно не показаны емкости — как собственные, так и паразитные — которые влияют на динамические характеристики.
Масштабирование мощности, которое в настоящее время является основной движущей силой в отрасли, отражено в упрощенном уравнении, показанном на рисунке — критическими параметрами являются емкость, источник питания и частота тактирования. Ключевые параметры, которые связывают поведение устройства с производительностью системы, включают пороговое напряжение , ток возбуждения и подпороговые характеристики.
Именно сочетание проблем производительности системы с базовой технологией и переменными конструкции устройства приводит к действующим законам масштабирования, которые мы теперь кодифицируем как закон Мура .
Моделирование устройства
В физике и моделировании устройств в интегральных схемах преобладают модели МОП и биполярных транзисторов. Однако важны другие устройства, такие как устройства памяти, которые предъявляют совсем другие требования к моделированию. Конечно, существуют также вопросы инженерии надежности — например, схем и устройств защиты от электростатического разряда (ESD), — где подложка и паразитные устройства имеют решающее значение. Эти эффекты и моделирование не учитываются большинством программ моделирования устройств; Заинтересованный читатель может найти несколько отличных монографий в области моделирования электростатических разрядов и ввода-вывода.
Физические модели и компактные модели
Моделирование устройств, основанное на физике, должно быть точным, но оно недостаточно быстрое для инструментов более высокого уровня, включая имитаторы схем, такие как SPICE . Поэтому симуляторы схем обычно используют больше эмпирических моделей (часто называемых компактными моделями), которые напрямую не моделируют лежащую в основе физику. Например, моделирование мобильности на инверсионном уровне или моделирование мобильности и ее зависимости от физических параметров, окружающей среды и условий эксплуатации является важной темой как для физических моделей TCAD (технология автоматизированного проектирования), так и для компактных моделей на уровне схем. Однако это не совсем точно моделируется из первых принципов, поэтому прибегают к подгонке экспериментальных данных. Для моделирования мобильности на физическом уровне электрическими переменными являются различные механизмы рассеяния, плотности носителей, а также локальные потенциалы и поля, включая их технологии и зависимости от окружающей среды.
Напротив, на схемном уровне модели параметризуют эффекты в терминах напряжений на клеммах и эмпирических параметров рассеяния. Эти два представления можно сравнивать, но во многих случаях неясно, как следует интерпретировать экспериментальные данные с точки зрения более микроскопического поведения.
История
Эволюция технологий автоматизированного проектирования (TCAD) — синергетического сочетания инструментов моделирования и моделирования процессов, устройств и схем — уходит корнями в биполярную технологию, начиная с конца 1960-х годов, и проблемы изолированного соединения, двойного и тройные диффузионные транзисторы . Эти устройства и технологии легли в основу первых интегральных схем; Тем не менее, многие проблемы масштабирования и лежащие в основе физические эффекты являются неотъемлемой частью конструкции ИС , даже после четырех десятилетий разработки ИС. В этих ранних поколениях ИС изменчивость процесса и параметрический выход были проблемой — тема, которая снова появится в качестве управляющего фактора в будущей технологии ИС.
Вопросы управления процессами — как для внутренних устройств, так и для всех связанных с ними паразитных факторов — представляли огромные проблемы и требовали разработки ряда передовых физических моделей для моделирования процессов и устройств. Начиная с конца 1960-х и в 1970-е годы, используемые подходы к моделированию были преимущественно одно- и двумерными симуляторами. В то время как TCAD в этих ранних поколениях показывал захватывающие перспективы в решении физических задач биполярной технологии, превосходная масштабируемость и энергопотребление технологии MOS произвели революцию в индустрии IC. К середине 1980-х годов КМОП стали доминирующим драйвером для интегрированной электроники. Тем не менее, эти ранние разработки TCAD заложили основу для их роста и широкого развертывания в качестве важного набора инструментов, который использовал развитие технологий в эпоху VLSI и ULSI, которые сейчас являются основным направлением.
В разработке ИС более четверти века преобладала технология МОП. В 1970-х и 1980-х годах предпочтение отдавалось NMOS из-за преимуществ скорости и площади в сочетании с технологическими ограничениями и проблемами, связанными с изоляцией, паразитными эффектами и сложностью процесса. В ту эпоху LSI с преобладанием NMOS и появление VLSI фундаментальные законы масштабирования технологии MOS были систематизированы и широко применялись. Именно в этот период TCAD достигла зрелости с точки зрения реализации надежного моделирования процессов (прежде всего одномерного), которое затем стало интегральным инструментом проектирования технологий, повсеместно используемым в отрасли. В то же время моделирование устройств, преимущественно двумерное из-за природы устройств MOS, стало рабочей лошадкой технологов при проектировании и масштабировании устройств. Переход от технологии NMOS к технологии CMOS привел к необходимости тесно связанных и полностью двумерных симуляторов для моделирования процессов и устройств. Это третье поколение инструментов TCAD стало критически важным для решения всей сложности технологии двухкамерной CMOS (см. Рисунок 3a), включая вопросы правил проектирования и паразитные эффекты, такие как защелкивание . Сокращенная перспектива этого периода до середины 1980-х гг. Дается в; а с точки зрения того, как инструменты TCAD использовались в процессе проектирования, см..