Vddcr cpu switching frequency сколько ставить

5

Vddcr cpu switching frequency сколько ставить

User Rating: 5 / 5

• Zen Architecture
• Ryzen Master Utility
• Intel Overclocking Terminology FAQ

Article Index

• AMD Overclocking Terminology FAQ
• BIOS Settings AMD
• All Pages

BIOS Settings.

What is VDDCR CPU Load Line Calibration?

CPU LLC adds extra voltage to compensate for Vdroop when a CPU or GPU is put under heavy load. LLC gives overclocking stability by preventing low or high voltage fluctuations and tries to maintain a stable voltage supply to the CPU or GPU. Higher LLC tends to overshoot more in voltage supply, and a lower LLC tends to undershoot in the voltage supply to the CPU.

What is VDDCR CPU Current Capability?

It is a threshold for the VRM to shut down and monitors the current supply to the CPU, setting Current Capability higher will allow for more current supply to the CPU but will increase heat output. This works best if you have an overclock that shuts down the motherboard/PC because the threshold is triggered.

What is VDDCR CPU Switching Frequency?

Switching frequency is the transient response of your VRM MOSFETs settings this higher in Mhz will allow for a better transient response at the expense of increased heat output and using a lower setting in Mhz will lower the heat output but lower the transient response. Better transient response in overclocking translates into a more stable voltage supply from your PSU to the CPU.

What is VDDCR CPU Power Duty Control?

This will allow for setting the current supply to the internal CPU voltage regulator at the expense of increased heat when set to extreme and lower heat when using optimized or standard. This will help with stability in overclocking and give the best result when using optimized or extreme.

What is VDDCR CPU Power Phase Control?

This affects your VRM Power Phases to the CPU and will be depending on the setting, achieve greater stability in overclocking. Setting Power Phase Control to extreme keeps the number of active CPU power phases at the maximum. If you set Power Phase Control to optimized, there will be a power-saving, but less stability, phases to the CPU will power down.

What is SOC?

SOC(AMD) stands for System On Chip and is also known as uncore(Intel) and encompasses all the components, not in the core of the actual CPU but on the same substrate like internal GPU, Cache, I/O Ports, Memory Controller etc. Overclocking SOC settings can help in varying degrees with keeping CPU core components stable.

What is VDDCR SOC Load Line Calibration?

SOC LLC adds extra voltage to compensate for Vdroop when uncore is put under heavy load LLC gives overclocking stability by preventing low or high voltage fluctuations and tries to maintain a stable voltage supply to the uncore. Higher LLC tends to overshoot more in voltage supply, and a lower LLC tends to undershoot in the voltage supply to the SoC.

What is VDDCR SOC Current Capability?

It is a threshold for the VRM to shut down and monitors the current supply to the SoC, setting Current Capability higher will allow for more current supply to the SoC but will increase heat output. This works best if you have an overclock that shuts down the motherboard/PC because the current threshold is triggered.

What is VDDCR SOC Switching Frequency?

Switching frequency is the transient response of your VRM MOSFETs settings this higher in Mhz will allow for a better transient response at the expense of increased heat output and using a lower setting in Mhz will lower the heat output but lower the transient response. Better transient response in overclocking translates into a more stable voltage supply to the SoC.

What is VDDCR SOC Power Phase Control?

This affects your VRM Power Phases to the uncore and will be depending on the setting, achieve greater stability in overclocking. Setting Power Phase Control to extreme keeps the number of active SoC power phases at the maximum If you set Power Phase Control to optimized there will be a power-saving, but less stability, phases to the CPU will power down.

What is VDDCR SOC Voltage?

This setting affects the voltage supply to the SoC components. It should be increased when overclocking the CPU core frequency/ratio to aid with better stability of the SoC components as well as the core components. Increasing the VDDCR SOC Voltage will increase the heat output of the CPU package as a whole.

What is CPU Core Ratio?

Sets the clock rate of your CPU by a factor of 10X. So a Core Ratio of 40.00 will multiply the external clock with a base value of 100 to 4,0Ghz.

What is VDDCR CPU Voltage?

Sets the voltage for your CPU on a 1:1 ratio, depending on your motherboard you can either enter a manual value of an offset value. So a value of 1.4000 will set the CPU voltage to 1.4 volts using the manual setting.

What is FCLK?

Stands for Infinity Fabric Clock Speed(FCLK) and can be adjusted with the new Ryzen 3000 series(Zen2). In previous Zen and Zen+ architecture, the Infinity Fabric Clock speed would be set by the DRAM frequency(MCLK). Ideally, you want FCLK to run synchronously(1:1 ratio) with the MCLK for best performance. In short, a DDR4(Double Data Rate) kit is rated for 3600Mhz MCLK and therefore will run synchronously with 1800Mhz FCLK, a 1:1 ratio.

What is the GFX clock frequency?

Sets the clock rate of the internal Vega GPU on Ryzen APUs by a factor of 1:1, so a 1600 value translates into a 1600mhz GPU clock speed.

What is the GFX core voltage?

Sets the voltage for the internal Vega GPU on Ryzen APUs on a 1:1 ratio, so a manual value of 1.25000 is 1.25 volts.

What is AMD SAM?

Stands for Smart Access Memory and work with the AMD 5000 series CPUs and AMD 6000 GPU’s. In short, it is a new way for your PC to access the whole memory capacity(VRAM) of an AMD 6000 series GPU. Previously this was done with 256MB paging of the VRAM called BAR(Base Adress Register). Depending on your motherboard brand it can be found in the PCIe section of the advanced menu or advanced settings and turn on Above 4G Encoding and Re-Size BAR Support.

What is DRAM Voltage?

Is the voltage supply to your RAM aka Memory sticks, increasing the DRAM voltage will allow your RAM to run at a higher frequency at times without changing the DRAM Timings but will increase heat output.

What is Global C-State Control?

This sets the idle states of a CPU when it is not executing commands there a various C-States and serve as a power-saving function. For overclocking, this should be turned off since you want maximum performance at the expense of increased power consumption and helps with keeping a stable overclock.

Closing thoughts.

The main reason to write this FAQ is to supplement guides for AMD Ryzen based CPU’s found on this website, and I could not find a one-stop-shop solution for ensuring I nail the explanation for each BIOS settings correctly. You can find my guides for the AMD Ryzen CPU’s in the bullet list below.

Что такое Vcore Voltage

Технология LLC доступна в программных интерфейсах большинства материнских плат. В данный момент уже многие крупные производители материнских плат — ASUS, GIGABYTE, ASRock, MSI и др. — реализовали в своей продукции эту технологию.

LLC используется для борьбы с падениями напряжения. Работает следующим образом: как только напряжение, подаваемое на процессор, начинает снижаться при нагрузке, LLC динамически поднимает базовое напряжение, тем самым компенсируя его падение. Чем ниже опускается фактическое напряжение, тем выше LLC поднимает базовое.

На графике ниже показана разница величин напряжения при условии задействования LLC уровня 1 (0%) и уровня 5 (100%). По вертикали — напряжение, по горизонтали — нагрузка на процессор.

Как видно из графика, при отключённой LLC напряжение неуклонно падает. Для уровня 5 видим обратную картину: напряжение завышено, что тоже не очень хорошо. Немного поразмыслив, понимаем, что нужно поискать оптимальное значение. Об этом будет сказано в разделе о настройке параметра.

Такой подход позволяет выровнять уровень напряжения, подаваемого на процессор, и сделать работу компьютера стабильной. Далее переходим к установке параметра CPU Load-Line Calibration в биосе.

CPU load line calibration Asus что это

Разгон, оверклокинг (от англ. overclocking) — повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы.

Обсуждаем разгон своих ПК, делимся результатами, советуем.

Сообщение отредактировал ninja88

Вообщем предлагаю пообсуждать способы, результаты разгона пк и кпк. :victory: Начну с себя, разогнал свой pentium4 prescott 3ггц на мамке asus p4p800 до 4.6 ггц. Вот скиншот

. Скиншот проги cpu-z, разгонял в ClockGen. Обе прикреплены. После 4 ггц стал сильно греться и я заменил кулер на cooler master, ща не поднимается выше 70гр. До маленького братца руки пока не доходят, да и незачем наверное.

ClockGen.zip ( 327,77 КБ )

Сообщение отредактировал GalogeNspb

cpu-z инфа о процессоре

Ужас. А что без валидации? Свежо преданье, да верится с трудом, учитывая, что на https://www.overclockers.ru/cpubase/?cpu=22. &action=results не видно ничего похожего даже на водянках. Гнать через биос надо. Бенчмарки прогонял?

Гнал и до 4ггц, но с использованием ледяного воздуха за окном, скрин сделать не смог (забыл отключить C1E, он падла сбросил множитель до 6 и стало неинтересно скриншотить, держать его в таком режиме долго боялся так как в любой момент мог конденсат пойти).

Разгон ББ — правильная вещь. КПК гнать не стоит.

Кулер TT Big Typhoon

Уже долгое время работаю на 333х9=3000мгц. Выше на хрен не надо, проц и так мощный, греется по ядрам максимум до 55 градусов, система работает тихо.

, картинка сильно смахивает на фотошоп. В «core speed» цифра «4» на пиксель дальше положенного. Пройди пожалуйста валидацию.

Я щас сбросил на всякий случай до 3.6 то ли новый кулер глючит то ли прога ,но как тока разогнал с новым показывал 70 гр. а щас открыл а там 87 и решил сбросить

я пройду твою валидацию, только как? я в фотошопе вообще не бум-бум

Сообщение отредактировал GalogeNspb

Последняя вкладка в CPU-Z, кнопка validation, делаешь что написано, на сайте указываешь «доступно публично». А дальше можно полученные цифры вбить в соответствующее поле, чтобы как у меня в нижнем левом углу показывало, и заскриншотить, или просто выложить число тут. Валидация — подтверждение того, что действительно разогнал, плюс кучу нужной информации показывает про систему.

На https://valid.x86-secret.com/ можно в соответствующем поле вбить свое число (у меня например 151406) и увидеть скриншот и все данные. Но их скриншот не показывает напряжение, плюс некрасивый, поэтому я свой сделал.

И еще. Гнать надо через биос, так как 1) Клокген имеет свойство завышать реальную частоту. 2) Загрузка винды — некоторый небольшой тест на стабильность. Да и POST тоже.

JDIMA, млжешь по-подробнее рассказать как гнать через биос или сайтик на эту тему дать? ща сделаю эту валидацию

Сообщение отредактировал GalogeNspb

Настройка параметра CPU Load-Line Calibration

До искомого параметра CPU Load-Line Calibration в настройках BIOS можно добраться, следуя по по пути (для материнских плат ASRock): OC Tweaker → Voltage Configuration → CPU Load-Line Calibration. Выбор этого пункта приводит к загрузке контекстного меню, в котором, в свою очередь, можно выбрать одно из 6-ти значений: Level 1-5 и Auto.

На скриншотах ниже для наглядности показана зависимость напряжения (по вертикали) от выбранного уровня LLC и уровня нагрузки на процессор (по горизонтали). Для проведения тестирования использовались режимы Level 1 и Level 3. В данном конкретном случае проводилось тестирование процессора AMD Ryzen 5 2600X с помощью бенчмарка Cinebench R20. Для проведения мониторинга показаний и вывода графиков использовалась утилита HWiNFO64. Для режима Level 1 имеем следующую картину:

Кривая уровня напряжения имеет провалы. Это именно те моменты, когда процессор был загружен на 100%. Далее посмотрим на результаты для оптимального режима Level 3:

Нагрузка та же, но провалы на кривой уровня напряжения исчезли, оно стабильно держится на заданном уровне.

Ответ на вопрос о том, какой именно уровень CPU Load-Line Calibration установить, зависит от того, как сильно падает напряжение, подаваемое на процессор при нагрузке. Начинать стоит с самых малых значений, увеличивая уровень использования режима LLC постепенно до тех пор, пока падение напряжения остаётся. Вы поймёте, что подобрали нужный уровень, как только напряжение, подаваемое на процессор под нагрузкой, стабилизируется на установленном вами значении. Большинству пользователей подойдут режимы Level 3 (50%) и Level 4 (75%).

Самое высокое значение — Level 5 (100%) — может быть полезно только для выполнения экстремального разгона процессора. Выбор этой опции приведёт к значительному повышению температур и напряжения, подаваемого на процессор в простое, что повлечёт за собой быструю деградацию кристалла процессора.

CPU load line calibration Asus что это

Доброго времени суток

Кто нибудь юзает эту мп ? есть ли проблема «двойного старта»? Есть ли решение от этого?

Eternal_student
Кто нибудь юзает эту мп ? есть ли проблема «двойного старта»? Есть ли решение от этого?
есть нет решение для того чего нет — отсутствует

PS PCI-E плата стоит по умолчанию.. видеокарта

PCI-E плата стоит по умолчанию.. видеокарта

шутеечка за 300

очевидно помимо видеокарты

RYZEN 5 2600 + AMD Wraith Prism (без разгона) Asus Prime b350-plus HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000 HX430C15PB3K2/16

Полет нормальный! Спрашивайте, какие тесты сделать и чем погонять?

Добавление от 22.02.2019 22:07:

Dj
RYZEN 5 2600 + AMD Wraith Prism (без разгона) Asus Prime b350-plus HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000 HX430C15PB3K2/16 [source=9:69294:10]
Здравствуйте, а вы давно материнку покупали? Столкнулся с такой проблемой, купив её неделю назад с bios 4023, в интеренете один человек написал, что у него не запустилась плата с этим биосом с 1600 райзеном. Вот теперь ищу подтверждение этого, так как проц только предстоит через месяц покупать.

@[email protected]
Вообще странно что не запустилась у меня чуть более ранний биос — все работает.. [source=9:69294:12]
Я поэтому и написал, что может Asus чего с конкретно этой версией биос начудил, что Zen+ запускаются, а первое поколение — нет. Пока мне проц покупать не на что, поэтому ищу какие нибудь отзывы именно по этой версии bios 4023, может у кого такой же случай был.

Мог процессор пережать кулером при сборке если кулер не боксовый — тут были такие случаи [source=9:69294:12]

Он написал, что у него есть еще один комп на этой матери и там проц 2200g и когда он снял с этой платы с bios 4023 не запустившийся 1600 райзен и поставил 2200g, то все запустилось. Прошил на более старый bios и поставил обратно 1600 — все заработало. Вот и думай, единичный случай или правда косяк Asus.

Добавление от 25.02.2019 13:44:

цитата: Прошил на более старый bios и поставил обратно 1600 — все заработало. А чего не 4207 ?) Она же самая последняя!

Добавление от 25.02.2019 13:59:

И еще пару тем для обсуждения: 01) Что можно сделать с использованием RGB? У меня кулер есть, который к RGB подключен 02) VDDCR CPU Power Phase Control: Судя по обсуждению отсюда https://forum.overclockers.ua/viewtopic.php?f=23&t=177946&sid=6a2e46c90387b5a5c58b5859429301a0&start=24 И описания этой настройки в мануале от другой матери, https://dlcdnet.asus.com/pub/ASUS/mb/SocketAM4/PRIME_…X370-A_UM_WEB.pdf цитата: Все немного сложнее, «оптимизировано» — это доверить PSI процессору управлять фазами как ему вздумается, экстрим — это принудительно постоянно все. Хотя не скрою под «оптимизировано Asus» может скрываться что угодно, точно знает лишь инженер писавший биос. 03) Я так понимаю, что кулера 3-х пиновые можно заставить «умно» вращаться» используя DC Mode — я так понимаю «пульсирующий режим подачи питания»?

Dj
Я так понимаю, что кулера 3-х пиновые можно заставить «умно» вращаться» используя DC Mode — я так понимаю «пульсирующий режим подачи питания»? [source=9:69294:14]
нЕТ не пульсирующий. Изменяется напряжение от 7 до 12 В ( диапазаон изменения зависит от настроек биоса) в каждой материи свой. Ну упрощенно — это тупо изменяется амплитуда и всё.

Добавление от 01.03.2019 23:51:

Начинаю капать BIOS дальше VDDCR CPU Load Line Calibration [Auto]

код: цитата: Более высокие значения параметра — обеспечивают более высокое напряжение и лучшую разгонную производительность, но увеличивают тепловыделение процессора и VRM В итоге, если разгона нет VDDCR CPU Load Line Calibration= Regular

VDDCR SOC Load Line Calibration

код: цитата: При увеличение частоты процессора, за счет изменения множителя, пропорционально увеличивается и напряжения на нем, однако, происходящее при этом незначительное падение напряжения создает определенные препятствия для успешного разгона.

Как победить падение напряжения Для борьбы с этой проблемой была специально придумана функция LLC. LLC означает Load-Line Calibration. Функция увеличивает напряжение vCore, чтобы компенсировать его просадку при высокой нагрузке. Это позволяет нивелировать разницу напряжения на процессоре в простое и под нагрузкой. LLC является незаменимой опцией, когда речь идет об использовании разогнанной системы в режиме 24/7. В большинстве случаев настройки 50% или 75% LLC должно быть достаточно. Экстремальные оверклокеры могут попробовать включить параметр в 100%, что в большинстве случаев приведет к значительному повышению напряжения в простое и незначительному повышению напряжения под нагрузкой. В итоге VDDCR SOC Load Line Calibration = Regular

VDDCR CPU Power Phase Control код: цитата: Увеличение числа фаз при большой нагрузке на систему, чтобы получить более кратковременные и лучшие тепловые характеристики — гугл переводит коряво! Нагуглил отзывы в интернете — экстрим более прожорлив!

VDDCR CPU Switching Frequency 200

код: Пока не понимаю как лучше

К сообщению приложены файлы: 1.jpg, 1721×1920, 331Кb

Выводы

Теперь вы знаете какой уровень Load-Line Calibration ставить, в зависимости от ваших целей и задач. Load-Line Calibration — очень полезная технология, позволяющая стабилизировать работу компьютера с разогнанным процессором. Включив её и подобрав оптимальное для вас значение, вы больше не столкнётесь с проблемой возможной нестабильной и неровной работы процессора. Однако и переусердствовать было бы нежелательно: завышенное напряжение, подаваемое на процессор, не всегда сказывается положительно — оно влечёт за собой повышенные энергопотребление и тепловыделение. В неумелых руках технология LLC Ryzen может только усугубить проблемы и даже привести к порче оборудования.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

No related photos.

(4 оценок, среднее: 4,75 из 5)

Об авторе

Load-Line Calibration

Другие идентичные по назначению опции: CPU Voltage Dumper, CPU Load Line Rate (mV/A).

К числу опций, связанных с тонкими настройками параметров работы центрального процессора (ЦП) персонального компьютера, относится опция Load-Line Calibration (Регулирование загрузки). Ее включение позволяет изменить режим корректировки напряжения ядра процессора при его максимальной нагрузке. Возможные значения опции в большинстве BIOS имеют всего два варианта – Enabled (Включено) или Disabled (Выключено).

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

(рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’. на сборку TM5 с множеством конфигов.
1. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

• Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
• Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.

Альтернативные варианты

1. Установите WSL и Ubuntu.
2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

• Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
• В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

• Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
• Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
• xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
• PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

• DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
• DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

• Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
• Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

• На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
• Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
• Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
• По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

• Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
• Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

• 3 = Micron
• 4 = Samsung
• 5 = Hynix
• 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

• 1 = 2 Гб
• 2 = 4 Гб
• 3 = 8 Гб
• 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

• Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
• Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
• Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
• Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

• Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
• Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
• Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
• И следующие 2 цифры – год изготовления.
• Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

• На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
• * Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
• Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
• Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
• Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

• На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
• У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
• Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
• Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

• * – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
• Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
• Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

• Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

• Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
• Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

• Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
• В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
• Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

• MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
• FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
• UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
• На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
• В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
• SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
• С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

• Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
• * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
• * – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
• Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
• Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

• Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
• Asus: VDDCR SOC;
• Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
• MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

• «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
• Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

• Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
• Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

• На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
• На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

• MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
• Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

• Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
• Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
• Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

• Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
• Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

• Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
• Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
• Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
• Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
• Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

• На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
• Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

• Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
• Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
• На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

• Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
• tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
• Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
• Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
• Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Виды разгона AMD Ryzen. Тест Ryzen 7 3700X на ASRock X570 Extreme 4

Процессоры с разблокированным множителем всегда ценились энтузиастами. Увеличение их частоты путем несложных манипуляций давало возросшую производительность, сравнимую с показателями старших моделей в линейке.

Но на сегодняшний день ситуация с разгоном изменяется не в лучшую сторону для пользователей. В конкурентной борьбе производители стараются изначально выжать максимум из чипов.

Да и нужен ли ручной разгон на современной платформе? Процессоры стали намного интеллектуальнее за последние пару лет. Они умеют разгонять себя сами – технологии Turbo Boost у intel и Precision Boost Overdrive (PBO) у AMD. В отличии от ручного разгона, данные технологии работают по алгоритму, основанному на множестве датчиков – учитываются показатели напряжений, энергопотребления, температуры.

Особенно в этом преуспела компания AMD с выходом архитектуры Zen 2. Давайте рассмотрим способы разгона процессоров Matisse на примере Ryzen 7 3700X. Оценим их возможности и обсудим актуальность разгона как такового.

А вот тут, кстати, наш гайд по разгону процессоров AMD Ryzen.

Тестовый стенд

• Процессор: AMD Ryzen 7 3700X;
• Материнская плата: ASRock X570 Extreme 4, BIOS v 2.30 от 16.03.20;
• Оперативная память: XPG Spectrix D80 DDR4 RGB Red Edition AX4U320038G16-DR80;
• Охлаждение CPU: Thermaltake Pacific RL240 Water Cooling Kit;
• Блок питания: Enermax Platimax D.F. 750W;
• Накопитель: Goodram PX500 NVMe PCIe Gen 3 ×4 на 512 ГБ;
• Операционная система: Windows 10 Pro 64-bit версия 2004.

Настройки DIGI + VRM Ryzen 2600.

Эти настройки важны при подготовке к разгону вашего процессора и оперативной памяти. Для этого руководства важны только настройки ЦП, но есть небольшой пробег для домена SoC для разгона памяти. Одно важное замечание здесь, что калибровка линии нагрузки (LLC) установлена ​​на уровень 4 с максимальным уровнем 5. Это означает, что есть небольшое Vdroop под нагрузкой с уровнем 4, уровень 3 и ниже будет создавать еще больший Vdroop для этого конкретного VRM. .

VDDCR CPU Current Capability до 130%, короче говоря, сколько энергии он может потреблять по сравнению с базовым уровнем от 100% до 130%.

Автоматический разгон

Автоматический разгон, или Boost, у AMD лимитируется несколькими параметрами:

• PPT Limit (Package Power Tracking) – ограничение на потребление процессором энергии в ваттах, при превышении TDP частоты уменьшаются.
• TDC Limit (Thermal Design Current) — ограничение на максимальный ток, подаваемый на процессор. Определяется эффективностью охлаждения VRM на материнской плате.
• EDC Limit (Electrical Design Current) – ограничение на максимальный ток, подаваемый на процессор. Определяется электрической схемой VRM на материнской плате.
• Precision Boost Overide Scalar – коэффициент зависимости подаваемого на процессор напряжения от его частоты. При отключении трех выше приведенных параметров данный ограничитель спасает процессор от выхода из строя, ограничивая подаваемое напряжение. Для одного ядра и для всех ядер этот показатель различается. В нашем случае при максимальном значении Scalar ×10 с отключенными ограничениями максимальное напряжение на одно ядро составило 1.49 В.

Как видим, авторазгон зависит не только от экземпляра процессора, но и от материнской платы, а конкретно от её схемы питания VRM, её охлаждения, а также от эффективности охлаждения самого CPU.

Учитывается не только общая пиковая мощность чипа, но и индивидуальные характеристики каждого ядра: его частотный отклик на напряжение, тепловые взаимодействия между соседними ядрами, ограничения по мощности для каждого ядра.

В автоматическом разгоне максимальная частота на 1-3 ядра была 4400 МГц, четыре ядра, восемь потоков работали с максимальной частотой 4275 МГц, при 100% нагрузке на всех потоках все ядра работали на частоте 3949 МГц. Максимальное энергопотребление составило 90 Вт с наибольшим напряжением от 1.18 до 1.49 В. В стресс-тесте LinX температура поднялась до 68°C.

В однопоточном режиме максимальная частота достигает заявленной в технических характеристиках Ryzen 7 3700X. В многопоточном режиме авторазгон прибавляет 12% к базовой частоте процессора.

Усиленная амортизация.

В основе инновационной технологии BOOST™ от adidas — революционный амортизирующий материал. При поддержке BASF, ведущей мировой химической компании, adidas добилась невозможного: твердые гранулы термопластика (TPU) в буквальном смысле надуваются и превращаются в тысячи маленьких энергосберегающих капсул, образуя оригинальную промежуточную подошву. Благодаря своей уникальной структуре в виде ячеек эти энергетические капсулы аккумулируют и высвобождают энергию при каждом шаге. Тесты, проведенные подразделением adidas по инновациям, показывают, что чрезвычайно износостойкий материал, который используется только в продукции BOOST™, обеспечивает самый высокий уровень энергоотдачи в беговой индустрии. «adidas стремится создавать инновационные продукты, которые помогают спортсменам добиваться лучших результатов. Технология BOOST™ — это революция в области амортизации, обеспечивающая самый высокий уровень возврата энергии в отрасли, — говорит Эрик Лиедтке, глава Sport Performance. — Одним словом, Boost – это великолепная беговая обувь следующего поколения. С ней мы изменим беговую индустрию». «BOOST™ — это материал будущего, который сочетает функциональные преимущества: с одной стороны, мягкость и комфорт и адаптивную амортизацию, с другой стороны. Это становится залогом самого комфортного бега в истории. Вы сразу почувствуете все преимущества обуви с инновационной технологией adidas, только надев ее. BOOST™ устанавливает новые стандарты не только для беговой обуви, но и для развития всей индустрии и продукции», — добавляет Бернд Валер, директор по инновациям компании adidas.

Ручная установка множителя

Это самый популярный способ разгона процессоров, не требующий особых знаний, известен много лет, именно он используется в основном для разгона процессоров intel. Подходит для процессоров Ryzen без суффикса Х.

Заходим в BIOS, ищем вкладку или параметр OC Tweaker. Значение CPU Frequency переводим в ручной режим. Изменять будем два параметра: множитель и напряжение.

По умолчанию для нашего процессора эти показатели равны 36 и 1.1 В. Постепенно изменяем множитель на единицу, сохраняемся, загружаем Windows и тестируем стабильность работы. При невозможности загрузки ОС или ошибках в тестах, увеличиваем напряжение. Безопасным считается диапазон напряжения до 1.45 В.

Необходимо учесть, что при включении ручного режима изменения множителя, динамическое изменение частоты отключается, все ядра будут работать на выставленной вручную частоте, не снижая ее без нагрузки. Напряжение при этом будет изменяться в зависимости от нагрузки.

В результате нам удалось поднять частоту всех ядер до 4.3 ГГц с напряжением 1.42 В. На данной частоте система работала стабильно, проходила все тесты без ошибок.

На частотах 4.4 и 4.45 ГГц Windows загружалась, но в тестах были ошибки, и система работала не стабильно. Повышение напряжения не помогало.

Приведем график зависимости роста напряжения от частоты, изменения температуры под нагрузкой и энергопотребления.

Как видим, до 4.2 ГГц напряжение изменяется незначительно и температуры достаточно низкие. Но уже на 4.3 ГГц температура и энергопотребление значительно возрастают.

Что получаем в итоге? Все ядра при 100% загрузке работают на частоте 4300 МГц — это плюс 20% к номинальной частоте. Энергопотребление выросло до 137 Вт при напряжении 1.42 В. Максимальная температура при стресс-тесте была 82°C. Из минусов можно отметить отсутствие изменения частоты без нагрузки.

Но это еще не все, что возможно делать с процессорами на архитектуре Zen 2. Так как процессор физически состоит из отдельных блоков CCX по 4 ядра в каждом, то каждый из этих блоков можно разгонять отдельно, если, конечно, в BIOS имеется такая возможность.

В нашем процессоре 3700Х таких блоков два и один из них обладает более удачными ядрами, на нем мы и попробуем увеличить частоту выше общих 4300 МГц.

Для этих манипуляций найдем соответствующие параметры на вкладке AMD Overclocking.

Предварительно во вкладке OC Tweaker значение CPU Frequency оставляем в ручном режиме, множитель не трогаем, но изменяем значения напряжения.

На вкладке AMD Overclocking нас интересуют два параметра – CCX0 и CCX1 Frequency, их и будем изменять. Так как все ядра работали на 4300 МГц, этот параметр оставляем для второго блока, а на первом начинаем увеличивать частоту с шагом в 25 МГц.

Наибольшее значение, стабильно работающее, было 4350 МГц.

Прибавка незначительная, но нам важен сам принцип. В старшем AMD Ryzen 9 3900X таких исполнительных блоков уже четыре, по 3 ядра в каждом, и соответственно, больше маневр для их раздельного разгона.

Предыстория появления Adidas Boost

С момента своего первого появления еще в конце 40-х годов adidas помог реструктурировать спортивную одежду, подняв бизнес спортивной одежды, до уровня, на который немногие могут претендовать. Благодаря грандиозным показателям только в прошлом году, в том числе признанию Yahoo Finance «Спортивным бизнесом года», устойчивый подъем adidas на вершину был встречен с упорной борьбой. Хотя бренд может похвастаться потоком вневременных продуктов, которые продолжают влиять на текущее состояние культуры кроссовок — вспомните такие силуэты, как Superstar, Stan Smith и Rod Laver — многие согласятся, что титан спортивной одежды не спешил выбраться из ворот технологических инноваций.
Находясь в стороне от доминирующего положения технологии Nike Air на протяжении большей части 90-х годов, как Adidas, так и конкуренты изо всех сил пытались конкурировать с тогдашним ультрасовременным прорывом. С прямыми ссылками на стремительно растущую популярность моделей Air Max и Air Jordan соответственно, его гениальная воздушно-ориентированная межподошва, как будто в одиночку, навсегда и к лучшему изменила рынок обуви с высокими характеристиками. С учетом сказанного, Adidas в конечном итоге дал ответный удар своей собственной современной системой. Немецкий производитель кроссовок, хотя и считался опоздавшим на вечеринку, в конечном итоге показал лицо, сразу же сделав свое присутствие ощутимым — монументальным образом, изменившим правила игры.

Изменения значений Precision boost overdrive, BCLK и Offset voltage

Данная функция работает для процессоров с индексом Х и рассчитана исключительно на усиление динамического разгона. По умолчанию она отключена и её активация ведет к прекращению гарантии.

Ищем в BIOS параметр Precision Boost Overdrive. На нашей плате данный параметр был спрятан во вкладке Advanced в параметре AMD Overclocking.

Здесь мы задаем значения для параметров PPT, TDC, и EDC, их мы рассматривали выше. Выставляем везде значение 1000, что снимет все ограничения по этим пунктам. Также можно установить лимиты более реальные, рекомендованные для 3700X – 105, 70, 105, что не лишит защиты VRM.

Коэффициент зависимости напряжения от частоты, или Scalar, изменяется в диапазоне от ×1 до ×10, на практике он практически не повлиял на прибавку частоты процессора, но максимальное напряжение увеличивается при выборе большего коэффициента. Выставим значение ×2.

Значение максимального буста выставим 200 МГц – это наибольшее возможное число.

Ниже выставляем лимитирующую температуру 85 или 95 градусов.

Затем нам нужно настроить значения CPU Core Voltage — Offset Mode. Находим во вкладке OC Tweaker параметр External Voltage Settings and LLC.

Выставляем минимальное значение Offset Mode в мВ, данное значение будет плюсоваться к базовому значению напряжения при максимальной нагрузке на процессор. Возможно и отрицательное значение, тогда оно будет вычитаться из базового значения.

Здесь же можем выставить уровни значений LLC (Load-Line Calibration) – это надбавочное напряжение во время нагрузки, оно влияет на стабильность при разгоне. Всего пять уровней, от 25 до 100%.

Прочие значения CPU Over Protection оставляем в автоматическом режиме для защиты компонентов.

Сохраняемся и проверяем стабильность работы. При нестабильном поведении можем увеличить минимальное значение Offset Mode, изменить значение Scalar и уровень LLC.

Добившись стабильной работы на установленных значениях, можем еще увеличить частоту за счет изменения системной шины BCLK. По умолчанию у нас 100 МГц. Изменение данного параметра повлияет не только на процессор, но и на память, порты USB, шину PCI-E и интерфейсы SATA. Его увеличение разгоняет почти все компоненты материнской платы, что может привести к проблемам с их стабильностью, особенно это касается накопителей.

Стабильное значение было 102 МГц. Данное число умножается на динамически изменяющийся множитель и получаем результирующее значение максимальной частоты в тех или иных задачах. Максимально частота на 1-3 ядрах поднималась до 4513 МГц. При 100% загрузке всех потоков максимальная частота составила 4308 МГц по всем ядрам.

Сколько мы смогли прибавить к автоматическому разгону за счет ручной правки значений BIOS? В однопоточном режиме плюс 100 МГц, в многопоточном режиме прибавка значительнее – почти 300 МГц, это значение соответствует полученному при разгоне за счет изменения множителя.

В отличии от предыдущего вида разгона энергопотребление уменьшилось до 119 Вт при среднем напряжении 1.4 В, в пиках нагрузки напряжение благодаря Offset Mode поднималось кратковременно до 1.49 В максимум. Температура под нагрузкой также уменьшилась и составила максимум 75°C.

Сотрудничество с Канье и Фарреллом

Конечно, мы не можем упомянуть слово «буст», не думая о Канье. Кроссовки Yeezy Boost 750 впервые появились на сцене в 2015 году. Однако в течение 2021 года мы действительно начали наблюдать за тем, как Трилистник разворачивается и наращивают обороты благодаря обещанию Ye об Изи Бустах для всех. Новые цвета 350, 750 и 700 продолжают появляться в разных цветовых решениях, создавая перепродажи лимиторованных кроссовок. Так сложилось у Adidas, что одной мегазведы будет маловато и они продолжили с моделью NMD сотрудничество с Pharrell Williams. Кроссовки «Hu» от Фаррела распрадаются раньше, чем многие люди осознают что они появились в ритейле.

Одним из самых громких разговоров в первые дни BOOST была его совершенно белая отделка. Бодрая пена была просто слишком далеко впереди других технологий. В Adidas посчитали оставить единственный белый цвет, вместо того, чтобы пожертвовать долговечностью ради эстетики. До 2021 года adidas не выпускала цветную версию, поэтому выпуски с метким названием «Color BOOST» вызвали огромный резонанс.

Ryzen master, софтверный разгон

Для разгона своих процессоров из-под Windows компания AMD предлагает фирменную утилиту Ryzen master.

В данной утилите возможны все рассмотренные выше виды разгона.

Автоматический разгон — в этой вкладке мы можем изменить только параметры PPT, TDC, EDC и значение Boost, также максимум до 200 МГц. Частоту или напряжение мы поменять не сможем.

Эти же значения, но уже без выбора величины Boost можно менять в режиме Precision boost overdrive. Значения PPT, TDC, EDC по умолчанию 1000, 380, 380.

В обоих вариантах мы получили практически идентичные результаты. В отличии от автоматического режима, заданного BIOS материнской платы, прибавка была всего 50 МГц в многопоточных задачах, и до 300 МГц при смешанной нагрузке. На одно ядро — все те же 4400 МГц. А вот показатели энергопотребления и температур выросли.

Более интересным и практически востребованным видится нам режим ручного разгона. Здесь мы можем изменять не только значения CCX-модулей, но и каждого ядра в отдельности. Причем программа помечает наиболее удачные ядра для разгона. Также здесь можно вообще отключать отдельные ядра. Таких настроек нет в большинстве BIOS материнских плат.

Выставив на все ядра, ранее выявленную стабильную частоту в 4300 МГц, мы получили те же результаты. Повышение до 4400 МГц привело к перезагрузке системы после включения тестовой утилиты.

При раздельном разгоне каждого исполнительного блока CCX мы получили такие же результаты: 4350 и 4300 МГц соответственно.

Также мы заметили, что ядра, помеченные программой как самые эффективные, не совпадали с теми, что реально показывали в тестах большую частоту. Ryzen master пометила 3 ядро золотой звездой, 7 ядро серебренной, 2 и 6 — кружком. В тестах 1, 3 и 8 брали наибольшие частоты, второе ядро занимало место ниже.

Driver Booster Power Plan — что это такое?

Схема питания от ПО Driver Booster, дает примерно такой же эффект как и схема высокой производительности.

Откуда взялась? Все просто — вы установили программу Driver Booster, которая добавила в Windows свою схему питания, которая якобы лучше всех.

Чтобы открыть данное окно: зажмите Win + R > вставьте команду control или control panel > откроется панель управления, найдите значок Электропитание и запустите.

Мой совет — удалить схему питания, потому что от нее толка нет никакого и лучше использовать штатные схемы Windows.

Итоговые результаты

Давайте посмотрим на прирост производительности в тестовых утилитах при различных режимах разгона. Во всех тестах оперативная память работала с XMP профилем 3200 МГц 16-18-18-36 CR1.

Первый тест LinX 0.6.5 AMD Edition AVX. Данная утилита нагружает все потоки. Приведем параметры в GFlops.

Следующий тест — Cinebench R20 также нагружает все ядра, рендеринг является одной из самых популярных нагрузок для современного ПК, где задействуется многопоточность.

Как видим, в задачах, нагружающих все потоки, преимущество у разгона по множителю, частота и напряжение фиксированные. Режим разгона PBO+BCLK немного уступает, хотя все ядра и работают на такой же частоте в 4300 МГц, но они могут просаживаться периодически. Софтверный разгон уступает незначительно.

Следующие тесты нагружают не все потоки равномерно, архиватор WinRAR и wPrime изменяют нагрузку в динамике.

В данных тестах мы видим, что разгон по множителю проигрывает в производительности из-за меньшей частоты при задействовании 1-3 ядер.

На скорость работы с памятью оказывает влияние только режим разгона с увеличением BCLK, так как он изменяет и скоростные характеристики памяти за счет увеличения частоты шины. Мы видим при этом прирост в записи и копировании данных.

История разработки

Несмотря на то, что официальный релиз Boost состоялся в 2013 году, разработка этой технологии началась в 2007. И разрабатывали её вовсе не adidas. За инновацию отвечал один из крупнейших производителей химической продукции — Badische Anilin & Soda-Fabrik (сокращённо BASF).

Первоначально новинка выглядела как россыпь небольших белых гранул, которые разработчики называли «энергосберегающими капсулами». Несмотря на столь важные свойства таких амортизирующих капсул и высвобождение энергии, BASF так и не нашли для будущей Boost достойного применения. Тогда инженерами компании было принято решение слить эти гранулы воедино, чтобы получить более практичные блоки с энергоотдачей. А термин «энергоотдача» к тому моменту уже звучал при упоминании беговой обуви, так что недолго думая BASF решили продать патент на технологию гиганту спортивной индустрии adidas.

Белые гранулы для технологии adidas Boost

Бренд, конечно же, не спешил отказываться от такой отличной возможности. На презентации было представлено несколько экземпляров продукции, изготовленной с применением будущей Boost. Мячу, который был центральным образцом на презентации, предстояло в будущем стать одной из важнейших вещей, когда-либо созданных по этой инновационной технологии. Белые гранулы BASF превосходили по своим свойствам ставший уже традиционным этилвинилацетат (он же ЭВА/EVA).

Немецкая спортивная марка была впечатлена свойствами амортизирующих капсул, а потому они без промедления подписали договор, дававший adidas исключительную лицензию на производство межподошв по технологии BASF. А затем, когда все юридические нюансы и формальности были решены, технологи бренда быстро придумали, как можно было бы усовершенствовать только что приобретённую технологию. Уже в 2012 году adidas начинают испытывать первые прототипы того, что в будущем станет уже известной всем Energy Boost.

Ryzen 2600 VDDCR Core Volts.

Это часть разгона, и одно и то же напряжение можно использовать для разгона как 2600, так и 2600X. Убедитесь, что вы используете экономичное напряжение для повседневного использования, в этом случае согласованное онлайн-значение составляет 1,38 В для напряжения процессора. Раньше это было 1,40 В, однако некоторые пользователи Reddit прокомментировали ухудшение характеристик процессора при напряжении, превышающем 1,38 В. Более высокие напряжения могут использоваться для кратковременного использования с надлежащим охлаждением для тестирования и записи.

• Рекомендуемое AMD напряжение: от 1,300 до 1,350 В.
• Рекомендуемое сообществом напряжение: от 1,350 до 1,400 вольт.
• Абсолютный максимум и не рекомендуется: от 1,400 до 1,500 вольт.

Здесь есть 2 настройки, которые будут использоваться: напряжение процессора (напряжение процессора VDDCR) и соотношение ядер процессора. Для напряжения сердечника используйте либо напряжение ручного режима, либо напряжение смещения. Руководство проще в использовании и будет использоваться в этом руководстве. Режим смещения предлагает лучший детальный контроль над напряжением, однако вы сохраняете ограничения по напряжению.

Напряжение SoC не применяется при разгоне процессора, оно используется для FCLK (тактовая частота Infinity Fabric) и MCLK (тактовая частота памяти). Если вы испытываете нестабильность из-за памяти или бесконечной настройки ткани, это напряжение может быть полезно. Более подробное руководство по разгону памяти, охватывающее системы AMD и Intel, ссылка здесь: Часто задаваемые вопросы о терминологии разгона оперативной памяти DDR и Руководство по разгону для оперативной памяти DDR4. Если у вас есть QVL-память или нет QVL-памяти и есть проблемы с стабильностью работы с профилем XMP, обратитесь к этому руководству: Как стабилизировать DDR4 с помощью Infinity Fabric

Поскольку никакая сборка ПК не является такой же, начните с наивысшего рекомендованного AMD напряжения процессора 1,350 В. Это также будет работать для стандартного кулера AMD, но ожидайте большего шума вентилятора, чем при более надежном охлаждении, таком как Gelid Phantom Black, использованный при написании этого руководства. Далее следует соотношение ядер ЦП. Легкий разгон составит 4,0 ГГц, чтобы достичь 40,00 в разделе «Соотношение ядер ЦП». Сохраните, выйдите и загрузитесь в Window. Теперь, чтобы убедиться, что разгон стабильный, запустите Prime95 или Linpack Xtreme. Для Prime95 используйте малые БПФ и дайте ему поработать не менее 10 минут. Linpack Xtreme, если вы хотите использовать стресс-тест, используйте половину общей емкости вашей оперативной памяти, используя все ядра и потоки, как минимум с 3 запусками стресс-теста. При этом следите за HWiNFO64 в отношении напряжения и температуры ядра.

Он должен был пройти любой тест, теперь вы можете решить оставить разгон на 4,0 ГГц и настроить напряжение процессора. Разгон 4,0 ГГц, используемый в этом руководстве, использовал 1,269 В с калибровкой линии нагрузки 4. Если вы хотите пойти выше и перейти на 4,1 ГГц, загрузитесь обратно в BIOS и отрегулируйте напряжение ЦП до 1,38 В с соотношением ядер ЦП 41. Этот конкретный 2600 не достиг 4,1 ГГц при сохранении напряжения, в то время как он прошел Prime95, он не прошел стресс-тест Linpack Xtreme, поэтому не считается 100% стабильным. В этом случае. при разгоне было настроено напряжение на 4,05 ГГц для повседневного использования. И прошел стресс-тестирование Prime95 и Linpack Xtreme.