1333 или 1600 в чем разница ddr3

Разница между оперативной памятью DDR3 1333 и 1600

ОЗУ или оперативное запоминающее устройство. Для многих непросвещённых пользователей – это звучит, диагноз болезни или еще что похуже.

Для того, чтобы полностью раскрыть для себя тему, просто необходимо разобраться в том, что же есть такое DDR. Формат DDR– является относительно новым типом оперативной памяти пришедшим на смену SDRAM варианту. Для пользователей персональных компьютеров и создателей, комплектующих, это открыло широкие возможности в плане производительности и скорости вычисления машины.

Говоря простым языком новый тип памяти работает в 2 раза быстрее чем прежний и затрачивает в 2 раза меньшее количество ресурсов при такой же производительности и даже более (при частоте 200 МГц на выходе получается 400 МГц для старой версии). Оперативная память DDR3 может быть совместима исключительно с модулями подобными ей (DDR3L).

Защитный ключ не позволит поставить оперативную память формата DDR2, DDR1, но если же это удастся по какой-либо причине (например процессоры Intel skylake совместимы c DDR3, но не DDR3L, из-за этого могут возникнуть проблемы с установкой не подходящей модели ОЗУ) то существует риск повреждения самого модуля оперативного записывающего устройства либо компьютера. В свою очередь версии DDR3 памяти подразделяются на 7 видов (ТЧ – Тактовая частота):

• DDR3 800 – тч 100МГц.
• DDR3 1066 – тч 133МГц.
• DDR3 1333 – тч 166МГц.
• DDR3 1600 – тч 200МГц.
• DDR3 1866 – тч 233МГц.
• DDR3 2133 – тч 266МГц.
• DDR3 2400 – тч 300МГц.

Однако стоит упомянуть тот факт, что список неполный и существуют ОЗУ в которых значение эффективной скорости значительно превышает указанное в списке. Например, максимальное указанное значение в таблице 2400, также существуют и более быстродействующие модели, например DDR3-2000, или DDR3-2666, DDR3-2933. Их можно сравнить с последним на данный момент типом памяти DDR4-2666, а также DDR4-2933.

DDR3 1333

Первый рассматриваемый гость относится к третьей вариации, а следовательно работает на частоте 166 МГц. Первоочередное что должен знать пользователь, выбирающий ОЗУ это то для каких целей будет использоваться компьютер. Будет это работа, развлечения или работа, связанная с развлечениями.

Также необходимо учитывать те комплектующие, которые уже находятся в ПК или же планируются к покупке и установке. Ведь не каждая оперативная память будет работать далеко не с каждым процессором и не с каждой материнской платой.

DDR3 1600

Второй подопечный относится уже к четвертой вариации, то есть работает на 200 МГц тактовой частоты. Увеличенная эффективная скорость, которая составляет 1600МГц/секунда, открывает большие перспективы в мире компьютерного железа и его производительности.

Сравнение и чем отличаются

Все показатели будут отмечены в таблицы для наглядного сравнения двух представителей:

Что и для кого будет лучше?

Вариаций планок оперативной памяти очень много и при выборе начинают разбегаться глаза. Тактовая частота, эффективная частота, частота шины, время цикла, пиковая скорость передачи данных – для обычного человека данные числа не дадут никакой полезной информации, как раз для таких людей и существуют подобные ресурсы (как эта статься). Главное при выборе убедиться что системные требования совпадают с имеющимся железом, брать в учет какова цель использования компьютера, ознакомится с отзывами покупателей и сделать окончательный выбор.

DDR3 1600 – эта память позволит обрабатывать большее количество информации в меньший срок. По сути ddr3 1600 это улучшенная версия ddr3 1333, отличающаяся объемом и скоростью записи/чтения поступаемой информации. Для многих это становится решающим фактором при выборе ОЗУ, но для среднестатистического пользователя использующего потенциал своего устройства в умеренной степени, разница не будет ощутима.

DDR3 1333 – преимущества DDR3 1333 заключаются в его надежности, качестве и относительно недорогой цене. Для возлагаемых на это запоминающее устройство задач, справляется прекрасно. Достаточно высокая скорость чтения и записи, долгосрочные гарантии производителя говорят о её качестве. Но стоит учитывать, то, что этот тип памяти обладает эффективной скоростью передачи 1333МГц/секунда.

Этого будет вполне достаточно для умеренной работы компьютера, например, просмотра фильмов, серфинга в интернете, игр и т.п. Но более серьезные вычислительные задачи в виде обработки видео-фото, работы с файлами большого объема, будут вызывать трудности в работоспособности персонального компьютера. А это еще раз говорит о том, что все зависит от потребностей пользователя и целей использования ПК.

Какая оперативная память лучше 1333 или 1600 в чем разница

Сборка компьютера на первый взгляд лишь немногим сложнее сборки какого-нибудь конструктора. Взял «материнку» посовременнее, воткнул подходящий по сокету процессор, «оперативки» пару плашек, видеокарту, блок питания, жёсткий диск, запустил всё это добро и сидишь, в «ВК» переписываешься.

Но на практике выясняется, что требуется учесть уйму тонкостей! Например, частоту оперативной памяти. Для производительности важно выбрать идеально подходящие по параметрам комплектующие, а при ограниченном бюджете ещё и постараться не вылететь в трубу, купив пару плашек.

Поэтому в данном материале мы разберём, в чём разница между оперативной памятью DDR3 1333 и 1600, и что лучше купить.

Немного теоретических основ

Несмотря на то, что выражение «тактовая частота» чаще всего применяется по отношению к процессору, это – основной параметр, который определяет скорость работы всего компьютера и отдельных его комплектующих. Правда, относительно других функциональных элементов, не только собственно «камня».

Компьютер – это машина для обработки информации. Он постоянно перегоняет огромное количество данных, хранит их в разных местах и выполняет с ними всякие операции. И передаются данные по шинам.

Шины можно представить как просто провода, проложенные от одного узла компьютера к другому. Например, от оперативной памяти к процессору. Или от жёсткого диска к чипсету, а оттуда – к видеокарте. Сами данные кодируются в виде цифрового сигнала, или импульсов тока. Есть ток на шине – «единичка». Нет тока – «нолик». И всё это потом обрабатывается и превращается в знакомые вещи. Например, в эти буквы.

Тем не менее, у такой системы есть одна проблема – комплектующим следует «договориться», какой промежуток времени считать за сигнал. Ну есть ток – и есть. Это одна «единичка»? Две? Восемь? Решением становится опрос шины с определённой частотой.

Скажем, устанавливается частота опроса 200 раз в секунду. Если всё это время на шине был ток – значит, поступило 200 «единичек». И вот эта периодичность опроса и есть тактовая частота (ТЧ).

Чем выше тактовая частота

– тем больше данных может быть передано по шине в секунду. Однако перед началом обмена информацией комплектующие, опять же, «договариваются» о ТЧ. Процессор информирует чипсет, что может принимать данные 3200 раз в секунду (3,2 ГГц). Оперативная память – что 1600 раз в секунду (1,6 ГГц). И дальше уже чипсет определяет, с какой скоростью кому что передавать.

Так что общая скорость работы компьютера определяется не ТЧ процессора (как гласят многие заблуждения), а ТЧ самой медленной из шин. Можно воткнуть какой-нибудь Intel Core i9-9900KS, 64 ГБ самой быстрой «оперативки» семейства DDR4 и NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti Founders Edition, а сверху поставить жёсткий диск с интерфейсом IDE – и несчастный компьютер будет лагать и зависать как в 90-е.

А теперь можно переходить непосредственно к оперативной памяти.

Оперативная память DDR3 1333

Оперативная память DDR3 1333 работает на тактовой частоте 667 МГц. При этом фактическая скорость накопителя составляет 1333 мегатрансферов в секунду. То есть за 1 секунду передаётся 1,3 миллиона сигналов.

Эта ТЧ обеспечивает высокую надёжность работы оперативной памяти. Кроме того, сами плашки нагреваются совсем незначительно, что очень важно для систем с неудачным охлаждением этих комплектующих.

ТЧ 667 МГц достаточно для работы офисных компьютеров и некоторых старых игр.

Оперативная память DDR3 1600

Оперативная память DDR3 1600 работает на тактовой частоте 800 МГц. Фактическая скорость накопителя составляет 1600 мегатрансферов в секунду.

Такая ТЧ обеспечивает достаточно высокую производительность. Кроме того, если разработчик плашки позаботился о схемотехнике, нагрев также будет незначителен. Но в некоторых случаях придётся отдельно организовывать обдув накопителя.

ТЧ 800 МГц достаточно для некоторых старых игр (для 2021 года, когда широко распространяется DDR4), а также для сложных вычислительных операций вроде архивации или распаковки архивов.

Как выбрать оперативную память?

Выбор оперативной памяти не так прост, как кажется на самом деле. О том, как выбрать оперативную память, я попытаюсь написать в данной статье.

Оперативная память (ОЗУ — Оперативное запоминающее устройство) — это рабочая область для центрального процессора (CPU). Во время работы компьютера в оперативной памяти хранятся данные и запущенные в данный момент программы. Оперативная память является временным хранилищем, после выключения или перезагрузки компьютера, все данные находящиеся в оперативной памяти уничтожаются.

В современных компьютерах, оперативная память выполнена по технологии DRAM (Dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом).

При выборе оперативной памяти нужно обратить внимание на следующее:

Тип оперативной памяти

Необходимо определить какой тип памяти поддерживает ваша материнская плата. Важно то, что модули одного типа памяти невозможно вставить в разъемы, предназначенные для другого типа. Для этого модули выполнены в разных форм-факторах, во избежание ошибочного подключения модуля в разъем предназначенный для другого типа памяти и тем самым предохраняя от повреждения модуля и самой системной платы.

DDR (double data rate — двойная скорость передачи данных) — в настоящее время этот тип памяти устарел и практически не используется (PC-2700, PC-3200). Модуль имеет 184 контакта. Стандартное питающее напряжение 2,5 В.

DDR2 — Самый распространенный на данный момент тип памяти. DDR2 в отличие от DDR позволяет делать выборку сразу 4 бита данных за такт (4n-prefetch), DDR только 2 бита за такт (2n-prefetch), т.е. способна передавать на каждом такте шины памяти 4 бита информации из ячеек микросхемы памяти в буферы ввода-вывода. Модуль выполнен в виде печатной платы с 240 контактами (по 120 с каждой стороны) и имеет стандартное питающее напряжение 1,8 В.

DDR3 — Новый тип памяти. DDR3 — позволяет делать выборку 8 бит данных за такт (8n-prefetch). Модуль также как и DDR2 выполнен в виде 240-контактной платы, а стандартное питающее напряжение всего 1,5 В. Энергопотребление памяти DDR3 приблизительно на 40% меньше, чем у памяти DDR2, что очень важно для ноутбуков и мобильных систем.

Типы памяти наиболее распространенные в настоящее время.

Тактовая частота — Как правило, компьютер работает быстрее, если тактовая частота оперативной памяти выше. Если нужна память DDR-2, подойдет память DDR2-800 с эффективной частотой 800 МГц или DDR2-1066 (1066 МГц). Если необходима память DDR-3, то оптимально выбрать DDR3-1333 (1333 МГц). Перед покупкой обязательно проверьте, какие частоты памяти поддерживает ваша материнская плата. Установка двух модулей памяти — позволяют использовать двухканальный режим. Для использования двухканального режима желательно, чтобы модули памяти работали на одной частоте, иначе память будет работать на частоте меньшей из двух модулей, объем модулей памяти не обязательно должен быть одинаковым. Современые материнские платы позволяют использовать трехканальный режим – в данном случае подключают три модуля памяти DDR — 3. Для двухканального и трехканального режима, лучше всего использовать Kit-ы. Kit — это набор модулей, состоящий из двух, трех, четырех или шести модулей памяти, которые уже протестированы в работе друг с другом.

Латентность (тайминги) — Временные задержки сигнала. Значения таймингов обычно имеют вид, например, 3-3-3-9 или 4-4-4-12. По порядку это CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) и Active to Precharge (tRas), не буду вдаваться в подробности, что все это такое, главной здесь нужно знать, что чем ниже тайминги, тем лучше (при выборе из двух модулей одного типа, например, PC2-6400).

И напоследок покупайте оперативную память хорошо зарекомендовавших себя производителей, например Samsung, Corsair, OCZ, Kingston, Patriot.

В чём разница и какую выбрать?

Итак, разница между 1333 и 1600 – в тактовой частоте и интенсивности нагрева. Ну и, соответственно, в производительности.

Однако выбор не так прост, как кажется. Дело в том, что с релизом DDR3 контроллер оперативной памяти начал устанавливаться непосредственно в процессор. И максимальная совместимая ТЧ определяется именно этим чипом.

Так, например, процессоры Intel Core семейства Ivy Bridge показывают резкое падение производительности при переходе на 1333. Это проявляется и в вычислительных операциях с данными (архивация/разархивация), и в играх. А вот «чипы» AMD Phenom в принципе не могут работать с 1600 без разблокировки множителя.

Таким образом, выбирать оперативную память следует исходя из совместимости с планируемым (или уже имеющимся) процессором. Для семейства Intel Core лучше сразу взять высокоскоростную – риск «прогадать» минимален. А для AMD Phenom покупка 1600 может оказаться и вовсе лишней тратой средств.

Сравним типы «оперативки».

Также стоит учесть, что скорость всех плашек памяти определяется по скорости наименьшей. То есть, если установлено, например, три штуки 1600 и одна 1333 – то максимальная скорость будет как раз 1333.

Память и производительность

К 2000 году доминирующая процессорная шина и скорость памяти увеличились до 100 МГц и даже 133 МГц, соответственно, PC100 и PC133 SDRAM. С начала 2001 года, стала популярной память SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR) с частотой 200 МГц и 266 МГц.

В 2002 году DDR память увеличилась до 333 МГц, а в 2003 году — до 400 МГц. В 2004 году ввели DDR2, сначала на частоте 400 МГц, а затем — 533 МГц. Память DDR2 соответствовала увеличению скорости шины процессора ПК с 2005 по 2006 год, в это время 667 МГц и 800 МГц. К 2007 году у памяти DDR2 была скорость до 1066 МГц.

К концу 2007 года на рынок пришла DDR3, с частотой в 1066 МГц, 1333 МГц и в 2008 году — 1600 МГц. В 2009 году, DDR3 стала самым популярным типом памяти в новых системах, и были добавлены более быстрые скорости 1866 МГц и 2133 МГц.

В 2013 была выпущена DDR4, с частотой 1600 МГц и ожидаемой в будущем скоростью до 3200 МГц. Системы на базе DDR4, начали выходить на рынок в конце лета 2014. В таблице ниже перечислены основные типы и уровни производительности памяти ПК.

Типы памяти и уровни производительности

МГц = миллион циклов в секунду MTps = миллионов переводов в секунду Мбит/с = миллион байт в секунду DIMM = двойной встроенный модуль памяти SODIMM = Малый DIMM SIMM = один встроенный модуль памяти

Другая, связанная со скоростью, спецификация для рассмотрения — латентность CAS (column address strobe), которую часто сокращают до CL. Её также иногда называют латентностью чтения, и это число тактовых циклов, происходящих между регистрацией сигнала CAS и результирующими выходными данными, с более низким числом циклов, указывающим более быструю (лучшую) производительность.

Если возможно, выбирайте модули с более низким значением CL, потому что чипсет материнской платы считывает эту спецификацию из SPD (последовательного обнаружения присутствия) ПЗУ на модуле и посредством улучшенных таймингов контроллера памяти, использует более низкую задержку.

На рисунке показаны тайминг памяти и информация SPD, о которой сообщает CPU-Z () для системы с DDR3-1600 SDRAM.

Скриншоты CPU-Z, отображающие информацию о памяти / SPD для системы с DDR3-1600 SDRAM.

Сравниваем оперативную память DDR3 1333 и 1600 | Важные отличия

Различия между поколениями оперативной памяти всегда достаточно существенны. Прошлогодний выход в люди стандарта DDR4 сделал серверный сегмент и high-performance desktop несколько выходящими из общего ряда. Недавний анонс серверным процессоров Intel Atom потянул за собой SO-DIMM DDR4. Все готово для массовой атаки на рынок, а не просто дебюта. Поизучаем немного теории, освежим знания? Под катом ключевые различия между DDR3 и DDR4.

Немного теоретических основ

Несмотря на то, что выражение «тактовая частота» чаще всего применяется по отношению к процессору, это – основной параметр, который определяет скорость работы всего компьютера и отдельных его комплектующих. Правда, относительно других функциональных элементов, не только собственно «камня».

Компьютер – это машина для обработки информации. Он постоянно перегоняет огромное количество данных, хранит их в разных местах и выполняет с ними всякие операции. И передаются данные по шинам.

Шины можно представить как просто провода, проложенные от одного узла компьютера к другому. Например, от оперативной памяти к процессору. Или от жёсткого диска к чипсету, а оттуда – к видеокарте. Сами данные кодируются в виде цифрового сигнала, или импульсов тока. Есть ток на шине – «единичка». Нет тока – «нолик». И всё это потом обрабатывается и превращается в знакомые вещи. Например, в эти буквы.

Тем не менее, у такой системы есть одна проблема – комплектующим следует «договориться», какой промежуток времени считать за сигнал. Ну есть ток – и есть. Это одна «единичка»? Две? Восемь? Решением становится опрос шины с определённой частотой.

Скажем, устанавливается частота опроса 200 раз в секунду. Если всё это время на шине был ток – значит, поступило 200 «единичек». И вот эта периодичность опроса и есть тактовая частота (ТЧ).

Чем выше тактовая частота

– тем больше данных может быть передано по шине в секунду. Однако перед началом обмена информацией комплектующие, опять же, «договариваются» о ТЧ. Процессор информирует чипсет, что может принимать данные 3200 раз в секунду (3,2 ГГц). Оперативная память – что 1600 раз в секунду (1,6 ГГц). И дальше уже чипсет определяет, с какой скоростью кому что передавать.

Так что общая скорость работы компьютера определяется не ТЧ процессора (как гласят многие заблуждения), а ТЧ самой медленной из шин. Можно воткнуть какой-нибудь Intel Core i9-9900KS, 64 ГБ самой быстрой «оперативки» семейства DDR4 и NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti Founders Edition, а сверху поставить жёсткий диск с интерфейсом IDE – и несчастный компьютер будет лагать и зависать как в 90-е.

А теперь можно переходить непосредственно к оперативной памяти.

Физические различия.

Разумеется, физически планки памяти DDR3 и DDR4 несовместимы. Вместо 240 пин у “третьего” — “четвертый” обладает 288 контактами. Увеличение числа контактов сделано ради возможности адресации как можно большего количества памяти. В самом максимальном варианте модуль памяти стандарта DDR4 может иметь объём 512 гигабайт. Минимальный объем модуля — 2 гигабайта.
Ключ разъема смещен ближе к центру. Защита от невнимательных пользователей работает, защита от невнимательных, но очень сильных пользователей — не существует.

Высота референсной планки — 31,25 мм — это чуть выше чем у предшественника (30 мм). Длина планки прежняя — 133,35 мм (напомните мне, сколько это в дюймах?), этот параметр не изменялся с момента появления первого поколения оперативной памяти DDR.

Оперативная память DDR3 1333

Оперативная память DDR3 1333 работает на тактовой частоте 667 МГц. При этом фактическая скорость накопителя составляет 1333 мегатрансферов в секунду. То есть за 1 секунду передаётся 1,3 миллиона сигналов.

Эта ТЧ обеспечивает высокую надёжность работы оперативной памяти. Кроме того, сами плашки нагреваются совсем незначительно, что очень важно для систем с неудачным охлаждением этих комплектующих.

ТЧ 667 МГц достаточно для работы офисных компьютеров и некоторых старых игр.

Архитектурные различия.

Самое важное, что произошло при переходе — изменение архитектуры доступа к модулям. Раньше шина Multi-Drop имела всего два канала и даже при организации работы с четырьмя модулями памяти, они висели попарно на одном канале, что не всегда положительно сказывалось на производительности.

Новая шина с оригинальным название Point-to-Point будет связывать каждый канал с одним модулем памяти. То есть при наличии в процессоре двухканального контроллера памяти — будут доступны два слота, а при наличии четырехканального — четыре. Вы скажете мне, а как же платы с 8 слотами под память? Для них применяются цифровые коммутаторы — аналогичные по смыслу, тем, что разветвляют линии PCI Express. Таким образом, оперативная память переходит на использование параллельного доступа.

Еще один важный момент — изменение в организации чипов памяти. При равном объеме чип DDR4 будет иметь в два раза больше банков памяти и строки памяти в четыре раза короче. Это говорит о том, что новый стандарт будет переключаться между банками намного быстрее, чем DDR3.

Вкратце, это все ключевые различия между двумя поколениями оперативной памяти DDR3 и DDR4, как это отражается на практике? Есть ли ощутимые различия в производительности — будем выяснять в следующих постах. Оставайтесь с нами.

Оперативная память DDR3 1600

Оперативная память DDR3 1600 работает на тактовой частоте 800 МГц. Фактическая скорость накопителя составляет 1600 мегатрансферов в секунду.

Такая ТЧ обеспечивает достаточно высокую производительность. Кроме того, если разработчик плашки позаботился о схемотехнике, нагрев также будет незначителен. Но в некоторых случаях придётся отдельно организовывать обдув накопителя.

ТЧ 800 МГц достаточно для некоторых старых игр (для 2021 года, когда широко распространяется DDR4), а также для сложных вычислительных операций вроде архивации или распаковки архивов.

В чём разница и какую выбрать?

Итак, разница между 1333 и 1600 – в тактовой частоте и интенсивности нагрева. Ну и, соответственно, в производительности.

Однако выбор не так прост, как кажется. Дело в том, что с релизом DDR3 контроллер оперативной памяти начал устанавливаться непосредственно в процессор. И максимальная совместимая ТЧ определяется именно этим чипом.

Так, например, процессоры Intel Core семейства Ivy Bridge показывают резкое падение производительности при переходе на 1333. Это проявляется и в вычислительных операциях с данными (архивация/разархивация), и в играх. А вот «чипы» AMD Phenom в принципе не могут работать с 1600 без разблокировки множителя.

Таким образом, выбирать оперативную память следует исходя из совместимости с планируемым (или уже имеющимся) процессором. Для семейства Intel Core лучше сразу взять высокоскоростную – риск «прогадать» минимален. А для AMD Phenom покупка 1600 может оказаться и вовсе лишней тратой средств.

Сравним типы «оперативки».

Также стоит учесть, что скорость всех плашек памяти определяется по скорости наименьшей. То есть, если установлено, например, три штуки 1600 и одна 1333 – то максимальная скорость будет как раз 1333.

Первый взгляд на DDR3

Изучаем новое поколение памяти DDR SDRAM, теоретически и практически

По материалам наших ежегодных iТогов по десктопной оперативной памяти (см., например, материалы за 2004, 2005 и 2006 год) легко заметить, что наиболее приоритетным направлением развития технологии оперативной памяти DDR SDRAM уже который год подряд является дальнейшее увеличение ее пропускной способности (напрямую зависящей от ее тактовой частоты) и снижение задержек. На втором месте по важности, пожалуй, располагается уменьшение ее энергопотребления и, наконец, увеличение емкости отдельных компонентов (микросхем) и модулей памяти в целом. По-видимому, реализация первого направления считается наиболее важной, в связи с чем происходит практически непрерывно (в рамках одной и той же ступени эволюции технологии — например, плавный переход от DDR2-400 к DDR2-800 и выше), тогда как реализация остальных из перечисленных выше задач, как правило, требует определенного эволюционного скачка в технологическом развитии (например, перехода от технологии DDR к технологии DDR2). Действительно, простое увеличение частоты шины памяти сказывается на ее энергопотреблении явно не положительным образом, поэтому для решения задачи снижения энергопотребления требуются иные подходы. Более того, ситуация, как правило, осложняется тем, что решение этой задачи несколько противоречит «генеральной линии» развития технологий памяти, которая, напомним, заключается в достижении все больших пропускных способностей (частот) и все меньших задержек. И правда, хорошо известно, что первые варианты памяти типа DDR2 ощутимо проигрывали их «равночастотным» аналогам типа DDR по задержкам. Тем не менее, неограниченный рост частот (и снижение задержек) в рамках одной и той же технологии памяти невозможен — он ограничен вполне определенными физическими причинами (прежде всего, тепловыделением), поэтому «эволюционные скачки» в развитии технологий памяти все же необходимы, и обусловлены они не только заботой о меньшем потреблении энергии.

Так обстояло дело при первом эволюционном скачке в развитии технологий памяти DDR SDRAM — переходе от DDR к DDR2. Первые образцы DDR функционировали на частоте всего 100 МГц (и имели рейтинг DDR-200), затем частота постепенно увеличилась до 200 МГц (DDR-400). Происходило одновременное уменьшение задержек — первоначальные схемы таймингов вида 3-3-3-8 сменились весьма низкими схемами вида 2-2-2-5. Затем появились и более высокочастотные модули памяти DDR (вплоть до 300 МГц, т.е. DDR-600), однако официально они так и не были приняты стандартом JEDEC. Увеличение частоты модулей памяти, либо снижение задержек требовало повышения питающего напряжения со стандартного уровня 2.5 В до значений порядка 2.85 В, проблема избыточного тепловыделения решалась, как правило, применением обычных теплоотводов.

Когда дальнейшее увеличение тактовых частот памяти DDR оказалось практически невозможным, на рынке десктопной оперативной памяти появилось новое, второе поколение памяти DDR SDRAM — память DDR2, которая постепенно начала доказывать свою конкурентоспособность и медленно, но верно вытеснять «старое» поколение памяти DDR. Первоначальные варианты DDR2 были представлены частотами 200 МГц (DDR2-400) и 266 МГц (DDR2-533) — так сказать, DDR2 начала свое развитие там, где (официально) закончила свое развитие DDR. Более того, первоначальный стандарт DDR2 предусматривал гораздо более высокочастотные варианты, по сравнению с привычной DDR — 333-МГц модули типа DDR2-667 и 400-МГц вариант DDR2-800. При этом микросхемы DDR2 были основаны на новом технологическом процессе, позволяющем использовать питающее напряжение всего 1.8 В (что явилось одним из факторов снижения их энергопотребления) и достигать более высоких емкостей компонентов и, следовательно, модулей памяти.

Благодаря чему удалось достичь (сначала — в теории, а затем — и на практике) больших тактовых частот (а следовательно, и пропускных способностей) памяти DDR2 при одновременном уменьшении ее энергопотребления, по сравнению с DDR? Были ли при этом у DDR2 только одни преимущества перед DDR, или имелись и недостатки? Чтобы ответить на эти вопросы, позволим себе сделать краткий экскурс в теорию. Для начала, рассмотрим предельно упрощенную схему функционирования памяти типа DDR (рис. 1).

Рис. 1. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR-400

Передача данных от микросхем памяти модуля к контроллеру памяти по внешней шине данных осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»). В этом и заключается суть технологии «Double Data Rate», именно поэтому «рейтинг», или «эффективная» частота памяти DDR всегда является удвоенной (например, DDR-400 при 200-МГц частоте внешней шины данных). Итак, «эффективная» частота внешней шины данных памяти DDR-400 составляет 400 МГц, тогда как ее истинная частота, или частота буферов ввода-вывода, составляет 200 МГц. В устройствах памяти первого поколения DDR внутренняя частота функционирования микросхем памяти приравнена к истинной частоте внешней шины (частоте буферов ввода-вывода) и составляет 200 МГц для рассматриваемой микросхемы памяти DDR-400. При этом совершенно очевидно, что для того, чтобы передавать по 1 биту данных за такт (по каждой линии данных) по внешней шине с «эффективной» частотой 400 МГц, за один такт внутренней 200-МГц шины данных необходимо передать 2 бита данных. Иными словами, можно сказать, что при прочих равных условиях внутренняя шина данных должна быть вдвое шире по сравнению с внешней шиной данных. Такая схема доступа к данным называется схемой «2n-предвыборки» (2n-prefetch).

Рис. 2. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR2-800

Наиболее естественным путем решения проблемы достижения более высоких тактовых частот при переходе от DDR к DDR2 явилось снижение тактовой частоты внутренней шины данных вдвое по отношению к реальной тактовой частоте внешней шины данных (частоте буферов ввода-вывода). Так, в рассматриваемом примере микросхем памяти DDR2-800 (рис. 2) частота буферов ввода-вывода составляет 400 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных — 800 МГц (поскольку сущность технологии Double Data Rate остается в силе — данные по-прежнему передаются как по восходящему, так и по нисходящему полупериоду синхросигнала). При этом частота внутренней шины данных составляет всего 200 МГц, поэтому для передачи 1 бита (по каждой линии данных) за такт внешней шины данных с эффективной частотой 800 МГц на каждом такте 200-МГц внутренней шины данных требуется передача уже 4 бит данных. Иными словами, внутренняя шина данных микросхемы памяти DDR2 должна быть в 4 раза шире по сравнению с ее внешней шиной. Такая схема доступа к данным, реализованная в DDR2, называется схемой «4n-предвыборки» (4n-prefetch). Ее преимущества перед схемой 2n-prefetch, реализованной в DDR, очевидны. С одной стороны, для достижения равной пиковой пропускной способности можно использовать вдвое меньшую внутреннюю частоту микросхем памяти (200 МГц для DDR-400 и всего 100 МГц для DDR2-400, что позволяет значительно снизить энергопотребление). С другой стороны, при равной внутренней частоте функционирования микросхем DDR и DDR2 (200 МГц как для DDR-400, так и DDR2-800) последние будут характеризоваться вдвое большей теоретической пропускной способностью. Но очевидны и недостатки — функционирование микросхем DDR2 на вдвое меньшей частоте (в условиях равенства теоретической пропускной способности устройств DDR и DDR2) и использование более сложной схемы преобразования «4-1» приводит к ощутимому возрастанию задержек, что и наблюдалось на практике в ходе исследования первых образцов модулей памяти DDR2.

Естественно, применение схемы 4n-prefetch — не единственное нововведение в DDR2, однако оно является наиболее значимым отличием от предыдущего поколения памяти DDR, поэтому достаточно для нашего краткого рассмотрения. За более полными подробностями относительно DDR2 мы рекомендуем обратиться к нашей статье «DDR2 — грядущая замена DDR. Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования».

Дальнейшее развитие технологии памяти DDR2 явилось существенно аналогичным развитию ее предыдущего поколения, памяти DDR. А именно, были достигнуты частоты в 333 и 400 МГц (т.е. реализованы официальные стандарты DDR2-667 и DDR2-800). Были значительно снижены задержки, даже официально появилась новая версия стандарта JEDEC (JESD79-2B), допускающая снижение схемы таймингов от 4-4-4 до 3-3-3 — для DDR2-533, от 5-5-5 до 4-4-4 — для DDR2-667, от 6-6-6 до 5-5-5 и даже 4-4-4 — для DDR2-800. Конечно же, следом появились и «нестандартные» разновидности DDR2, по своей частоте выходящие далеко за пределы спецификации JEDEC — вплоть до 625 МГц («DDR2-1250») при схеме таймингов 5-5-5, либо «стандартные» DDR2-800, но с экстремально низкими схемами таймингов вроде 3-3-3. Как и прежде, для достижения таких рекордов потребовалось значительное поднятие питающего напряжения модулей со стандартного уровня 1.8 В до экстремально высоких уровней порядка 2.4 В (что совсем немного уступает стандартному значению предыдущего поколения памяти DDR — 2.5 В). Разумеется, это потребовало применения более «продвинутых» способов отвода тепла от микросхем памяти — как оригинальных, патентованных фирменных конструкций теплоотводов, так и применения внешнего активного охлаждения.

Тем не менее, как и в случае с прошлым поколением памяти DDR, на сегодняшний день предел технологии памяти DDR2 (по частоте, задержкам и значительно возросшему тепловыделению вследствие значительного увеличения питающего напряжения) практически достигнут. Поэтому уже сегодня вполне закономерно ожидать очередной «эволюционный скачок» технологии памяти DDR SDRAM — переход от памяти стандарта DDR2 к новому стандарту DDR3.

Рис. 3. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR3-1600

Нетрудно догадаться, что основной принцип, лежащий в основе перехода от DDR2 к DDR3, в точности повторяет рассмотренную выше идею, заложенную при переходе от DDR к DDR2. А именно, DDR3 — это «все та же DDR SDRAM», т.е. передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти. Только рейтинги производительности выросли в 2 раза, по сравнению с DDR2 — типичными скоростными категориями памяти нового стандарта DDR3 будут являться разновидности от DDR3-800 до DDR3-1600 (а возможно, и выше). Очередное увеличение теоретической пропускной способности компонентов памяти в 2 раза вновь связано со снижением их внутренней частоты функционирования во столько же раз. Поэтому отныне, для достижения темпа передачи данных со скоростью 1 бит/такт по каждой линии внешней шины данных с «эффективной» частотой в 1600 МГц (как в примере, рассмотренном на рис. 3) используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. Т.е. ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). Преимущества при переходе от DDR2 к DDR3 будут теми же, что и при состоявшемся ранее переходе от DDR к DDR2: с одной стороны, это снижение энергопотребления компонентов в условиях равенства их пиковой пропускной способности (DDR3-800 против DDR2-800), с другой стороны — возможность дальнейшего наращивания тактовой частоты и теоретической пропускной способности при сохранении прежнего уровня «внутренней» частоты компонентов (DDR3-1600 против DDR2-800). Теми же будут и недостатки — дальнейший разрыв между «внутренней» и «внешней» частотой шин компонентов памяти будет приводить к еще большим задержкам. Резонно ожидать, что относительное увеличение последних, при переходе от DDR2 к равночастотной DDR3, будет примерно таким же, как и при переходе от DDR к равночастотной DDR2.

Что ж, перейдем к несколько более детальному рассмотрению нового поколения микросхем и модулей памяти DDR3, грядущих на смену нынешней DDR2.

DDR3: некоторые технические сведения

Стандарт DDR3 на сегодняшний день еще не принят JEDEC, его принятие ожидается ближе к середине текущего года (предположительно, он будет носить имя JESD79-3). Поэтому представленная ниже информация о микросхемах и модулях памяти DDR3 пока что носит предварительный характер.

Начнем с микросхем памяти DDR3, первые прототипы которых были объявлены еще в 2005 году. Доступные сегодня образцы микросхем DDR3 основаны на 90-нм технологическом процессе и характеризуются уровнем питающего напряжения 1.5 В, что само по себе вносит примерно 30% вклад в снижение мощности, рассеиваемой этими микросхемами памяти по сравнению с микросхемами DDR2 (имеющими стандартное питающее напряжение 1.8 В). Полное снижение энергопотребления по сравнению с равночастотной DDR2 достигает примерно 40%, что особенно важно для мобильных систем. Емкости компонентов, предусмотренные предварительными спецификациями JEDEC, варьируются от 512 Мбит до 8 Гбит, тогда как типичные выпускаемые на сегодня микросхемы имеют емкость от 1 до 4 Гбит. Теоретическая пропускная способность микросхем DDR3 вдвое выше по сравнению с DDR2 благодаря использованию рассмотренной выше схемы 8n-prefetch (против 4n-prefetch в DDR2). Количество логических банков в микросхемах DDR3 также увеличено вдвое по сравнению с типичным значением для DDR2 (4 банка) и составляет 8 банков, что теоретически позволяет увеличить «параллелизм» при обращении к данным по схеме чередования логических банков и скрыть задержки, связанные с обращением к одной и той же строке памяти (tRP). Микросхемы DDR3 корпусируются в FBGA-упаковку, обладающую рядом улучшений по сравнению с DDR2, а именно (рис. 4):

Рис. 4. Корпусировка микросхем DDR3 и DDR2

Перейдем к рассмотрению модулей памяти DDR3. Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа» (см. рис. 5а).

Рис. 5а. Внешний вид типичных модулей памяти DDR3 (сверху) и DDR2 (снизу) Рис. 5б. Внешний вид типичных разъёмов на системной плате (комбо) для установки модулей памяти DDR3 (голубой/розовый) и DDR2 (зелёный/оранжевый)

Отличительной особенностью схемотехнического дизайна модулей памяти DDR3 является применение «сквозной», или «пролетной» (fly-by) архитектуры передачи адресов и команд, а также сигналов управления и тактовой частоты отдельным микросхемам модуля памяти с применением внешнего терминирования сигналов (резистором, расположенным на модуле памяти). Схематически эта архитектура представлена на рис. 6. Она позволяет добиться увеличения качества передачи сигналов, что необходимо при функционировании компонентов при высоких частотах, типичных для памяти DDR3 и не требуется для компонентов памяти стандарта DDR2.

Рис. 6. «Пролетная» (fly-by) архитектура передачи сигналов в модулях памяти DDR3

Различие между способом подачи адресов и команд, сигналов управления и тактовой частоты в модулях памяти DDR2 и DDR3 (на примере модулей, физический банк которых составлен из 8 микросхем разрядностью x8) представлено на рис. 7. В модулях памяти DDR2 подача адресов и команд осуществляется параллельно на все микросхемы модуля, в связи с чем, например, при считывании данных, все восемь 8-битных элементов данных окажутся доступными в один и тот же момент времени (после подачи соответствующих команд и истечения соответствующих задержек) и контроллер памяти сможет одновременно прочитать все 64 бита данных. В то же время, в модулях памяти DDR3 вследствие применения «пролетной» архитектуры подачи адресов и команд каждая из микросхем модуля получает команды и адреса с определенным отставанием относительно предыдущей микросхемы, поэтому элементы данных, соответствующие определенной микросхеме, также окажутся доступными с некоторым отставанием относительно элементов данных, соответствующих предыдущей микросхеме в ряду, составляющем физический банк модуля памяти. В связи с этим, с целью минимизации задержек, в модулях памяти DDR3, по сравнению с модулями DDR2, реализован несколько иной подход ко взаимодействию контроллера памяти с шиной данных модуля памяти. Он называется «регулировкой уровня чтения/записи» (read/write leveling) и позволяет контроллеру памяти использовать определенное смещение по времени при приеме/передачи данных, соответствующее «запаздыванию» поступления адресов и команд (а следовательно, и данных) в определенную микросхему модуля. Этим достигается одновременность считывания (записи) данных из микросхем (в микросхемы) модуля памяти.

Рис. 7. Регулировка уровня чтения/записи (read/write leveling) в модулях памяти DDR3

В заключение рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (tCL) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых tCL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки tCL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Конфигурация тестового стенда

Тесты проводились с использованием системной платы MSI P35 Neo Combo

DDR3: первые результаты реального тестирования

Перейдем, как говорится, от теории к практике. В распоряжении нашей тестовой лаборатории оказались уникальные предсерийные образцы материнской платы MSI P35 Neo Combo, основанная на новом чипсете Intel P35 и модулей памяти Corsair XMS3-1066 (CM3X1024-1066C7 ES). Материнская плата MSI P35 Neo Combo, как следует из ее названия, представляет собой «комбинированный» вариант, т.е. позволяет устанавливать как модули памяти DDR2, так и DDR3. Заметим, что «комбинирование» модулей памяти в этой материнской плате осуществляется по принципу «либо DDR2, либо DDR3», т.е. одновременное использование модулей памяти DDR2 и DDR3 (как в общем канале, так и для составления разных каналов) невозможно. На настоящее время, вследствие отсутствия официальной спецификации на новые чипсеты Intel, невозможно сказать, является ли это принципиальным ограничением чипсета Intel P35, либо просто особенностью разводки данной платы. Однако весьма вероятно, что имеет место первый вариант — чипсеты Intel, как правило, не отличаются сомнительным экзотическим преимуществом в виде одновременной поддержки разных типов памяти.

Модули памяти CM3X1024-1066C7 ES представляют собой инженерный образец модулей памяти DDR3-1066 со схемой таймингов 7-7-7-21 (в точности совпадающей с предполагаемой схемой для модулей памяти DDR3 данной скоростной категории, приведенной в табл. 1). Для сопоставления скоростных характеристик этих модулей памяти, как представителей нового типа памяти DDR3, со скоростными характеристиками нынешнего поколения модулей памяти DDR2 были выбраны модули памяти Corsair DOMINATOR XMS2-9136C5D примерно равной скоростной категории «DDR2-1142», использованные в режиме DDR2-1066 с номинальной для этих модулей схемой таймингов 5-5-5-15.

Режим функционирования модулей памяти DDR2 и тайминги устанавливались вручную в настройках BIOS материнской платы, питающее напряжение было увеличено до 2.3 В. Заметим, что текущая версия BIOS (V1.0B16 от 20.04.2007) материнской платы MSI P35 Neo Combo не позволяет настроить значения таймингов модулей памяти DDR3 должным образом, по-прежнему предлагая значения основных параметров (tCL, tRCD и tRP) от 3 до 6 включительно, что соответствует таймингам памяти DDR2, но не DDR3. То же касается и питающего напряжения модулей — по-прежнему предлагается выбор от 1.8 В до 2.5 В, тогда как «официальное» питающее напряжение модулей памяти DDR3 составляет всего 1.5 В. В связи с этим, для модулей памяти DDR3 были выбраны «автоматические» настройки «by SPD» при минимальном питающем напряжении 1.8 В, однако сказать что-либо определенное относительно этих настроек (как о реальной поддержки еще не утвержденного стандарта специфических расширений SPD для DDR3, так и о корректной настройке временных параметров контроллера памяти чипсета Intel P35 при использовании DDR3) невозможно. Достаточно сказать лишь главное: используемая нами связка модули памяти DDR3 Corsair XMS3-1066 и материнской платы MSI P35 Neo Combo оказались работоспособной. Так что приступим к рассмотрению результатов наших тестов, выполненных в последней доступной версии тестового пакета RightMark Memory Analyzer 3.72, включающего в себя тест многопоточного доступа к памяти RightMark Multi-Threaded Memory Test 1.0.

Начнем с тестов реальной пропускной способности памяти (ПСП) при «одноядерном» варианте доступа. Как обычно, измерение реальной ПСП проводилось в четырех режимах доступа: «простом» чтении данных (Read), «простой» записи данных (Write), чтении данных с программной предвыборкой при оптимальной дистанции предвыборки, которая для процессора Intel Core 2 Duo в составляет примерно 1024 байта (Read SW PF) и, наконец, записи данных методом прямого сохранения (Write NT). При этом первые два режима доступа позволяют оценить «среднюю» реальную ПСП при операциях чтения и записи, а два последних режима — максимальную реальную ПСП при тех же операциях.

Рис. 8. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3, одноядерный доступ

Из приведенной на рис. 8 диаграммы с результатами тестов памяти DDR2-1066 и DDR3-1066 в однопоточном режиме доступа видно, что DDR3 если и уступает равночастотной DDR2, то весьма незначительно: отставание составляет примерно 5-8% и особенно заметно по максимальной реальной ПСП при операциях чтения. При этом и в том, и в другом случае реально наблюдаемые величины ПСП весьма далеки от максимальной теоретической ПСП DDR2/DDR3-1066, которая в двухканальном режиме составляет примерно 17.1 ГБ/с. Впрочем, последнее обстоятельство хорошо объясняется наличием «узкого места» в системе в виде 266-МГц системной шины (1066 МГц Quad-Pumped bus), пиковая пропускная способность которой — всего 8.53 ГБ/с.

Рис. 9. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3, двухъядерный доступ

Использование двухпоточного варианта доступа к памяти (одновременно с обоих ядер процессора, см. рис. 9) позволяет достичь несколько больших значений ПСП (порядка 8.0 ГБ/с, что ближе к теоретическому пределу ПС системной шины 8.53 ГБ/с), причем в данном случае DDR3-1066 в целом оказывается примерно наравне с DDR2-1066, а в случае максимальной реальной ПСП на чтение даже превосходит последнюю примерно на 2%. Итак, заключаем: что касается реальной пропускной способности, на нынешнем поколении платформ Intel оперативная память нового стандарта DDR3 как минимум не уступает, а в ряде случаев и превосходит равночастотную память стандарта DDR2. А значит, применение «сквозной» архитектуры подачи адресов и команд (fly-by architecture) и компенсирующего ее принципа регулировки уровня чтения/записи (read/write leveling), необходимых для достижения высоких частот функционирования компонентов памяти, оправдывает свое назначение, поскольку как минимум не ухудшает (а возможно, и несколько улучшает) скоростные характеристики подсистемы памяти.

Внимательный читатель вполне может возразить на эти выводы, сделанные на основании тестов памяти исключительно в двухканальном режиме. Действительно, ведь «узким местом» системы в данном случае является не шина памяти (от двух каналов контроллера к каждому из модулей памяти), а системная шина (от процессора к чипсету/контроллеру памяти). Поэтому, быть может, мы просто «не видим» разницу между DDR2 и DDR3 именно по этой причине? Поскольку такое возражение было бы вполне закономерным, мы решили проверить правомерность сделанного нами вывода, исследовав одноканальный режим работы памяти. Конечно, такой режим работы в наши дни представляет лишь чисто теоретический интерес, но именно он позволяет «приравнять» пиковую ПС системной шины и шины памяти, тем самым исключив возможное влияние первой на результаты низкоуровневого тестирования. Соответствующие результаты приведены в таблице 2.

Табл. 2. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3 в одноканальном режиме

Как и следовало ожидать, величины ПСП, как при «одноядерном», так и при «двухъядерном» доступе к памяти в одноканальном режиме ее работы оказываются заметно меньшими по сравнению с соответствующими значениями ПСП при двухканальном режиме работы оперативной памяти. Более того, «одноядерный» вариант доступа показывает несколько большее, но все же не столь существенное отставание DDR3 от DDR2 (4-11%), однако «двухъядерный» доступ в память вновь практически выравнивает показания DDR2 и DDR3 и также позволяет последней выиграть примерно 1-2% у равночастотной DDR2 при операциях чтении данных. Максимальная реальная ПСП как DDR2-1066, так и DDR3-1066 достигает примерно 82-83% от теоретического максимума памяти рассматриваемой скоростной категории, функционирующей в одноканальном режиме, что, на наш взгляд, является весьма неплохим результатом. А сами по себе результаты тестов DDR2 и DDR3 в одноканальном режиме подтверждают правомерность выводов относительно скоростных характеристик памяти DDR3, сделанных нами выше.

Что ж, нам остается оценить задержки при доступе к равночастотной памяти DDR2 и DDR3 (так называемую «латентность памяти»). Конечно, из общих соображений следует ожидать большую их величину для последней (учитывая, хотя бы, большую схему таймингов 7-7-7 против 5-5-5 для DDR2), однако посмотрим, какой окажется разница по задержкам на самом деле. Заметим, что в данном случае мы получили практически идентичный результат как в двухканальном, так и в одноканальном режиме работы памяти, поэтому приведем лишь результаты для двухканального режима, имеющего практический смысл (см. рис. 10).

Рис. 10. Латентность памяти DDR2 и DDR3

Итак, задержки при доступе в память типа DDR3-1066, естественно, оказываются выше по сравнению с доступом в память типа DDR2-1066. Относительное увеличение задержек составляет примерно 13% при псевдослучайном доступе и примерно 16% — при истинно случайном доступе. Тем не менее, если учесть, что различие между схемами таймингов 7-7-7-21 и 5-5-5-15 составляет целых 40% (правда, как мы писали выше, в случае DDR3 мы пока не можем сказать ничего определенного относительно реально используемой схемы таймингов), реально наблюдаемое увеличение задержек при переходе от DDR2 к DDR3 выглядит более чем приемлемым.

Заключение

Результаты нашего первого низкоуровневого тестирования инженерных образцов модулей памяти DDR3 в сопоставлении с равночастотными модулями памяти DDR2 в идентичных условиях тестирования позволяют нам заключить, что память нового, еще не принятого окончательно стандарта DDR3 уже на сегодняшний день может оправдывать свое существование. Ее скоростные характеристики как минимум не уступают, а в ряде случаев и несколько превосходят характеристики аналогичных модулей памяти текущего стандарта DDR2. Сравнительно небольшим оказалось и относительное возрастание задержек (13-16%) при переходе от DDR2 к DDR3 при прочих равных условиях. А если учесть, что развитие технологий памяти в основном идет по пути одновременного роста тактовых частот и снижения задержек, будущее поколение DDR3 вполне сможет сократить указанный разрыв, а то и вовсе выигрывать по задержкам у DDR2 (уже сегодня практически прекратившей свое дальнейшее развитие).

В то же время, нельзя не заметить, что пока что новую память DDR3 ждет примерно та же участь, что и нынешнее поколение высокоскоростной DDR2 (DDR2-800 и выше). А именно — серьезное затруднение раскрытия гигантского скоростного потенциала самой оперативной памяти, которая давно перестала быть «узким местом» системы. Так, например, на участвующей в нашем сегодняшнем исследовании платформе Intel Core 2 Duo / Intel P35 приличного раскрытия потенциала памяти DDR2-1066 или DDR3-1066 можно ожидать лишь в одноканальном режиме работы последней (как мы показали, при этом реальная пропускная способность памяти достигает примерно 83% от теоретического максимума), который, согласитесь, не представляет интереса с практической точки зрения. Применение же двухканального режима работы памяти приводит к серьезному ограничению ее ПСП со стороны системной шины, вдвое более узкой по своей пропускной способности. Мы неоднократно упоминали о подобных ограничениях в нашем цикле статей по оперативной памяти (см., например, iТоги за 2006 год), и нам остается надеяться, что производители важнейших компонентов платформы — процессоров и чипсетов — осознают необходимость серьезной модернизации последних для достижения высоких стандартов скорости, диктуемых… технологиями оперативной памяти.

Материнская плата MSI P35 Neo Combo предоставлена компанией MSI. Модули памяти Corsair XMS3-1066C7 предоставлены компанией Corsair Memory

1333 или 1600 в чем разница ddr3

Данная статья является вольным и сокращённым переводом статьи «Does RAM Speed Matter? DDR3-1600 vs 1866, 2133 and 2400 in Games», опубликованной на одном сайте около года назад и обновлённой в середине года 2015. Также, она, статья, может служить своего рода ответом на последние публикации как на GT, так и самом HabraHabr, посвящённые новым линейкам RAM-памяти (1, 2 и 3) и закону Мура в хранении данных.

• Crucial Ballistix Sport 2x4GB DDR3-1600 (9-9-9-24, 1.5V) — $75
• Patriot Viper III 2x4GB DDR3-1866 (9-10-9-27, 1.5V) — $87
• Corsair Vengeance 2x4GB DDR3-2133 (11-11-11-27, 1.5V) — $93
• Corsair Vengeance Pro 2x4GB DDR3-2400 (11-13-13-31, 1.65V) — $93
• G.Skill TridentX 2x4GB DDR3-2400 (10-12-12-31, 1.65V) — $93

• 3DMark
• Grid 2
• Metro: Last Light
• Thief
• Crysis 3
• Battlefield 4

Не будем замусоривать эфир тестированием всех игр, приведём лишь парочку скриншотов для сравнения таких, как Metro и Battlefield 4.

Если посчитать количество фреймов на один затраченный доллар, то окажется, что на данный момент одним из самых выгодных предложений может стать DDR3-1866, но всё же стоить помнить, что память с частотой выше 1600 МГц просто-напросто не даёт существенного прироста производительности. Собственно, это один из главных выводов авторов. Если у вас есть лишние пару баксов на более крутую память — смело покупайте память с повышенной частотой, но не стоит увлекаться и гнаться за МГц ради самих МГц.

Сравнение стоимости fps за потраченный доллар и стоимости RAM в цене системного блока

Сравниваем оперативную память DDR3 1333 и 1600 | Важные отличия

Оперативная память DDR3 1333

Оперативная память DDR3 1600

Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)

• Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
• Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
• Термопаста: Arctic Cooling MX-2;
• Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
• Оперативная память:
  • Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • Kingston KVR1333D3N9-8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
  • SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
  • HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
  • Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
  • DirectX Redistributable (Jun2010);
  • AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
  • AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
  • SPDTool v0.6.3;
  • Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
  • MemTest86+ v4.20;
  • LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.

  

  • Номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
  • Номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
  • Номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).

  Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

  NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

  

  

  • На номинальной и более низкой частоте: практически отсутствует;
  • После разгона до 1500-1600 МГц: крайне слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.75 В.

  Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

  

  

  • X-X-(X-2) на средних частотах (1600-1875 МГц);
  • X-X-(X-1) на низких частотах (около 1333 МГц).
  • от 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
  • от 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (20-30 МГц);
  • от 1.75 B до 1.85 B: отсутствует.
  • Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
  • Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-10-8-15 1T.

  GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта

  Выбираем оперативную память DDR3 для компьютера: разбор характеристик и сравнение популярных моделей

  Оперативная память, или ОЗУ, является энергозависимым запоминающим устройством, в котором хранятся различные типы данных, обрабатываемых процессором. По сути, ОЗУ представляет собой набор конденсаторов и транзисторов. На конденсаторах накапливается заряд, тур управляется с помощью транзистора. Таким образом, формируется набор данных в зависимости от того, заряжен конденсатор или нет.

  Сама аббревиатура DDR означает удвоенную скорость передачи данных памяти типа SDRAM. Стандарт DDR3 пришёл на смену DDR2, что логично. По сравнению с предыдущим типом, новинка имела больший размер подкачки, сокращение энергопотребления и уменьшение техпроцесса, которое позволило разместить на схеме большее количество элементов. Помимо стандартного варианта DDR3, существует и DDR3L, а также DDR3U, которые отличаются уменьшенным энергопотреблением. Серверная оперативная память DDR3 обычно несовместима с десктопными версиями и обладает большим объёмом, частотой, а также стоимостью.

  Чем отличается оперативная память DDR3 от DDR4

  Стандарт DDR4 впервые появился в 2011 году. А массово начал наполнять рынки с 2015 г. По сравнению с DDR3, он обладает удвоенным числом внутренних банков, большей пропускной способностью и надёжностью из-за новых механизмов контроля. Что касается физической совместимости, то с предыдущим типом память DDR4 несовместима. То есть, ставить планку DDR4 в разъём DDR3 не получится, и наоборот.

  Интересно, что тесты показывают незначительное увеличение быстродействия памяти DDR4, в отличие от DDR3, в задачах, связанных с повседневной работой, веб-сёрфингом, работой с документами, просмотром видео и т.д. Однако в более специализированных задачах (рендеринг-видео, игры, компилирование и моделирование) память формата DDR4 с большими частотами показывает себя во всей красе.

  

  Как выбрать оперативную память DDR3 для компьютера

  Для того чтобы выбрать ОЗУ, недостаточно просто купить первую попавшуюся в планку и воткнуть её в материнскую плату. Для стабильной и оптимизированный работы требуется правильно подобрать количество каналов, частоты, объём и тайминги. Об этом и многих других существующих нюансах мы расскажем дальше.

  Какую выбрать частоту оперативной памяти DDR3

  Частота ОЗУ характеризует количество данных, способных пройти через канал за единицу времени. Чем выше этот показатель, тем быстрее будет происходить обмен данными между платой и процессором. Частота имеет свои нюансы. Перед покупкой стоит убедиться в том, что материнская плата способна работать на максимальной частоте оперативной памяти. Помимо этого, частоты 2 планок памяти должны быть одинаковы, так как материнская плата может понизить общую частоту до минимального значения.

  Как выбрать объём памяти DDR3

  С объёмом всё немного проще: чем больше значение, тем лучше. Однако стоит учитывать, что 32-битные операционные системы не умеют работать с ОЗУ объёмом больше 4 Гб. Даже если установить 16 Гб в систему, ОС увидит только 3 из них.

  Какие тайминги лучше для оперативной памяти DDR3

  Тайминги ОЗУ также называются латентностью. Они характеризуют временную задержку сигнала на участке между процессором и ОЗУ. Обычно тайминги отражаются в спецификации оперативной памяти четырьмя цифрами. Если не углубляться в технические подробности, то каждая из цифр показывает отдельный тип задержки при обращении к памяти. При выборе стоит руководствоваться правилом: чем меньше задержка, тем лучше.

  Лучшие модули оперативной памяти DDR3, по мнению редакции

  Мы решили собрать небольшой обзор на несколько вариантов ОЗУ, которые, по нашему мнению, считаются наиболее оптимальными.

  HyperX HX324C11SRK2/16

  

  HyperX HX324C11SRK2/16 выполнена в стильном красном корпусе Это комплект модулей из 2 штук. Каждая планка имеет по 8 ГБ. Максимально заявленная частота составляет 2 400 МГц. А максимальная пропускная способность − 19200 мб/с. Тайминги памяти не самые маленькие. Однако ОЗУ имеет собственные профили XMP на два вида частот, с помощью которых можно регулировать производительность своей системы. Купить эту оперативную память DDR3 на 8 ГБ для ПК можно за 13 600 руб.

  Ballistix BLT2CP4G3D1608DT1TX0CEU

  

  Фирменный цвет Ballistix − жёлтый Этот набор также состоит из двух планок по 4 Гб. Частота ОЗУ составляет 1600 МГц. Пропускная способность − 12800. Тайминги в этом варианте минимальны, и каждый из них составляет 8. То есть, это недорогое решение с потенциалом для разгона. Стоимость комплекта составляет 5 200 руб.

  Оперативная память на 4 Gb Kingston KVR16N11S8/4

  

  Этот модуль выглядит как обычная плата Комплект состоит из одного модуля на 4 Гб, с частотой в 1600 МГц. Работает планка с таймингами 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ПК можно за 2 000 руб.

  Оперативная память DDR3 Hynix DDR3 1333 DIMM 2Gb

  

  На плате заметно выделяются чипы с самой памятью Такой объём используется довольно редко и на старых системах. Об этом говорит и малая частота в 1333 МГц. Купить эту оперативную память DDR3 в 2 Гб можно по цене 900 руб.

  Corsair CMZ16GX3M2A1600C10

  

  Плата от Corsair выглядит стильно Ещё один комплект из двух модулей по 8 ГБ. Частота не самая высокая — 1600 МГц, а пропускная способность — 12800 Мб/с. Тайминги распределились так: 10/10/10/27. Напряжение составляет 1,5 В. Купить этот комплект можно за 9 000 руб.

  G.SKILL F3-2400C10D-16GTX

  

  Иногда кажется, что производители ОЗУ соревнуются между собой в дизайне Один из топовых комплектов ОЗУ. Общий объём составляет 16 Гб, то есть две планки по 8 Гб. Максимально возможная частота — 2400 МГц. Тайминги относительно невысокие — 10/12/12/31. Стоимость комплекта — 18 600 руб.

  Kingston KVR16S11S8/4

  

  Форм-фактор SODIMM значительно компактней своего старшего собрата DIMM Недорогая оперативная память на 4 Gb DDR3 для ноутбука по бюджетной цене. Состоит из одного модуля, частота которого составляет 1600 МГц при пропускной способности 12800 Мб/с. Тайминги средние — 11/11/11. Купить эту оперативную память DDR3 на 4 Gb для ноутбука можно за 2 200 руб.

  Corsair CMSX8GX3M1A1600C10

  

  Платы серого цвета довольно редко встречаются в электронных устройствах Оперативная память для ноутбука DDR3 на 8 Gb по цене 6 000 руб. Из характеристик можно выделить частоту в 1600 МГц, пропускную способность 12800 и тайминг CAS 10.

  Как установить и настроить оперативную память DDR3

  В самом процессе установки нет ничего сложного и страшного. Вставить плату неправильно в слот не получится в любом случае. Перед монтажом следует снять статическое напряжение с себя, например, коснувшись системного блока. Это позволит избежать повреждения модуля и элементов материнской платы во время работы. Каждый модуль оснащён ключом — прорезью на плате. С его помощью определяется правильность установки.

  Он должен совпасть с перегородкой в слоте. Приложив память в слот, нужно сделать небольшое усилие до характерного щелчка. Этот звук означает, что защёлки встали в нужное положение и зафиксировали модуль. Сразу после установки ОЗУ можно будет работать в режиме по умолчанию, используя не самую эффективную частоту. Поэтому придётся сначала заглянуть в BIOS. Если она поддерживает профили XMP, то можно выбрать готовый, если нет, то надо выставить значения вручную.

  Как разогнать оперативную память DDR3

  На быстродействие ОЗУ в основном влияют два параметра: частота и тайминги. Разгонять можно как с помощью одного, так и другого. А можно и вовсе найти идеальное стабильное решение. маневрируя значениями между ними двумя.

  Выбор метода разгона по частоте и таймингам

  Увеличить частоту работы памяти можно с помощью FSB – повышения частоты системной шины. При этом увеличивается вся общая производительность. В разных версиях BIOS обозначаться они могут как соотношение 1:1, 1:2 или в процентах. Если же материнская плата поддерживает встроенные профили, то задача сильно упрощается. Устанавливать значения частоты вручную стоит постепенно, небольшими шагами. После каждого изменения необходимо загрузиться в операционную систему и проверить её на стабильность в производительных играх или тестах. Если система стабильна, можно пробовать повышать ещё. Стандартный интерфейс БИОС Повышение производительности с помощью таймингов можно также выполнить из-под BIOS, или используя специальные утилиты прямо в операционной системе. Основные 4 тайминга оказывают наибольшее влияние на производительность − это CL, tRCD, tRP, tRAS. Именно они указываются в спецификации к оперативной памяти. Для увеличения производительности их нужно уменьшать. Делать это нужно так же, как и с частотой постепенно, каждый раз проверяя стабильность системы. Устанавливать значения нужно постепенно, каждый раз проверяя стабильность Интересно, что иногда не самые быстрые тайминги памяти при разных частотах могут выдавать неплохие общие результаты. Поэтому после нахождения идеального стабильного значения можно немного поиграть с частотами и таймингами в разных направлениях и сравнить производительность.

  Как выставить значения и поменять настройки

  Чтобы правильно настроить производительность, необходимо изменить значения параметров частоты или таймингов. Сделать это можно через БИОС или же с помощью программ. Остановимся на обоих моментах подробнее.

  Через интерфейс БИОС

  

  Разновидностей БИОС существует масса, и называться пункты в них могут по-разному. Для изменения частоты может понадобиться пункт «Memory Frequency», «CPU Clock Ratio» или схожие по смыслу. Вообще, мы рекомендуем вам выбирать способ разгона исходя из модели своей материнской платы, найдя её спецификации и руководства по настройке на официальном сайте производителя. Современные БИОС — UEFI просты в использовании Для установки значений таймингов придётся искать в БИОС что-то типа DRAM Timing Selectable или DRAM Configuration. Обычно эти пункты установлены в режим Auto, поэтому нужно переключить их в Manual. Это разблокирует имеющиеся тайминги для редактирования. 4 главных из них, наиболее влияющих на производительность, обычно выделены в отдельный блок. Теперь их можно менять, перезагружаясь каждый раз и проверяя систему на стабильность.

  Через программу для разгона оперативной памяти DDR3

  

  На самом деле, программы, которые бы действительно могли полноценно разгонять ОЗУ из под Windows, – редкость. В большинстве своём, это утилиты для разгона частоты системной шины. Можно выделить разве что программу MemSet, которая способна менять тайминги на лету из-под операционной системы. Однако, стоит сначала ознакомиться с перечнем поддерживаемых ею систем, так как работать она может не со всеми. Так выглядит программа MemSet Поэтому универсальное средство для разгона всего спектра присутствующих на рынке систем найти трудно. Мы рекомендуем использовать то программное обеспечение, которое поставляется с материнской платой, так как многие современные производители стараются упростить взаимодействие своих продуктов с пользователями. Это позволит использовать оптимизированный под конкретную сборку ПК методику разгона.

  Отслеживание производительности программой для теста оперативной памяти DDR3

  

  После каждого изменения параметров системы необходимо следить за тем, насколько её работа стабильна. Проверять это можно как с помощью игр, так и специальных утилит. Их существует несколько. Самая простая из них — MemTest. Эта маленькая программка проверяет ОЗУ на ошибки записи/чтения. Интерфейс её настолько прост, что даже особых навыков для её использования не потребуется. Достаточно ввести необходимый объём тестируемой памяти или же оставить весь имеющийся и нажать Start Testing. После проверки она сообщит, сколько процентов ошибок было найдено во время тестирования. Программа такая же маленькая, как и её окно Отдельный модуль для проверки стабильности системы в целом содержит и AIDA64 – программа для анализа и слежения за состоянием оборудования и системы. В настройках можно указать, какие из разделов нужно проверить: оперативную память, процессор или же графический адаптер.

  Нюансы ремонта оперативной памяти DDR3

  На самом деле максимальный ремонт, который сможет провести в домашних условиях неподготовленный пользователь, — это протереть контакты платы тряпочкой со спиртом. Во всех же остальных случаях придётся обращаться к услугам профессионалов или вовсе менять модуль на новый. Нестабильная работа ОЗУ обычно характеризуется небольшими подтормаживаниями системы, частыми беспричинными перезагрузками и «синими экранами смерти».

  Сколько стоит оперативная память DDR3 – обзор цен модулей на 4, 8 и 16 ГБ

  Для удобства всю информацию мы оформили в виде таблицы, где читатели нашего портала смогут сравнить характеристики и цены.

  

  • Частота: 2400 МГц.
  • Объём: 2 по 8 Гб.
  • Пропускная способность: 19200.

  

  • Частота: 1600 МГц.
  • Объём: 2 по 4 Гб.
  • Пропускная способность: 12800.

  

  • Частота: 1600 МГц.
  • Объём: 4 Гб.
  • Пропускная способность: 12800.

  

  Hynix DDR3 1333 DIMM 2Gb

  • Частота: 1333 МГц.
  • Объём: 2 Гб.

  

  • Частота: 1600 МГц.
  • Объём: 2 по 8 Гб.
  • Пропускная способность: 12800.

  

  • Частота: 2400 МГц.
  • Объём: 2 по 8 Гб.
  • Пропускная способность: 19200.

  

  • Частота: 1600 МГц.
  • Объём: 4 Гб.
  • Пропускная способность: 12800.

  

  • Частота: 1600 МГц.
  • Объём: 8 Гб.
  • Пропускная способность: 12800.

  Если у вас есть накопленный опыт по работе и установке ОЗУ, то можете поделиться им в комментариях.